လစ်သီယမ်-အိုင်းယွန်းဘက်ထရီများသည် အဓိကအားဖြင့် စွမ်းအင်သိပ်သည်းဆမြင့်မားသော ဦးတည်ချက်ဖြင့် ဖွံ့ဖြိုးလျက်ရှိသည်။ အခန်းအပူချိန်တွင်၊ လစ်သီယမ်ကြွယ်ဝသောထုတ်ကုန် Li3.75Si အဆင့်ကိုထုတ်လုပ်ရန် ဆီလီကွန်အခြေခံအနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများ၊ လစ်သီယမ်ကြွယ်ဝသောထုတ်ကုန် Li3.75Si အဆင့်၊ တိကျသောစွမ်းရည် 3572 mAh/g အထိရှိသော၊ သီအိုရီအရ သီးခြားစွမ်းရည်ရှိသော ဂရပ်ဖိုက်အနှုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း 372 ထက် များစွာမြင့်မားသည်။ mAh/g သို့သော်၊ ဆီလီကွန်အခြေခံအနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများ၏ထပ်ခါတလဲလဲအားသွင်းခြင်းနှင့်ပြန်ထုတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း Si နှင့် Li3.75Si ၏အဆင့်အသွင်ပြောင်းမှုသည် ကြီးမားသောထုထည်ချဲ့ထွင်မှု (300%) ခန့်ကိုဖြစ်ပေါ်စေနိုင်ပြီး၊ ၎င်းသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာအမှုန့်များကိုဖြစ်ပေါ်စေပြီး စဉ်ဆက်မပြတ်ဖွဲ့စည်းမှုကိုဖြစ်ပေါ်စေမည်ဖြစ်သည်။ SEI ဖလင်သည် နောက်ဆုံးတွင် စွမ်းရည်ကို လျင်မြန်စွာ ကျဆင်းစေပါသည်။ စက်မှုလုပ်ငန်းသည် အဓိကအားဖြင့် ဆီလီကွန်အခြေခံ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် နာနိုအရွယ်အစား၊ ကာဗွန်အပေါ်ယံပိုင်း၊ ချွေးပေါက်ဖွဲ့စည်းမှုနှင့် အခြားနည်းပညာများမှတစ်ဆင့် ဆီလီကွန်အခြေခံဘက်ထရီများ၏ တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
ကာဗွန်ပစ္စည်းများသည် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကောင်းမွန်ပြီး၊ ကုန်ကျစရိတ်နည်းပြီး ကျယ်ပြန့်သောအရင်းအမြစ်များရှိသည်။ ၎င်းတို့သည် ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် မျက်နှာပြင်တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်။ ၎င်းတို့ကို ဆီလီကွန်အခြေခံအနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်ရေး ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများအဖြစ် ဦးစားပေးအသုံးပြုသည်။ ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်းများသည် ဆီလီကွန်အခြေခံအနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ ပင်မရေစီးကြောင်းဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေး ဦးတည်ချက်ဖြစ်သည်။ ကာဗွန်အပေါ်ယံလွှာသည် ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သော်လည်း ဆီလီကွန်ထုထည်ချဲ့ထွင်မှုကို ဟန့်တားနိုင်သည့်စွမ်းရည်မှာ ယေဘူယျဖြစ်ပြီး ဆီလီကွန်ထုထည်ချဲ့ထွင်ခြင်းပြဿနာကို မဖြေရှင်းနိုင်ပါ။ ထို့ကြောင့် ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏ တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် အပေါက်များသော အဆောက်အဦများကို ဆောက်လုပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ Ball milling သည် nanomaterials များကိုပြင်ဆင်ရန်အတွက် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံးနည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း၏ ဒီဇိုင်းလိုအပ်ချက်အရ ဘောလုံးကြိတ်ခွဲခြင်းဖြင့် ရရှိသော ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ၏ ဒီဇိုင်းလိုအပ်ချက်အရ မတူညီသော ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် ပစ္စည်းအစိတ်အပိုင်းများကို ထည့်နိုင်သည်။ slurry သည် အမျိုးမျိုးသော slurries များမှတဆင့် အညီအမျှ ပြန့်ကျဲပြီး မှုတ်ခြောက်သည်။ ချက်ခြင်းအခြောက်ခံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ slurry အတွင်းရှိ နာနိုအမှုန်များနှင့် အခြားအစိတ်အပိုင်းများသည် ချွေးပေါက်များထွက်ကာ အလိုလိုဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံသွင်ပြင်လက္ခဏာများဖြစ်ပေါ်လာမည်ဖြစ်သည်။ ဤစက္ကူသည် စက်မှုလုပ်ငန်းလုပ်ကာ သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်နိုင်သော ဘောလုံးကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် မှုန်ရေမွှားခြောက်ခြင်းနည်းပညာကို အသုံးပြု၍ အပေါက်များသော ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်သည်။
ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ဆီလီကွန် nanomaterials များ၏ ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် ဖြန့်ဖြူးမှုဝိသေသလက္ခဏာများကို ထိန်းညှိခြင်းဖြင့်လည်း မြှင့်တင်နိုင်ပါသည်။ လက်ရှိတွင်၊ ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများဖြစ်သည့် ဆီလီကွန်နာနိုရော့များ၊ ပွက်ပွက်ဆူနေသောဂရပ်ဖိုက်ထည့်သွင်းထားသော နာနိုဆီလီကွန်၊ ကာဗွန်စက်လုံးများတွင် ဖြန့်ဝေထားသော နာနိုဆီလီကွန်များ၊ ဆီလီကွန်/ဂရပ်ဖင်းအခင်းအကျင်းများ စသည်တို့ကို ပြင်ဆင်ထားပြီးဖြစ်သည်။ တူညီသောစကေးတွင် နာနိုမှုန်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါသည်။ ၊ nano sheets များသည် ထုထည်ချဲ့ထွင်ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ကြိတ်ခွဲမှုပြဿနာကို ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ နှိမ်နင်းနိုင်ပြီး၊ ပစ္စည်းသည် ပိုမိုသေးငယ်သော ကျစ်လစ်မှုရှိသည်။ သိပ်သည်းဆ နာနိုစာရွက်များ စည်းပုံမမှန်ခြင်းသည်လည်း ပေါက်ရောက်သော ဖွဲ့စည်းပုံကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်။ ဆီလီကွန် အနှုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း လဲလှယ်မှုအဖွဲ့တွင် ပါဝင်ရန်။ ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများ ထုထည်ချဲ့ထွင်ရန်အတွက် ကြားခံနေရာတစ်ခု ပေးပါ။ ကာဗွန်နာနိုပြွန်များ (CNTs) ကို မိတ်ဆက်ခြင်းသည် ပစ္စည်း၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို တိုးတက်စေရုံသာမက ၎င်း၏ တစ်ဖက်မြင်ရုပ်ပုံသဏ္ဍာန် လက္ခဏာများကြောင့် ပစ္စည်း၏ ပေါက်ရောက်သော ဖွဲ့စည်းပုံများကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ဆီလီကွန် nano sheets နှင့် CNTs များဖြင့် တည်ဆောက်ထားသော porous structures များနှင့်ပတ်သက်၍ အစီရင်ခံချက်မရှိပါ။ ဤစာတမ်းသည် စက်မှုသုံးဘောလုံးကြိတ်ခွဲခြင်း၊ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ကွဲအက်ခြင်း၊ မှုတ်အခြောက်ခံခြင်း၊ ကာဗွန်ကြိုတင်အလွှာဖုံးခြင်းနှင့် calcination နည်းလမ်းများကိုအသုံးပြုထားပြီး၊ ဆီလီကွန်နာနိုစာရွက်များဖြင့် ပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းထားသော porous silicon-based negative electrode ပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ရန်အတွက် ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် porous promoters များကို မိတ်ဆက်ပေးပါသည်။ CNTs ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် ရိုးရှင်းပြီး သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်ပြီး စွန့်ပစ်အရည် သို့မဟုတ် အမှိုက်အကြွင်းအကျန်များကို ထုတ်ပေးခြင်းမရှိပါ။ ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏ကာဗွန်အပေါ်ယံပိုင်းနှင့်ပတ်သက်သော စာပေအစီရင်ခံစာများစွာရှိသော်လည်း အပေါ်ယံအကျိုးသက်ရောက်မှုအပေါ် အသေးစိတ်ဆွေးနွေးမှုအနည်းငယ်ရှိသည်။ ဤစာတမ်းသည် ကာဗွန်ကို အရင်းခံအဖြစ် ကတ္တရာကိုအသုံးပြုကာ ကာဗွန်အပေါ်ယံအလွှာနှစ်ခုဖြစ်သော အရည်အဆင့်အပေါ်ယံနှင့် အစိုင်အခဲအဆင့်အပေါ်ယံပိုင်း၊ အပေါ်ယံအကျိုးသက်ရောက်မှုနှင့် ဆီလီကွန်အခြေခံအနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းတို့၏စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် သက်ရောက်မှုများကို စုံစမ်းစစ်ဆေးရန် အသုံးပြုသည်။
1 စမ်းသပ်မှု
1.1 ပစ္စည်းပြင်ဆင်ခြင်း။
အပေါက်များသော ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ရာတွင် အဓိကအားဖြင့် အဆင့်ငါးဆင့်ပါဝင်သည်- ဘောလုံးကြိတ်ခွဲခြင်း၊ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ကွဲထွက်သွားခြင်း၊ လေဖြန်းခြောက်ခြင်း၊ ကာဗွန်အကြိုအကာနှင့် ကာဗွန်ထုတ်ခြင်းတို့ကို လုပ်ဆောင်ခြင်းဖြစ်သည်။ ပထမဦးစွာ၊ ကနဦးဆီလီကွန်မှုန့် 500 ဂရမ် (ပြည်တွင်း၊ 99.99% သန့်စင်မှု)၊ isopropanol 2000 ဂရမ်ထည့်ကာ ဘောလုံးကြိတ်ခြင်းအမြန်နှုန်း 2000 r/min ဖြင့် 24 နာရီကြာ နာနိုစကေးဆီလီကွန် slurry ရရှိရန်။ ရရှိသောဆီလီကွန် slurry ကို dispersion