GDE သည် gas diffusion electrode ၏အတိုကောက်ဖြစ်ပြီး၊ ဆိုလိုသည်မှာ gas diffusion electrode ဖြစ်သည်။ ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ ဓာတ်ကူပစ္စည်းကို ထောက်ကူကိုယ်ထည်အဖြစ် ဓာတ်ငွေ့ပျံ့နှံ့မှုအလွှာပေါ်တွင် ဖုံးအုပ်ထားပြီး၊ ထို့နောက် GDE သည် အမြှေးပါးလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဖြစ် ပူပြင်းသောနှိပ်နည်းဖြင့် ပရိုတွန်အမြှေးပါးနှစ်ဖက်စလုံးတွင် ပူပြင်းသောဖိထားသည်။
ဤနည်းလမ်းသည် ရိုးရှင်းပြီး ရင့်ကျက်သော်လည်း အားနည်းချက် နှစ်ခုရှိသည်။ ပထမဦးစွာ ပြင်ဆင်ထားသော ဓာတ်ပစ္စည်းများ အလွှာသည် ပိုထူပြီး မြင့်မားသော Pt load လိုအပ်ပြီး ဓာတ်ကူပစ္စည်း အသုံးချမှုနှုန်းမှာ နည်းပါးသည်။ ဒုတိယ၊ ဓာတ်ပြုအလွှာနှင့် ပရိုတွန်အမြှေးပါးကြား အဆက်အသွယ်သည် အလွန်နီးကပ်မှုမရှိသဖြင့် အင်တာဖေ့စ်ခုခံမှုကို တိုးမြင့်စေပြီး အမြှေးပါးလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ အလုံးစုံစွမ်းဆောင်ရည် မမြင့်မားပါ။ ထို့ကြောင့်၊ GDE အမြှေးပါးလျှပ်ကူးပစ္စည်းကို အခြေခံအားဖြင့် ဖယ်ရှားထားသည်။
လုပ်ငန်းသဘောတရား-
ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးရေးအလွှာသည် အီလက်ထရုဒ်၏အလယ်တွင် တည်ရှိသည်။ အလွန်နည်းသော ဖိအားဖြင့်၊ အီလက်ထရောနစ်များကို ဤ porous system မှ ဖယ်ထုတ်သည်။ သေးငယ်သောစီးဆင်းမှု။ ခံနိုင်ရည်ရှိမှုက electrode အတွင်းသို့ ဓာတ်ငွေ့များ လွတ်လပ်စွာ စီးဆင်းနိုင်သည်ကို သေချာစေသည်။ အနည်းငယ်ပိုမြင့်သောလေဖိအားတွင်၊ pore system ရှိ electrolytes များသည် အလုပ်လုပ်သောအလွှာတွင် ချုပ်နှောင်ထားသည်။ မျက်နှာပြင်အလွှာတွင် ဓာတ်ငွေ့များသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်းမှတဆင့် အီလက်ထရွန်းသို့ မစီးဆင်းနိုင်သည့် အပေါက်များရှိပြီး အမြင့်ဆုံးဖိအားမှာပင် ဖြစ်သည်။ ဤလျှပ်ကူးပစ္စည်းကို ပြန့်ကြဲခြင်းနှင့် နောက်ဆက်တွဲ sintering သို့မဟုတ် ပူပြင်းသောနှိပ်ခြင်းဖြင့် ပြုလုပ်သည်။ Multilayer Electrodes များထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အနုစိတ်ပစ္စည်းများကို မှိုတစ်ခုတွင် ဖြန့်ကျက်ပြီး ချောမွတ်သည်။ ထို့နောက် အခြားပစ္စည်းများကို အလွှာများစွာတွင် အသုံးချပြီး ဖိအားသက်ရောက်သည်။
စာတိုက်အချိန်- ဖေဖော်ဝါရီ ၂၇-၂၀၂၃