လေဆာနည်းပညာသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာကို အပြောင်းအလဲလုပ်ခြင်းနည်းပညာကို အသွင်ပြောင်းစေပါသည်။

1. ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာအပြောင်းအလဲနဲ့နည်းပညာ

ယခုလက်ရှိဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ လုပ်ဆောင်ခြင်း အဆင့်များ ပါဝင်သည်- အပြင်စက်ဝိုင်းကို ကြိတ်ခွဲခြင်း၊ လှီးဖြတ်ခြင်း၊ ချမ်ဖာခြင်း၊ ကြိတ်ခြင်း၊ ပွတ်တိုက်ခြင်း၊ သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်း စသည်ဖြင့် လှီးဖြတ်ခြင်းသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အလွှာလုပ်ငန်း လုပ်ဆောင်ခြင်းတွင် အရေးကြီးသော အဆင့်တစ်ခုဖြစ်ပြီး ingot ကို အလွှာအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲရာတွင် အဓိက အဆင့်ဖြစ်သည်။ လက်ရှိတွင် ဖြတ်တောက်ခြင်း ဖြစ်သည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာအဓိကအားဖြင့် ဝါယာကြိုးဖြတ်ခြင်း ဖြစ်သည်။ Multi-wire slurry cutting သည် လက်ရှိတွင် အကောင်းဆုံး ဝါယာကြိုးဖြတ်ခြင်းနည်းလမ်းဖြစ်သည်၊ သို့သော် ဖြတ်တောက်ခြင်း အရည်အသွေး ညံ့ဖျင်းခြင်းနှင့် ကြီးမားသော ဖြတ်တောက်ခြင်းဆိုင်ရာ ပြဿနာများ ရှိနေဆဲဖြစ်သည်။ ဝါယာကြိုးဖြတ်တောက်ခြင်း ဆုံးရှုံးမှုသည် ခံနိုင်ရည်မရှိသော အလွှာအရွယ်အစား တိုးလာသဖြင့် တိုးလာလိမ့်မည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာထုတ်လုပ်သူသည် ကုန်ကျစရိတ် လျှော့ချရေးနှင့် စွမ်းဆောင်ရည် မြှင့်တင်မှု အောင်မြင်ရန်။ ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၈ လက်မ စီလီကွန်ကာဗိုက် အလွှာဝါယာကြိုးဖြတ်ခြင်းဖြင့်ရရှိသော အလွှာ၏ မျက်နှာပြင်ပုံသဏ္ဍာန်သည် ညံ့ဖျင်းပြီး WARP နှင့် BOW ကဲ့သို့သော ဂဏန်းသွင်ပြင်လက္ခဏာများမှာ မကောင်းပါ။