transfer tank တစ်ခုသို့ လွှဲပြောင်းပေးပြီး၊ ပစ္စည်းများသည် ဆီလီကွန်၏ ဒြပ်ထုအချိုးအစားအတိုင်း ပေါင်းထည့်သည်- ဂရပ်ဖိုက် (ရှန်ဟိုင်းတွင်ထုတ်လုပ်သော၊ ဘက်ထရီအဆင့်)- ကာဗွန်နာနိုပြွန် (Tianjin တွင်ထုတ်လုပ်သည်၊ ဘက်ထရီအဆင့်)- polyvinyl pyrrolidone (ထုတ်လုပ်သည်။ Tianjin တွင် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုအဆင့်) = 40:60:1.5:2။ Isopropanol ကို အစိုင်အခဲပါဝင်မှုကို ချိန်ညှိရန် အသုံးပြုပြီး အစိုင်အခဲပါဝင်မှု 15% ဖြစ်အောင် ဖန်တီးထားသည်။ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ကွဲလွဲခြင်းကို 4 နာရီကြာ 3500 r/min ဖြင့် ဖြန့်ကျက်လုပ်ဆောင်သည်။ CNTs မထည့်ဘဲ အခြား slurries အုပ်စုကို နှိုင်းယှဉ်ပြီး အခြားပစ္စည်းများသည် အတူတူပင်ဖြစ်သည်။ ထို့နောက် ရရှိသော ပြန့်ကျဲနေသော slurry ကို မှုတ်အခြောက်ခံသည့် သိုလှောင်ကန်သို့ လွှဲပြောင်းပေးပြီး ဖြန်းဆေးအခြောက်ခံခြင်းကို နိုက်ထရိုဂျင်ကာကွယ်သော လေထုထဲတွင် လုပ်ဆောင်ပြီး၊ ဝင်ပေါက်နှင့် ထွက်ပေါက် အပူချိန်မှာ 180 နှင့် 90°C အသီးသီးရှိနေသည်။ ထို့နောက် ကာဗွန်အပေါ်ယံအလွှာ နှစ်မျိုးဖြစ်သော အစိုင်အခဲအဆင့်အပေါ်ယံနှင့် အရည်အဆင့်အပေါ်ယံကို နှိုင်းယှဉ်ခဲ့သည်။ အစိုင်အခဲအဆင့်အပေါ်ယံပိုင်းနည်းလမ်းမှာ- ဖြန်းခြောက်မှုန့်ကို 20% ကတ္တရာမှုန့် (ကိုရီးယားနိုင်ငံထုတ်၊ D50 သည် 5 μm) နှင့် ရောစပ်ပြီး စက်ပိုင်းဆိုင်ရာရောနှောပြီး 10 မိနစ်ကြာ ရောစပ်ပြီး ရောစပ်မှုအမြန်နှုန်းမှာ 2000 r/min ဖြစ်သည်။ pre-coated အမှုန့်။ အရည်အဆင့်အပေါ်ယံပိုင်းနည်းလမ်းမှာ- မှုန်ရေမွှားအခြောက်ခံအမှုန့်ကို တီယန်ကျင်းတွင် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုအဆင့်တွင် ပြုလုပ်သော xylene ဖြေရှင်းချက်သို့ ပေါင်းထည့်ကာ အမှုန့်ထဲတွင် 20% ကတ္တရာပျော်ဝင်ကာ အစိုင်အခဲပါဝင်မှု 55% ဖြင့် လေဟာနယ်ကို အညီအမျှမွှေပေးပါသည်။ 85 ℃ ဖြင့် 4 နာရီကြာ လေဟာနယ်တွင် ဖုတ်ပြီး ရောစပ်ရန်အတွက် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ရောစပ်ထားသော စက်တစ်ခုထဲသို့ ထည့်ကာ ရောစပ်မှုအမြန်နှုန်းမှာ 2000 r/min ဖြစ်ပြီး ရောစပ်ချိန်သည် 10 မိနစ်ဖြစ်သည်။ နောက်ဆုံးတွင်၊ ကြိုတင်ဖုံးအုပ်ထားသောအမှုန့်ကို နိုက်ထရိုဂျင်လေထုအောက်ရှိ rotary မီးဖိုတွင် အပူပေးနှုန်း 5°C/min ဖြင့် calcined ပြုလုပ်ခဲ့ပါသည်။ ၎င်းကို 550 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် 2 နာရီကြာ အဆက်မပြတ် အပူချိန်တွင် ထားရှိပြီးနောက် 800 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ဆက်လက်အပူပေးပြီး 2 နာရီကြာ အဆက်မပြတ် အပူချိန်တွင် ထားရှိကာ 100°C အောက်တွင် သဘာဝအတိုင်း အအေးခံကာ ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ရရှိရန် စွန့်ထုတ်သည်။ ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း။
1.2 လက္ခဏာရေးနည်းလမ်းများ
ပစ္စည်း၏ အမှုန်အမွှားအရွယ်အစား ဖြန့်ဖြူးမှုကို အမှုန်အရွယ်အစား စမ်းသပ်ကိရိယာ (Mastersizer 2000 ဗားရှင်း၊ UK တွင် ပြုလုပ်သည်) ကို အသုံးပြု၍ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခဲ့သည်။ အဆင့်တစ်ခုစီမှရရှိသော အမှုန့်များကို အီလက်ထရွန်အဏုကြည့်မှန်ပြောင်း (Regulus8220၊ Japan တွင်ပြုလုပ်သည်) ဖြင့် စမ်းသပ်ပြီး အမှုန့်များ၏ ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် အရွယ်အစားကို စစ်ဆေးရန်။ ပစ္စည်း၏ အဆင့်ဖွဲ့စည်းပုံအား X-ray အမှုန့် ကွဲပြားမှု ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု (D8 ADVANCE၊ ဂျာမနီနိုင်ငံထုတ်) ဖြင့် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာပြီး ပစ္စည်း၏ ဒြပ်စင်ပါဝင်မှုကို စွမ်းအင် ရောင်စဉ်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုဖြင့် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခဲ့သည်။ ရရှိထားသော ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းကို မော်ဒယ် CR2032 ၏ ကြယ်သီးတစ်ဝက်ဆဲလ်တစ်ခုပြုလုပ်ရန် အသုံးပြုခဲ့ပြီး ဆီလီကွန်-ကာဗွန်၏ထုထည်အချိုးအစား- SP: CNT: CMC: SBR သည် 92:2:2:1.5:2.5 ဖြစ်သည်။ တန်ပြန်လျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် သတ္တုလီသီယမ်စာရွက်ဖြစ်ပြီး၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် စီးပွားဖြစ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်သည် (မော်ဒယ် 1901၊ ကိုရီးယားတွင်ပြုလုပ်သည်)၊ Celgard 2320 diaphragm ကိုအသုံးပြုသည်၊ အားသွင်းမှုနှင့်အထွက်ဗို့အားအကွာအဝေးမှာ 0.005-1.5 V၊ အားသွင်းမှုနှင့်အထွက်လျှပ်စီးကြောင်းမှာ 0.1 C ဖြစ်သည်။ (1C = 1A) နှင့် discharge cut-off current သည် 0.05 C ဖြစ်သည်။
ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထပ်မံစုံစမ်းရန်အတွက်၊ သေးငယ်သော Soft-pack ဘက်ထရီ 408595 ကို ထုပ်ပိုးထားသည်။ အပြုသဘောဆောင်သောလျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် NCM811 (ဟူနန်တွင်ပြုလုပ်သော ဘက်ထရီအဆင့်) ကိုအသုံးပြုပြီး အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းဂရပ်ဖိုက်ကို ဆီလီကွန်-ကာဗွန် 8% ပစ္စည်းဖြင့် ရောထားသည်။ အပြုသဘောဆောင်သောလျှပ်ကူးပစ္စည်း slurry ဖော်မြူလာမှာ 96% NCM811၊ 1.2% polyvinylidene ဖလိုရိုက် (PVDF)၊ 2% လျှပ်ကူးပစ္စည်း SP၊ 0.8% CNT နှင့် NMP ကို စွန့်ထုတ်ပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုပါသည်။ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း slurry ဖော်မြူလာသည် 96% ပေါင်းစပ်အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်း၊ 1.3% CMC၊ 1.5% SBR 1.2% CNT နှင့် ရေကို စွန့်ထုတ်သည့်ပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုသည်။ မွှေခြင်း၊ အပေါ်ယံပိုင်း၊ လှိမ့်ခြင်း၊ ဖြတ်တောက်ခြင်း၊ ထုပ်ပိုးခြင်း၊ တဘ်ဂဟေဆက်ခြင်း၊ ထုပ်ပိုးခြင်း၊ မုန့်ဖုတ်ခြင်း၊ အရည်ထိုးခြင်း၊ ဖွဲ့စည်းခြင်းနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ပိုင်းခွဲပြီးနောက်၊ 408595 ပမာဏရှိသော 3 Ah အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော သေးငယ်သော ပျော့ပျောင်းသောဘက်ထရီများကို ထုပ်ပိုးထားသော အပျော့စား 408595 လုံးအား ပြင်ဆင်ခဲ့ပါသည်။ 0.2C၊ 0.5C၊ 1C၊ 2C နှင့် 3C နှင့် 0.5C charge နှင့် 1C discharge ၏ စက်ဝန်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို စမ်းသပ်ခဲ့သည်။ အားသွင်းခြင်းနှင့် ထုတ်လွှတ်သည့်ဗို့အားအကွာအဝေးမှာ 2.8-4.2 V၊ စဉ်ဆက်မပြတ်လက်ရှိနှင့် အဆက်မပြတ်ဗို့အားအားသွင်းခြင်းဖြစ်ပြီး ဖြတ်တောက်ထားသောလျှပ်စီးကြောင်းမှာ 0.5C ဖြစ်သည်။
2 ရလဒ်များနှင့် ဆွေးနွေးမှု
ကနဦး ဆီလီကွန်မှုန့်ကို အီလက်ထရွန် အဏုစကုပ် (SEM) ဖြင့် လေ့လာတွေ့ရှိခဲ့သည်။ ပုံ 1(a) တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း 2μm အောက်ရှိသော အမှုန်အရွယ်အစားရှိသော ဆီလီကွန်မှုန့်သည် ပုံမှန်မဟုတ်သော အမှုန်အမွှားဖြစ်သည်။ ဘောလုံးကြိတ်ခွဲပြီးနောက်၊ ဆီလီကွန်အမှုန့်၏အရွယ်အစားသည် 100 nm ခန့်အထိ သိသိသာသာလျော့ကျသွားသည် [ပုံ 1(ခ)]။ ဘောလုံးကြိတ်ခွဲပြီးနောက် ဆီလီကွန်မှုန့်၏ D50 သည် 110 nm နှင့် D90 သည် 175 nm ရှိကြောင်း ပြသခဲ့သည်။ ဘောလုံးကြိတ်ခွဲပြီးနောက် ဆီလီကွန်အမှုန့်၏ ပုံသဏ္ဍာန်ကို ဂရုတစိုက်စစ်ဆေးခြင်းသည် မမြဲသောဖွဲ့စည်းပုံကိုပြသသည် (မမြဲသောဖွဲ့စည်းပုံကို နောက်ပိုင်းတွင် အပိုင်းဖြတ်ပိုင်း SEM မှ ထပ်မံစစ်ဆေးပါမည်)။ ထို့ကြောင့်၊ အမှုန်အရွယ်အစားစမ်းသပ်မှုမှရရှိသော D90 ဒေတာသည် နာနိုစာရွက်၏အရှည်ဖြစ်သင့်သည်။ SEM ရလဒ်များနှင့်အတူ ပေါင်းစပ်ရရှိသော နာနိုစာရွက်၏ အရွယ်အစားသည် အားသွင်းစဉ် အနည်းဆုံးအတိုင်းအတာတစ်ခုအတွင်း ဆီလီကွန်မှုန့်ကွဲအက်ခြင်း၏ 150 nm ၏ အရေးကြီးသောတန်ဖိုးထက် သေးငယ်ကြောင်း ဆုံးဖြတ်နိုင်သည်။ မမြဲသောပုံသဏ္ဍာန်၏ဖွဲ့စည်းပုံမှာ အဓိကအားဖြင့် ပုံဆောင်ခဲများတွင် ဆီလီကွန်လေယာဉ်များ၏ မတူညီသော ကွဲထွက်နေသော စွမ်းအင်များကြောင့်ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းတို့အနက် ဆီလီကွန်၏ {111} လေယာဉ်သည် {100} နှင့် {110} ပုံဆောင်ခဲလေယာဉ်များထက် ကွဲထွက်သွားသော စွမ်းအင်ရှိသည်။ ထို့ကြောင့် ဤပုံဆောင်ခဲလေယာဉ်သည် ဘောလုံးကြိတ်ခြင်းဖြင့် ပိုမိုပါးလွှာလာပြီး နောက်ဆုံးတွင် မမြဲသောဖွဲ့စည်းပုံဖြစ်လာသည်။ မမြဲသောဖွဲ့စည်းပုံသည် လျော့ရဲသောဖွဲ့စည်းပုံများစုဆောင်းရန်၊ ဆီလီကွန်၏ထုထည်ချဲ့ထွင်ရန်အတွက် နေရာလွတ်ကို သိမ်းဆည်းထားပြီး ပစ္စည်း၏တည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်စေသည်။
