Our mission would be to grow to be an innovative provider of high-tech digital and communication devices by offering benefit added style, world-class production, and repair capabilities for Quots for China Graphite Ball Valves for Heat Treatment , Our goal is to create Win - ကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များနှင့်အခြေအနေအနိုင်ရ။ ကျွန်ုပ်တို့သည် သင်၏အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုဖြစ်မည်ဟု ကျွန်ုပ်တို့ယုံကြည်ပါသည်။ "နာမည်ဂုဏ်သတင်း ပထမ၊ ဖောက်သည်များ အဓိက။ “မင်းရဲ့ စုံစမ်းမေးမြန်းမှုကို စောင့်နေတာ။
ကျွန်ုပ်တို့၏တာဝန်မှာ အကျိုးကျေးဇူးထပ်လောင်းပုံစံ၊ ကမ္ဘာ့အဆင့်မီထုတ်လုပ်ရေးနှင့် ပြုပြင်မှုစွမ်းရည်များကို ပေးဆောင်ခြင်းဖြင့် နည်းပညာမြင့် ဒစ်ဂျစ်တယ်နှင့် ဆက်သွယ်ရေးစက်များ တီထွင်ဆန်းသစ်သောပံ့ပိုးသူဖြစ်လာရန် ကျွန်ုပ်တို့၏ရည်မှန်းချက်မှာ ကြီးထွားလာစေရန်ဖြစ်သည်။China Graphite Crucible ၊, သတ္တုနှင့် ပစ္စည်းများ, We always adhere to follow the honesty, mutual benefit, common development, after years of development and the tireless efforts of all staff, now has perfect export system, diversified logistics solutions, comprehensive meet customer shipping, air transport, international express and logistics services . ကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များအတွက် တစ်နေရာတည်းတွင် အရင်းအမြစ်ရှာဖွေရေး ပလပ်ဖောင်းကို အသေးစိပ်ဖော်ပြပါ။
ကာဗွန်/ကာဗွန် ပေါင်းစပ်မှုများ(ယခုအခါ ““C/C သို့မဟုတ် CFC”) သည် ကာဗွန်ကိုအခြေခံ၍ ကာဗွန်ဖိုက်ဘာနှင့် ၎င်း၏ထုတ်ကုန်များ (ကာဗွန်ဖိုက်ဘာကြိုတင်ပုံစံ) ဖြင့် အားဖြည့်ထားသည့် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းတစ်မျိုးဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် ကာဗွန်၏ အင်တီယာနှင့် ကာဗွန်ဖိုက်ဘာ၏ မြင့်မားသော ခွန်အား နှစ်ခုလုံးရှိသည်။ ၎င်းတွင် ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ၊ အပူခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ ပွတ်တိုက်မှုဒဏ်နှင့် အပူနှင့် လျှပ်စစ်စီးကူးမှု လက္ခဏာများ ပါဝင်သည်။
CVD-SiCအပေါ်ယံပိုင်းသည် တူညီသောဖွဲ့စည်းပုံ၊ ကျစ်လစ်သောပစ္စည်း၊ အပူချိန်မြင့်မားသောခုခံမှု၊ ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှု၊ မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု၊ အက်ဆစ်နှင့် အယ်လ်ကာလီခုခံမှုနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ၊ တည်ငြိမ်သောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများပါရှိသည်။
သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဂရပ်ဖိုက်သည် 400C တွင် oxidize စတင်သည်၊ ၎င်းသည် ဓာတ်တိုးမှုကြောင့် အမှုန့်များဆုံးရှုံးစေပြီး အရံပစ္စည်းများနှင့် လေဟာနယ်ခန်းများသို့ ပတ်ဝန်းကျင်ညစ်ညမ်းစေကာ သန့်စင်မြင့်ပတ်ဝန်းကျင်၏ အညစ်အကြေးများကို တိုးပွားစေသည်။
သို့သော် SiC အပေါ်ယံပိုင်းသည် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုကို 1600 ဒီဂရီတွင် ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်၊ ၎င်းကို ခေတ်မီစက်မှုလုပ်ငန်း၊ အထူးသဖြင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ ကုမ္ပဏီသည် ဂရပ်ဖိုက်၊ ကြွေထည်များနှင့် အခြားပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် SiC coating process ဝန်ဆောင်မှုများကို ဆောင်ရွက်ပေးလျက်ရှိပြီး ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်ပါရှိသော အထူးဓာတ်ငွေ့များကို မြင့်မားသော သန့်စင်သော SiC မော်လီကျူးများ၊ SIC အကာအကွယ်အလွှာကိုဖွဲ့စည်းသည်။ ဖွဲ့စည်းထားသော SIC သည် ဂရပ်ဖိုက်အခြေစိုက်စခန်းနှင့် ခိုင်မြဲစွာ ချိတ်ဆက်ထားပြီး ဂရပ်ဖိုက်အခြေစိုက်စခန်း၏ အထူးဂုဏ်သတ္တိများကို ပေးစွမ်းသောကြောင့် ဂရပ်ဖိုက်၏မျက်နှာပြင်ကို ကျစ်လစ်သိပ်သည်းစေကာ Porosity-free၊ မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ချေးခုခံခြင်းနှင့် ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
အဓိကအင်္ဂါရပ်များ-
1. မြင့်မားသောအပူချိန် oxidation resistance:
အပူချိန် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ မြင့်မားနေချိန်တွင် ဓာတ်တိုးမှု ခုခံမှုမှာ အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။
2. မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု- မြင့်မားသောအပူချိန် ကလိုရင်းဓာတ်အခြေအနေအောက်တွင် ဓာတုအငွေ့ထွက်မှုဖြင့် ပြုလုပ်သည်။
3. တိုက်စားခံနိုင်ရည်- မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ ကျစ်လစ်သော မျက်နှာပြင်၊ ကောင်းမွန်သော အမှုန်များ။
4. သံချေးတက်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်- အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီ၊ ဆားနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ။
CVD-SIC Coatings ၏ အဓိက Specifications
| SiC-CVD | ||
| သိပ်သည်းမှု | (ဂရမ်/စီစီ)
| ၃.၂၁ |
| Flexural ခွန်အား | (Mpa)
| ၄၇၀ |
| အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း။ | (၁၀-၆/ကျပ်) | 4
|
| အပူစီးကူးမှု | (W/mK) | ၃၀၀
|