Slicing သည် semiconductor substrate ထုတ်လုပ်မှုတွင် အဓိကကျသော အဆင့်တစ်ခုဖြစ်သည်။ စက်မှုလုပ်ငန်းသည် စိန်ဝိုင်ယာဖြတ်တောက်ခြင်းနှင့် လေဆာထုတ်ယူခြင်းကဲ့သို့သော ဖြတ်တောက်ခြင်းနည်းလမ်းသစ်များကို အဆက်မပြတ်ကြိုးစားနေပါသည်။ လေဆာဖြတ်ခြင်းနည်းပညာကို မကြာသေးမီက အလွန်ရှာဖွေခဲ့သည်။ ဤနည်းပညာကို နိဒါန်းပျိုးခြင်းသည် ဖြတ်တောက်ခြင်း ဆုံးရှုံးမှုကို လျော့နည်းစေပြီး နည်းပညာဆိုင်ရာ နိယာမမှ ဖြတ်တောက်ခြင်း ထိရောက်မှုကို တိုးတက်စေသည်။ လေဆာဖယ်ရှားခြင်းဖြေရှင်းချက်သည် အလိုအလျောက်စနစ်အဆင့်အတွက် မြင့်မားသောလိုအပ်ချက်များရှိပြီး ၎င်းနှင့်ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်ရန် ပါးလွှာသောနည်းပညာလိုအပ်သည်၊ ၎င်းသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာလုပ်ဆောင်ခြင်း၏အနာဂတ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းညွှန်ချက်နှင့်အညီ၊ သမားရိုးကျ မော်တာဝါယာကြိုးဖြတ်တောက်ခြင်း၏ အချပ်အထွက်နှုန်းမှာ ယေဘုယျအားဖြင့် 1.5-1.6 ဖြစ်သည်။ လေဆာထုတ်ယူခြင်းနည်းပညာကို မိတ်ဆက်ခြင်းသည် အချပ်အထွက်နှုန်းကို 2.0 ခန့်အထိ တိုးမြင့်စေနိုင်သည် (DISCO စက်ကိရိယာများကို ရည်ညွှန်းသည်)။ အနာဂတ်တွင်၊ လေဆာထုတ်ယူခြင်းနည်းပညာ၏ ရင့်ကျက်မှု တိုးလာသည်နှင့်အမျှ အချပ်၏အထွက်နှုန်းသည် ပိုမိုတိုးတက်ကောင်းမွန်လာမည်ဖြစ်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ လေဆာဖြတ်ခြင်းသည် လှီးဖြတ်ခြင်း၏ထိရောက်မှုကိုလည်း များစွာတိုးတက်စေပါသည်။ စျေးကွက်သုတေသနပြုချက်အရ စက်မှုလုပ်ငန်းခေါင်းဆောင် DISCO သည် အချပ်တစ်ခုကို 10-15 မိနစ်ခန့်အတွင်းဖြတ်တောက်ပြီး ၎င်းသည် လက်ရှိအချပ်တစ်ချပ်လျှင် မိနစ် 60 ရှိသော မော်တာဝါယာကြိုးဖြတ်ခြင်းထက် များစွာပိုမိုထိရောက်သည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများ၏ ရိုးရာဝါယာကြိုးဖြတ်တောက်ခြင်း၏ လုပ်ငန်းစဉ်အဆင့်များမှာ- ဝါယာကြိုးဖြတ်တောက်ခြင်း- ကြမ်းတမ်းကြိတ်ခွဲခြင်း- ကြိတ်ခွဲခြင်း- ကြမ်းတမ်းသော ပွတ်တိုက်ခြင်းနှင့် ချောမောစွာ ပွတ်တိုက်ခြင်း တို့ဖြစ်သည်။ လေဆာ ထုတ်ယူခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်သည် ဝါယာကြိုးဖြတ်ခြင်းကို အစားထိုးပြီးနောက်၊ အချပ်များ ဆုံးရှုံးမှုကို လျော့နည်းစေပြီး စီမံဆောင်ရွက်မှု ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးသည့် ကြိတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို အစားထိုးရန်အတွက် ပါးလွှာသော လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြုပါသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများကို ဖြတ်တောက်ခြင်း၊ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ပွတ်ခြင်း၏ လေဆာ ထုတ်ယူခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်ကို အဆင့်သုံးဆင့် ခွဲခြားထားသည်- လေဆာ မျက်နှာပြင် စကင်န်ဖတ်ခြင်း-အလွှာကို ထုတ်ယူခြင်း-အပြားလိုက် ပြားပြားရိုက်ခြင်း- လေဆာ မျက်နှာပြင် စကင်န်ဖတ်ခြင်း ဆိုသည်မှာ ပြုပြင်ထားသော မျက်နှာပြင်ကို ပြုပြင်ဖွဲ့စည်းရန် အလွန်လျှင်မြန်သော လေဆာပဲမျိုးစုံကို အသုံးပြုခြင်း ဖြစ်သည်။ ingot အတွင်းအလွှာ; substrate stripping သည် ပြုပြင်ထားသော အလွှာအပေါ်ရှိ အလွှာကို ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ နည်းလမ်းများဖြင့် ခွဲထုတ်ခြင်း ဖြစ်ပါသည်။ ingot flattening သည် ingot မျက်နှာပြင် ညီညာစေရန်အတွက် ingot မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ပြုပြင်ထားသော အလွှာကို ဖယ်ရှားရန်ဖြစ်သည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်လေဆာထုတ်ယူခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်

 
2. လေဆာထုတ်ယူခြင်းနည်းပညာနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာကုမ္ပဏီများပါဝင်သည့် နိုင်ငံတကာတိုးတက်မှု

လေဆာထုတ်ယူခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို နိုင်ငံရပ်ခြားကုမ္ပဏီများမှ စတင်လက်ခံခဲ့သည်- 2016 ခုနှစ်တွင် ဂျပန်နိုင်ငံ DISCO မှ လေဆာဖြတ်ခြင်းနည်းပညာအသစ် KABRA ကို တီထွင်ခဲ့ပြီး အမျိုးမျိုးသောအလွှာများအတွက် အသုံးပြုနိုင်သော လေဆာဖြင့် အဆက်မပြတ် ရောင်ခြည်ဖြာထွက်ခြင်းဖြင့် သတ်မှတ်ထားသော အနက်တွင် wafer များကို ပိုင်းခြားပေးပါသည်။ SiC ingots အမျိုးအစားများ။ 2018 ခုနှစ် နိုဝင်ဘာလတွင် Infineon Technologies သည် Siltectra GmbH ကို ယူရို 124 သန်းဖြင့် ဝယ်ယူခဲ့သည်။ ပိုင်းခြားခြင်းအပိုင်းကို သတ်မှတ်ရန် မူပိုင်ခွင့်ရရှိထားသော လေဆာနည်းပညာကို အသုံးပြုကာ Cold Split လုပ်ငန်းစဉ်ကို နောက်ပိုင်းတွင် တီထွင်ခဲ့ပြီး၊ ခွဲထွက်သည့်အပိုင်းကို အထူးပိုလီမာပစ္စည်းများကို ဖုံးအုပ်ထားကာ အအေးခံစနစ်ကြောင့် ဖိစီးမှုကို ထိန်းချုပ်ခြင်း၊ တိကျစွာခွဲထုတ်သည့်ပစ္စည်းများကို ခွဲထုတ်ကာ wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းကို ရရှိစေရန် ကြိတ်ခွဲသန့်စင်ပေးပါသည်။

မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း၊ အချို့သောပြည်တွင်းကုမ္ပဏီများသည် လေဆာထုတ်ယူသည့်ကိရိယာစက်မှုလုပ်ငန်းသို့ ဝင်ရောက်လာခဲ့ကြသည်- အဓိကကုမ္ပဏီများမှာ Han's Laser, Delong Laser, West Lake Instrument, Universal Intelligence, China Electronics Technology Group Corporation and the Institute of Semiconductors of the Chinese Academy of Sciences. ၎င်းတို့တွင် စာရင်းဝင်ကုမ္ပဏီများဖြစ်သည့် Han's Laser နှင့် Delong Laser တို့သည် အချိန်အတော်ကြာအောင် ပုံစံချထားပြီး ၎င်းတို့၏ ထုတ်ကုန်များကို ဖောက်သည်များက စိစစ်နေသော်လည်း ကုမ္ပဏီတွင် ထုတ်ကုန်လိုင်းများစွာရှိပြီး လေဆာထုတ်ယူသည့်ကိရိယာများသည် ၎င်းတို့၏လုပ်ငန်းတစ်ခုသာဖြစ်သည်။ West Lake Instrument ကဲ့သို့သော ကြယ်ပွင့်များ၏ ထုတ်ကုန်များသည် တရားဝင် အမှာစာ တင်ပို့မှု အောင်မြင်ခဲ့သည်။ Universal Intelligence၊ China Electronics Technology Group Corporation 2၊ Chinese Academy of Sciences of Semiconductors Institute နှင့် အခြားသော ကုမ္ပဏီများမှ စက်ပစ္စည်းဆိုင်ရာ တိုးတက်မှုကို ထုတ်ပြန်ခဲ့သည်။

3. လေဆာထုတ်ယူခြင်းနည်းပညာနှင့် စျေးကွက်မိတ်ဆက်ခြင်း၏ရစ်သမ်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် မောင်းနှင်အားအချက်များ

6 လက်မစီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများ၏စျေးနှုန်းလျှော့ချခြင်းသည်လေဆာထုတ်ယူခြင်းနည်းပညာကိုတိုးတက်စေသည်- လက်ရှိတွင်၊ 6-လက်မဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများ၏စျေးနှုန်းသည်အချို့ထုတ်လုပ်သူများ၏ကုန်ကျစရိတ်စျေးနှုန်းအနီးသို့ယွမ် 4,000 အောက်တွင်ကျဆင်းသွားသည်။ လေဆာထုတ်ယူခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် မြင့်မားသောအထွက်နှုန်းနှင့် ခိုင်မာသောအမြတ်အစွန်းရရှိမှုရှိပြီး လေဆာထုတ်ယူမှုနည်းပညာ၏ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်မှုနှုန်းကို တိုးမြင့်လာစေပါသည်။

8 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများ၏ ပါးလွှာမှုသည် လေဆာထုတ်ယူခြင်းနည်းပညာကို ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာစေသည်- 8-လက်မဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများ၏ အထူသည် လက်ရှိတွင် 500um ရှိပြီး အထူ 350um အထိ တိုးတက်နေပါသည်။ ဝိုင်ယာဖြတ်တောက်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်သည် 8 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို လုပ်ဆောင်ခြင်းတွင် ထိရောက်မှု မရှိပါ (အလွှာ၏ မျက်နှာပြင် မကောင်းပါ)၊ BOW နှင့် WARP တန်ဖိုးများသည် သိသိသာသာ ဆိုးရွားသွားပါသည်။ လေဆာထုတ်ယူခြင်းသည် 350um ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာအတွက် လိုအပ်သောလုပ်ဆောင်မှုနည်းပညာတစ်ခုအဖြစ် မှတ်ယူထားပြီး၊ လေဆာထုတ်ယူမှုနည်းပညာ၏ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်မှုနှုန်းကို တိုးမြင့်လာစေပါသည်။

စျေးကွက်မျှော်လင့်ချက်များ- SiC အလွှာလေဆာ ထုတ်ယူသည့်ကိရိယာများသည် 8 လက်မ SiC ချဲ့ထွင်ခြင်းနှင့် 6 လက်မ SiC ကုန်ကျစရိတ်လျှော့ချခြင်းမှ အကျိုးကျေးဇူးများ။ လက်ရှိစက်မှုလုပ်ငန်း၏ အရေးပါသောအချက်သည် နီးကပ်လာသည်နှင့်အမျှ စက်မှုလုပ်ငန်းဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးမှာ အလွန်အရှိန်မြှင့်လာမည်ဖြစ်သည်။