နာနို-ဆီလီကွန်၊ CNT နှင့် ဂရပ်ဖိုက်များပါရှိသော slurry ကို ဖျန်းပြီး အမှုန့်ကို မဖြန်းခင်နှင့် အပြီးတွင် SEM မှ စစ်ဆေးပါသည်။ ရလဒ်များကို ပုံ 2 တွင်ပြသထားသည်။ မဖြန်းမီထည့်သွင်းထားသော ဂရပ်ဖိုက်မက်ထရစ်သည် 5 မှ 20 μm အရွယ်အစားရှိသော ပုံမှန်အပေါက်များဖြစ်သည် [ပုံ 2(က)]။ ဂရပ်ဖိုက်၏ အမှုန်အမွှားအရွယ်အစား ဖြန့်ဖြူးမှုစမ်းသပ်မှုတွင် D50 သည် 15μm ဖြစ်ကြောင်းပြသသည်။ ဖြန်းပြီးနောက်ရရှိသောအမှုန့်သည် စက်လုံးပုံသဏ္ဍာန် [ပုံ 2(ခ)] ရှိပြီး၊ ဖြန်းပြီးနောက် အပေါ်ယံအလွှာဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်ကို ဖုံးအုပ်ထားကြောင်း တွေ့မြင်နိုင်သည်။ ဖြန်းပြီးနောက်အမှုန့်၏ D50 သည် 26.2 μmဖြစ်သည်။ ဆင့်ပွားအမှုန်များ၏ ပုံသဏ္ဍာန်လက္ခဏာများကို SEM မှလေ့လာတွေ့ရှိခဲ့ပြီး၊ nanomaterials များဖြင့်စုပြုံထားသော လျော့ရဲသောအပေါက်များဖွဲ့စည်းပုံသွင်ပြင်လက္ခဏာများပြသသည် [ပုံ 2(ဂ)]။ အပေါက်များသောဖွဲ့စည်းပုံသည် တစ်ခုနှင့်တစ်ခု ရောယှက်နေသော ဆီလီကွန်နာနိုစာရွက်များနှင့် CNTs များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး [ပုံ 2(d)] နှင့် စမ်းသပ်မှုဆိုင်ရာ မျက်နှာပြင်ဧရိယာ (BET) သည် 53.3 m2/g အထိ မြင့်မားသည်။ ထို့ကြောင့်၊ ပက်ဖြန်းပြီးနောက်၊ ဆီလီကွန်နာနိုစာရွက်များနှင့် CNTs များသည် ပေါက်ရောက်သောဖွဲ့စည်းပုံတစ်ခုအဖြစ် ကိုယ်တိုင်စုဝေးကြသည်။
ပေါက်ရောက်သောအလွှာကို အရည်ကာဗွန်အပေါ်ယံပိုင်းဖြင့် ကုသခဲ့ပြီး၊ ကာဗွန်အပေါ်ယံအလွှာကို ရှေ့ပြေးနိမိတ်အဖြစ် ထည့်သွင်းပြီးနောက်၊ SEM စူးစမ်းမှုကို လုပ်ဆောင်ခဲ့သည်။ ရလဒ်များကို ပုံ 3 တွင် ပြထားသည်။ ကာဗွန်အကြို coating ပြုလုပ်ပြီးနောက်၊ ဒုတိယအမှုန်များ၏ မျက်နှာပြင်သည် သိသာထင်ရှားသော coating အလွှာတစ်ခုဖြင့် ချောမွေ့လာပြီး ပုံ 3(a) နှင့် (b) တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း မျက်နှာပြင်သည် ပြီးပြည့်စုံပါသည်။ ကာဗွန်ထုတ်ခြင်းပြီးနောက်၊ မျက်နှာပြင်အပေါ်ယံအလွှာသည် ကောင်းမွန်သောအပေါ်ယံပိုင်းအခြေအနေကို ထိန်းသိမ်းထားသည် [ပုံ 3(ဂ)]။ ထို့အပြင်၊ အပိုင်းဖြတ်ပိုင်း SEM ရုပ်ပုံတွင် ဘောလုံးကြိတ်ခြင်းပြီးနောက် ဆီလီကွန်နာနိုစာရွက်များဖွဲ့စည်းခြင်းကို ထပ်မံအတည်ပြုပေးသည့် နာနိုစာရွက်များ၏ ရုပ်ပုံသဏ္ဍာန်လက္ခဏာများနှင့် ကိုက်ညီသည့် ချွတ်ပုံသဏ္ဍာန် နာနိုအမှုန်များ [ပုံ 3(ဃ)] ကို ပြသထားသည်။ ထို့အပြင်၊ ပုံ 3(ဃ) သည် အချို့သော nanosheet များကြားတွင် ဖြည့်စွက်စာများ ရှိနေကြောင်း ပြသသည်။ ယင်းသည် အဓိကအားဖြင့် အရည်အဆင့်အပေါ်ယံပိုင်းနည်းလမ်းကို အသုံးပြုခြင်းကြောင့်ဖြစ်သည်။ ကတ္တရာရည်သည် ပစ္စည်းအတွင်းသို့ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်မည်ဖြစ်ပြီး၊ သို့မှသာ အတွင်းဆီလီကွန် nano sheets များ၏ မျက်နှာပြင်သည် ကာဗွန်အပေါ်ယံအကာအကွယ်အလွှာကို ရရှိမည်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် အရည်အဆင့်အပေါ်ယံလွှာကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် ဒုတိယအမှုန်အပေါ်ယံပိုင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုကိုရရှိစေသည့်အပြင် မူလအမှုန်အပေါ်ယံပိုင်း၏နှစ်ထပ်သောကာဗွန်အပေါ်ယံအကျိုးသက်ရောက်မှုကိုလည်းရရှိနိုင်ပါသည်။ ကာဗွန်ဒိုင်းရှင်းအမှုန့်ကို BET မှ စမ်းသပ်ခဲ့ပြီး စမ်းသပ်မှုရလဒ်မှာ 22.3 m2/g ဖြစ်သည်။
