ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းနှင့် ၎င်း၏အင်္ဂါရပ်များ

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်သည် ကွန်ပျူတာများ၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ၊ ကွန်ရက်ဆက်သွယ်ရေး၊ မော်တော်ကားအီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် အူတိုင်၏အခြားနေရာများတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသော ခေတ်မီစက်မှုလုပ်ငန်းသုံးစက်ကိရိယာများ၏အဓိကဖြစ်ပြီး၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အဓိကအားဖြင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ၊ optoelectronic ကိရိယာများ၊ ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များ၏ 80% ကျော်အတွက် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာသည့် ကိရိယာ၊ အာရုံခံကိရိယာ၊ ထို့ကြောင့် မကြာခဏနှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနှင့် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်း၊ ညီမျှသည်။

ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်း၊ ထုတ်ကုန်အမျိုးအစားအလိုက် အဓိကအားဖြင့် မိုက်ခရိုပရိုဆက်ဆာ၊ မန်မိုရီ၊ ယုတ္တိဗေဒပစ္စည်းများ၊ Simulator အစိတ်အပိုင်းများကို လေးမျိုးခွဲခြားထားသည်။ သို့သော်၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများ၏ အသုံးချနယ်ပယ်ကို စဉ်ဆက်မပြတ် ချဲ့ထွင်ခြင်းဖြင့်၊ အထူးအချိန်အခါများတွင် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ ပြင်းထန်သော ဓာတ်ရောင်ခြည်၊ စွမ်းအားမြင့် နှင့် အခြားပတ်ဝန်းကျင်များကို မပျက်စီးစေဘဲ၊ ပထမမျိုးဆက်နှင့် ဒုတိယမျိုးဆက်များကို လိုက်နာနိုင်စေရန်၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ပစ္စည်းများသည် ပါဝါမရှိသောကြောင့် တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပေါ်ပေါက်လာသည်။

လက်ရှိအချိန်တွင် wide band gap သည် semiconductor ပစ္စည်းများဖြင့် ကိုယ်စားပြုသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်(SiC)၊ ဂါလီယမ်နိုက်ထရိတ် (GaN)၊ ဇင့်အောက်ဆိုဒ် (ZnO)၊ စိန်၊ အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ် (AlN) တို့သည် တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများအဖြစ် စုပေါင်းထားသော တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများအဖြစ် အသာစီးရနေသော ဈေးကွက်ကို သိမ်းပိုက်ထားသည်။ ပိုကျယ်သော band gap width ရှိသော semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တတိယမျိုးဆက်၊ ပြိုကွဲနေသော လျှပ်စစ်စက်ကွင်း၊ အပူစီးကူးမှု၊ အီလက်ထရွန်းနစ် ရွှဲနှုန်းနှင့် ဓာတ်ရောင်ခြည်များကို ခုခံနိုင်စွမ်း မြင့်မားလေ၊ မြင့်မားသော အပူချိန်၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော၊ ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်နှင့် စွမ်းအားမြင့်စက်ပစ္စည်းများကို ပြုလုပ်ရန်အတွက် ပိုသင့်တော်ပါသည်။ အများအားဖြင့် wide bandgap semiconductor ပစ္စည်းများ (တားမြစ်ထားသော band width သည် 2.2 eV ထက်ကြီးသည်) ဟုလည်း အပူချိန်မြင့်သော semiconductor ပစ္စည်းများဟုလည်း ခေါ်သည်။ တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများနှင့် စက်ပစ္စည်းများဆိုင်ရာ လက်ရှိသုတေသနပြုချက်များအရ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်နှင့် ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းတို့သည် ပိုမိုရင့်ကျက်လာပြီး၊ဆီလီကွန်ကာဗိုက်နည်းပညာဇင့်အောက်ဆိုဒ်၊ စိန်၊ အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ်နှင့် အခြားပစ္စည်းများအပေါ် သုတေသနပြုမှုသည် ကနဦးအဆင့်တွင် ရှိနေဆဲဖြစ်သည်။

ပစ္စည်းများနှင့်၎င်းတို့၏ပိုင်ဆိုင်မှုများ:

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းသည် ကြွေဘောလုံးကို ဝက်ဝံများ၊ အဆို့ရှင်များ၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများ၊ gyros၊ တိုင်းတာရေးကိရိယာများ၊ အာကာသယာဉ်နှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုခဲ့ပြီး စက်မှုနယ်ပယ်များစွာတွင် အစားထိုး၍မရသောပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်လာခဲ့သည်။

SiC သည် သဘာဝ superlattice အမျိုးအစားဖြစ်ပြီး ပုံမှန်တစ်သားတည်းဖြစ်နေသော polytype တစ်ခုဖြစ်သည်။ Si နှင့် C diatomic အလွှာများကြား ကွဲပြားသော ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံများကို ဖြစ်ပေါ်စေသည့် Si နှင့် C diatomic အလွှာများကြား ထုပ်ပိုးမှုအစီအစဥ်ကွာခြားမှုကြောင့် (လက်ရှိလူသိများသည်) homotypic polytypic မိသားစု 200 ကျော်ရှိသည်။ ထို့ကြောင့် SiC သည် မျိုးဆက်သစ် light emitting diode (LED) substrate material၊ စွမ်းအားမြင့် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် အလွန်သင့်လျော်ပါသည်။