ဓါတ်ပြုခြင်း-sintered ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် အရေးကြီးသော အပူချိန်မြင့်ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး မြင့်မားသောခိုင်ခံ့မှု၊ မာကျောမှု၊ ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်မြင့်မားမှု၊ သံချေးတက်မှုနှင့် ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှုမြင့်မားသော ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် အခြားအလွန်ကောင်းမွန်သော ဂုဏ်သတ္တိများပါရှိသော စက်ပစ္စည်း၊ အာကာသယာဉ်၊ ဓာတုစက်မှုလုပ်ငန်း၊ စွမ်းအင်နှင့် အခြားအရာများတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်။ လယ်ကွင်းများ။
1. ကုန်ကြမ်းပြင်ဆင်မှု
ဓာတ်ပြု sintering silicon carbide ၏ ပြင်ဆင်မှု ကုန်ကြမ်းများသည် အဓိကအားဖြင့် ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်မှုန့်များဖြစ်ပြီး ကာဗွန်ပါ၀င်သော ကာဗွန်ပါ၀င်သော အရာများဖြစ်သော coke, graphite, charcoal စသည်တို့ကို coke, charcoal စသည်တို့ဖြင့် အသုံးပြုနိုင်ပြီး ဆီလီကွန်မှုန့်ကို များသောအားဖြင့် အမှုန်အမွှားဖြင့် ရွေးချယ်ပါသည်။ 1-5μm မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောဆီလီကွန်မှုန့်အရွယ်အစား။ ပထမဦးစွာ၊ ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်မှုန့်ကို အချိုးအစားအလိုက် ရောစပ်ပြီး သင့်လျော်သော binder နှင့် flow agent ပမာဏကို ပေါင်းထည့်ကာ အညီအမျှ မွှေပေးပါ။ ထို့နောက် အမှုန်အမွှားအရွယ်အစား 1μm ထက်နည်းသည့်တိုင်အောင် တစ်ပြေးညီ ရောစပ်ပြီး ကြိတ်ရန်အတွက် ဘောလုံးကြိတ်စက်ထဲသို့ အရောအနှောကို ပေါင်းထည့်ပါ။
2. ပုံသွင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်
ပုံသွင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ထုတ်လုပ်မှုတွင် အဓိကခြေလှမ်းများထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။ အသုံးများသော ပုံသွင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များမှာ နှိပ်ပုံသွင်းခြင်း၊ grouting molding နှင့် static molding တို့ဖြစ်သည်။ Press forming ဆိုသည်မှာ အရောအနှောကို မှိုထဲသို့ထည့်ကာ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိအားဖြင့် ဖွဲ့စည်းခြင်းဖြစ်သည်။ Grouting molding ဆိုသည်မှာ အရောအနှောကို ရေ (သို့) အော်ဂဲနစ် အရောအနှော နှင့် ရောစပ်ခြင်း၊ လေဟာနယ် အခြေအနေအောက်တွင် ဆေးပြွတ်မှတဆင့် မှိုထဲသို့ ထိုးသွင်းခြင်း နှင့် ရပ်ပြီးနောက် ပြီးသော ထုတ်ကုန်ကို ပုံဖော်ခြင်း ကို ရည်ညွှန်းသည်။ Static Pressure molding သည် ပုံမှန်အားဖြင့် 20-30MPa ဖိအားဖြင့် လေဟာနယ် သို့မဟုတ် လေထု၏ အကာအကွယ်အောက်တွင် မှိုထဲသို့ အရောအနှောကို ရည်ညွှန်းသည်။
3. Sintering လုပ်ငန်းစဉ်
Sintering သည် တုံ့ပြန်မှု-sintered ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အဓိကခြေလှမ်းဖြစ်သည်။ Sintering temperature၊ sintering time၊ sintering လေထုနှင့် အခြားအချက်များသည် တုံ့ပြန်မှု-sintered silicon carbide ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို သက်ရောက်မှုရှိသည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်၊ ဓာတ်ပြုမှု sintering ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ sintering temperature သည် 2000-2400 ℃ အကြားဖြစ်ပြီး၊ sintering time သည် ယေဘူယျအားဖြင့် 1-3 နာရီဖြစ်ပြီး၊ sintering လေထုသည် များသောအားဖြင့် အာဂွန်၊ နိုက်ထရိုဂျင်စသည့် ညံ့ဖျင်းသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲများဖွဲ့စည်းရန် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တုံ့ပြန်မှုတစ်ခုသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲများကို သန့်စင်နေစဉ်အတွင်း၊ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ကာဗွန်သည်လည်း ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ သိပ်သည်းဆနှင့် ဂုဏ်သတ္တိများကို ထိခိုက်စေမည့် CO နှင့် CO2 ကဲ့သို့သော ဓာတ်ငွေ့များကို ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် လေထုအတွင်းရှိ ဓာတ်ငွေ့များနှင့် တုံ့ပြန်မည်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ သင့်လျော်သော sintering လေထုနှင့် sintering အချိန်ကို ထိန်းသိမ်းထားရန် တုံ့ပြန်မှု-sintered silicon carbide ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။
4. ကုသမှုလွန်လုပ်ငန်းစဉ်
ဓါတ်ပြုခြင်း-sintered ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ထုတ်လုပ်ပြီးနောက် ကုသမှုလွန်လုပ်ငန်းစဉ် လိုအပ်သည်။ အဖြစ်များသော ကုသမှုလွန်လုပ်ငန်းစဉ်များမှာ စက်၊ ကြိတ်ခြင်း၊ ပွတ်တိုက်ခြင်း၊ ဓာတ်တိုးခြင်း စသည်တို့ဖြစ်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်များသည် တုံ့ပြန်မှု-sintered ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ တိကျမှုနှင့် မျက်နှာပြင်အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ၎င်းတို့အနက်၊ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ပွတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် ဆီလီကွန်ကာဘိုဒ် မျက်နှာပြင်၏ ချောမွေ့မှုနှင့် ချောမွေ့မှုကို မြှင့်တင်ပေးသည့် သာမာန်လုပ်ဆောင်မှုနည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ Oxidation လုပ်ငန်းစဉ်သည် ဓါတ်ပြုခြင်း-sintered silicon carbide ၏ ဓာတ်တိုးမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ဓာတုဗေဒ တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ရန် အောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ဖွဲ့စည်းနိုင်သည်။
အတိုချုပ်အားဖြင့်၊ ဓာတ်ပြုမှု sintering silicon carbide ထုတ်လုပ်မှုသည် ရှုပ်ထွေးသော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်ပြီး ကုန်ကြမ်းပြင်ဆင်မှု၊ ပုံသွင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ sintering လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ကုသမှုလွန်လုပ်ငန်းစဉ်များအပါအဝင် နည်းပညာများနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်များစွာကို ကျွမ်းကျင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ဤနည်းပညာများနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်များကို ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် ကျွမ်းကျွမ်းကျင်ကျင်လုပ်မှသာလျှင် အသုံးချနယ်ပယ်အသီးသီး၏ လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးရန်အတွက် အရည်အသွေးမြင့် တုံ့ပြန်မှု-ဆေးကြောထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းများကို ထုတ်လုပ်နိုင်မည်ဖြစ်သည်။
တင်ချိန်- ဇူလိုင်- ၀၆-၂၀၂၃