ကာဗွန်ဒိုင်းရှင်းအမှုန့်ကို ကဏ္ဍခွဲစွမ်းအင်ဆိုင်ရာ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု (EDS) တွင် ထားရှိထားပြီး ရလဒ်များကို ပုံ 4(က) တွင် ပြထားသည်။ မိုက်ခရိုအရွယ် core သည် ဂရပ်ဖိုက်မက်ထရစ်နှင့် သက်ဆိုင်ပြီး အပြင်ဘက်တွင် ဆီလီကွန်နှင့် အောက်ဆီဂျင်ပါရှိသည်။ ဆီလီကွန်ဖွဲ့စည်းပုံကို ထပ်မံစုံစမ်းရန်၊ X-ray diffraction (XRD) စမ်းသပ်မှုကို ပြုလုပ်ခဲ့ပြီး ရလဒ်များကို ပုံ 4(ခ) တွင် ပြထားသည်။ ပစ္စည်းသည် အဓိကအားဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ဖော်ရိုင်လီကွန်တစ်ခုတည်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး သိသာထင်ရှားသော ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ် လက္ခဏာများ မပါရှိသောကြောင့် စွမ်းအင် ရောင်စဉ်စမ်းသပ်မှု၏ အောက်ဆီဂျင်အစိတ်အပိုင်းသည် အဓိကအားဖြင့် ဆီလီကွန်မျက်နှာပြင်၏ သဘာဝဓာတ်တိုးမှုမှ လာကြောင်း ညွှန်ပြပါသည်။ ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းကို S1 အဖြစ် မှတ်တမ်းတင်ထားသည်။
ပြင်ဆင်ထားသော ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်း S1 ကို ခလုတ်-အမျိုးအစား ဆဲလ်ဝက်ထုတ်လုပ်မှုနှင့် အားသွင်း-ထုတ်လွှတ်မှု စမ်းသပ်မှုများ ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ ပထမအကြိမ်အားသွင်း-ထုတ်လွှတ်မှုမျဉ်းကွေးကို ပုံ 5 တွင်ပြသထားသည်။ နောက်ပြန်လှည့်နိုင်သော သီးခြားစွမ်းရည်မှာ 1000.8 mAh/g ဖြစ်ပြီး၊ ပထမစက်ဝန်းထိရောက်မှုမှာ 93.9% အထိ မြင့်မားပါသည်။ စာပေတွင် ဖော်ပြခဲ့သည်။ မြင့်မားသောပထမစွမ်းဆောင်ရည်သည် ပြင်ဆင်ထားသော ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းသည် မြင့်မားသောတည်ငြိမ်မှုရှိကြောင်း ညွှန်ပြသည်။ ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်းများ၏ တည်ငြိမ်မှုအပေါ် စိမ့်ဝင်သောဖွဲ့စည်းပုံ၊ လျှပ်ကူးကွန်ရက်နှင့် ကာဗွန်အပေါ်ယံပိုင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုများကို စစ်ဆေးရန်အတွက် ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်းများကို CNT မထည့်ဘဲနှင့် မူလကာဗွန်အပေါ်ယံပိုင်းမပါဘဲ အမျိုးအစားနှစ်မျိုးကို ပြင်ဆင်ခဲ့သည်။
CNT မထည့်ဘဲ ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း၏ ကာဗွန်ဒိုင်းရှင်းအမှုန့်၏ ပုံသဏ္ဍာန်ကို ပုံ 6 တွင် ပြထားသည်။ အရည်အဆင့်အပေါ်ယံပိုင်းနှင့် ကာဗွန်ထုတ်ခြင်းပြီးနောက်၊ ပုံ 6(က) ရှိ ဒုတိယအမှုန်များ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အပေါ်ယံအလွှာကို ရှင်းရှင်းလင်းလင်းမြင်ရနိုင်သည်။ ကာဗွန်ဒိုင်းရှင်းပစ္စည်း၏ အပိုင်းဖြတ်ပိုင်း SEM ကို ပုံ 6(ခ) တွင် ပြထားသည်။ ဆီလီကွန်နာနိုစာရွက်များကို ပေါင်းတင်ခြင်းသည် ချွေးပေါက်လက္ခဏာများရှိပြီး BET စမ်းသပ်မှုသည် 16.6 m2/g ဖြစ်သည်။ သို့ရာတွင်၊ CNT နှင့် ဖြစ်ရပ်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက [ပုံ 3(ဃ) တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း) ၎င်း၏ ကာဗွန်ဒိုင်းရှင်းအမှုန့်၏ BET စမ်းသပ်မှုသည် 22.3 m2/g]၊ အတွင်းပိုင်း နာနိုဆီလီကွန် stacking သိပ်သည်းဆသည် ပိုမိုမြင့်မားသည်၊၊ CNT ပေါင်းထည့်မှုကို မြှင့်တင်နိုင်သည်ကို ညွှန်ပြပါသည်။ porous ဖွဲ့စည်းပုံ၏ဖွဲ့စည်းခြင်း။ ထို့အပြင်၊ ပစ္စည်းတွင် CNT မှတည်ဆောက်ထားသော သုံးဖက်မြင်လျှပ်ကူးကွန်ရက် မရှိပါ။ ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းကို S2 အဖြစ် မှတ်တမ်းတင်ထားသည်။
အစိုင်အခဲအဆင့် ကာဗွန် coating ဖြင့်ပြင်ဆင်ထားသော ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း၏ ပုံသဏ္ဍာန်လက္ခဏာများကို ပုံ 7 တွင်ပြသထားသည်။ ကာဗွန်ထုတ်ပြီးနောက်၊ ပုံ 7(က) တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် သိသာထင်ရှားသော coating အလွှာတစ်ခုရှိသည်။ ပုံ 7(ခ) သည် နာနိုစာရွက်များ၏ ပုံသဏ္ဍာန်လက္ခဏာများနှင့် ကိုက်ညီသော ဖြတ်ပိုင်းအတွင်း ကန့်လန့်ဖြတ်ပုံသဏ္ဍာန်ရှိသော နာနိုအမှုန်များရှိကြောင်း ပြသသည်။ nano sheets များစုပုံခြင်းသည် porous structure ကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ အစိုင်အခဲအဆင့် ကာဗွန် coating သည် အတွင်းပိုင်းနာနိုစာရွက်များ၏ မျက်နှာပြင်တွင် သိသာထင်ရှားသော အဖြည့်ခံအလွှာတစ်ခုမျှ မရှိဘဲ၊ အစိုင်အခဲ-အဆင့် ကာဗွန်အပေါ်ယံလွှာသည် ပေါက်ရောက်သောဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ကာဗွန်အပေါ်ယံလွှာကိုသာ ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ဆီလီကွန်နာနိုစာရွက်များအတွက် အတွင်းပိုင်းအပေါ်ယံအလွှာလည်း မရှိပါ။ ဤဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းကို S3 အဖြစ် မှတ်တမ်းတင်ထားသည်။
ခလုတ်အမျိုးအစား ဆဲလ်တစ်ဝက်အားသွင်းခြင်းနှင့် ထုတ်လွှတ်ခြင်းစမ်းသပ်မှုကို S2 နှင့် S3 တွင် ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ S2 ၏ တိကျသောစွမ်းရည်နှင့် ပထမစွမ်းဆောင်ရည်မှာ 1120.2 mAh/g နှင့် 84.8% အသီးသီးရှိပြီး S3 ၏ သီးခြားစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ပထမစွမ်းဆောင်ရည်မှာ 882.5 mAh/g နှင့် 82.9% အသီးသီးရှိသည်။ အစိုင်အခဲ-အဆင့် coated S3 နမူနာ၏ တိကျသောစွမ်းရည်နှင့် ပထမထိရောက်မှုမှာ အနိမ့်ဆုံးဖြစ်ပြီး၊ ပေါက်ရောက်သောဖွဲ့စည်းပုံ၏ကာဗွန်အပေါ်ယံပိုင်းကိုသာ လုပ်ဆောင်ခဲ့ကြောင်း ညွှန်ပြပြီး အတွင်းပိုင်းဆီလီကွန်နာနိုစာရွက်များ၏ကာဗွန်အပေါ်ယံပိုင်းကို အပြည့်အ၀မကစားနိုင်ပါ။ ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်း၏ သီးခြားစွမ်းရည်နှင့် ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်ကို မကာကွယ်နိုင်ပါ။ CNT မပါသော S2 နမူနာ၏ ပထမဆုံး ထိရောက်မှုသည် CNT ပါရှိသော ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းထက် နိမ့်သည်၊၊ ကောင်းမွန်သောအပေါ်ယံပိုင်းအလွှာကို အခြေခံ၍ လျှပ်ကူးနိုင်သော ကွန်ရက်နှင့် ပိုမိုသော အပေါက်များဖွဲ့စည်းပုံသည် တိုးတက်မှုအတွက် အထောက်အကူဖြစ်စေကြောင်း ဖော်ပြသည်။ ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်း၏ အားသွင်းမှုနှင့် ထုတ်လွှတ်မှု ထိရောက်မှု။
S1 ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်းအား နှုန်းစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် စက်ဝန်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို စစ်ဆေးရန် သေးငယ်သော Soft-pack အပြည့် ဘက်ထရီကို ပြုလုပ်ရန် အသုံးပြုခဲ့သည်။ ထုတ်လွှတ်နှုန်းမျဉ်းကွေးကို ပုံ 8(a) တွင် ပြထားသည်။ 0.2C၊ 0.5C၊ 1C၊ 2C နှင့် 3C တို့သည် 2.970၊ 2.999၊ 2.920၊ 2.176 နှင့် 1.021 Ah အသီးသီးဖြစ်သည်။ 1C စွန့်ထုတ်နှုန်းသည် 98.3% အထိ မြင့်မားသော်လည်း 2C စွန့်ထုတ်နှုန်းသည် 73.3% သို့ ကျဆင်းသွားပြီး 3C စွန့်ထုတ်နှုန်းသည် 34.4% သို့ ထပ်မံကျဆင်းသွားသည်။ ဆီလီကွန်အနှုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းလဲလှယ်မှုအဖွဲ့တွင်ပါဝင်ရန်၊ ကျေးဇူးပြု၍ WeChat-shimobang ကိုထည့်ပါ။ အားသွင်းနှုန်းသတ်မှတ်ချက်အရ 0.2C၊ 0.5C၊ 1C၊ 2C နှင့် 3C အားသွင်းစွမ်းရည်မှာ 3.186၊ 3.182၊ 3.081၊ 2.686 နှင့် 2.289 Ah အသီးသီးဖြစ်သည်။ 1C အားသွင်းနှုန်းသည် 96.7% ရှိပြီး 2C အားသွင်းနှုန်းမှာ 84.3% ရှိပါသည်။ သို့သော်၊ ပုံ 8(b) ရှိ အားသွင်းမျဉ်းကွေးကို မှတ်သားထားသည်) 2C အားသွင်းပလပ်ဖောင်းသည် 1C အားသွင်းပလပ်ဖောင်းထက် သိသိသာသာကြီးမားပြီး ၎င်း၏အဆက်မပြတ်ဗို့အားအားသွင်းနိုင်မှုပမာဏသည် အများဆုံး (55%) ဖြစ်သည်၊ 2C အားပြန်သွင်းနိုင်သောဘက်ထရီ၏ polarization ဖြစ်သည်ကို ညွှန်ပြပါသည်။ အရမ်းကြီးနေပြီ။ ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်းသည် 1C တွင် အားသွင်းခြင်းနှင့် အားသွင်းခြင်းစွမ်းဆောင်ရည် ကောင်းမွန်သော်လည်း စွမ်းဆောင်ရည်ပိုမိုမြင့်မားစေရန်အတွက် ပစ္စည်း၏ဖွဲ့စည်းပုံသွင်ပြင်လက္ခဏာများကို ပိုမိုမြှင့်တင်ရန်လိုအပ်ပါသည်။ ပုံ 9 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း 450 လည်ပတ်ပြီးနောက်၊ စွမ်းဆောင်ရည်ထိန်းသိမ်းမှုနှုန်းသည် 78% ရှိပြီး ကောင်းမွန်သောလည်ပတ်မှုကိုပြသသည်။
စက်ဝိုင်းမတိုင်မှီနှင့် ပြီးနောက် လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်အခြေအနေကို SEM မှ စုံစမ်းစစ်ဆေးခဲ့ပြီး ရလဒ်များကို ပုံ 10 တွင်ပြသထားသည်။ လည်ပတ်မှုမတိုင်မီ၊ ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်သည် ရှင်းလင်းနေသည် [ပုံ 10(က)]; လည်ပတ်ပြီးနောက်၊ အထူ SEI ဖလင်ဖြစ်သည့် [ပုံ 10(b)] မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အပေါ်ယံအလွှာတစ်ခု သိသိသာသာ ထုတ်ပေးပါသည်။ SEI ဖလင်ကြမ်းမှု တက်ကြွသော လီသီယမ်သုံးစွဲမှုသည် မြင့်မားသည်၊ ၎င်းသည် စက်ဝန်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို အထောက်အကူမပြုပါ။ ထို့ကြောင့်၊ ချောမွေ့သော SEI ဖလင် (ဥပမာ SEI ဖလင်အတု တည်ဆောက်မှု၊ သင့်လျော်သော အီလက်ထရောနစ် ပေါင်းထည့်ခြင်း စသည်) ကဲ့သို့သော ချောမွေ့သော SEI ဖလင်ကို မြှင့်တင်ခြင်းဖြင့် လည်ပတ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ပါသည်။ စက်ဝန်းပြီးနောက် ဆီလီကွန်-ကာဗွန်အမှုန်များ၏ အပိုင်းဖြတ်ပိုင်း SEM လေ့လာတွေ့ရှိမှု [ပုံ 10(ဂ)] သည် မူလအမြှောင်းပုံသဏ္ဍာန် ဆီလီကွန်နာနိုအမှုန်များ ပိုမိုကြမ်းလာပြီး အခြေခံအားဖြင့် ချွေးပေါက်များကို ဖယ်ရှားလိုက်ကြောင်း ပြသသည်။ ၎င်းသည် စက်ဝန်းအတွင်း ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်း၏ ဆက်တိုက်ထုထည်ချဲ့ထွင်မှုနှင့် ကျုံ့သွားခြင်းကြောင့်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်း၏ ထုထည်ချဲ့ထွင်မှုအတွက် လုံလောက်သော ကြားခံနေရာရရှိရန် porous structure ကို ထပ်မံမြှင့်တင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။
3 နိဂုံး
ထုထည်ချဲ့ထွင်မှု၊ လျှပ်ကူးနိုင်မှု ညံ့ဖျင်းမှုနှင့် ဆီလီကွန်အခြေခံ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းတို့၏ မျက်နှာပြင် တည်ငြိမ်မှု ညံ့ဖျင်းမှုအပေါ် အခြေခံ၍ ဤစာတမ်းသည် ဆီလီကွန် nano sheets များ၏ ပုံသဏ္ဍာန်ပုံသဏ္ဍာန်၊ ပေါက်ရောက်သော ဖွဲ့စည်းပုံတည်ဆောက်မှု၊ လျှပ်ကူးနိုင်သော ကွန်ရက်တည်ဆောက်မှုနှင့် ဒုတိယအမှုန်တစ်ခုလုံး၏ ကာဗွန်အပေါ်ယံပိုင်း ပြီးပြည့်စုံသော ကာဗွန်အပေါ်ယံပိုင်းမှ ပစ်မှတ်ထားသော တိုးတက်မှုများကို ပြုလုပ်ပေးပါသည်။ ဆီလီကွန်အခြေခံ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း တစ်ခုလုံး၏ တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ရန်။ ဆီလီကွန် nano sheets များစုပုံခြင်းသည် porous structure ကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်။ CNT ၏နိဒါန်းသည် porous structure ၏ဖွဲ့စည်းမှုကိုပိုမိုမြှင့်တင်ပေးလိမ့်မည်။ စီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းသည် အစိုင်အခဲအဆင့်အပေါ်ယံပိုင်းဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသည်ထက် ကာဗွန်အပေါ်ယံပိုင်းကို နှစ်ဆအကျိုးသက်ရောက်မှုရှိပြီး တိကျသောစွမ်းရည်နှင့် ပထမထိရောက်မှုကို ပြသသည်။ ထို့အပြင်၊ CNT ပါ၀င်သော ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း၏ ပထမစွမ်းဆောင်ရည်သည် CNT မပါရှိဘဲ၊ ၎င်းသည် အဓိကအားဖြင့် ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏ ထုထည်ချဲ့ထွင်မှုကို သက်သာစေရန် porous structure ၏မြင့်မားသောဒီဂရီကြောင့်ဖြစ်သည်။ CNT ၏နိဒါန်းသည် သုံးဖက်မြင်လျှပ်ကူးကွန်ရက်ကိုတည်ဆောက်မည်ဖြစ်ပြီး၊ ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏စီးကူးနိုင်မှုကိုတိုးတက်စေမည်ဖြစ်ပြီး 1C တွင် ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ပြသမည်ဖြစ်သည်။ နှင့် ပစ္စည်းသည် ကောင်းမွန်သော လည်ပတ်မှုကို ပြသသည်။ သို့သော်၊ ဆီလီကွန်၏ထုထည်ချဲ့ထွင်မှုအတွက် လုံလောက်သော ကြားခံနေရာရရှိရန် နှင့် ချောမွေ့သောဖွဲ့စည်းမှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ပစ္စည်း၏ ပေါက်ရောက်သောဖွဲ့စည်းပုံသည် ပိုမိုခိုင်မာရန်လိုအပ်ပါသည်။ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း၏ စက်ဝန်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုတိုးတက်စေရန်အတွက် သိပ်သည်းသော SEI ဖလင်။
ကျွန်ုပ်တို့သည် ဓာတ်တိုးခြင်း၊ ပျံ့နှံ့ခြင်းနှင့် နှမ်းစားခြင်းကဲ့သို့ wafer လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည့် သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ဆီလီကွန်ကာဘိုင် ထုတ်ကုန်များကိုလည်း ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
နောက်ထပ်ဆွေးနွေးမှုတစ်ခုအတွက် ကျွန်ုပ်တို့ထံလာရောက်လည်ပတ်ရန် ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းမှ မည်သည့်ဖောက်သည်မဆို ကြိုဆိုပါသည်။
https://www.vet-china.com/
တင်ချိန်- နိုဝင်ဘာ ၁၃-၂၀၂၄