1. တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း
ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း နည်းပညာကို Si နှင့် Ge ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပစ္စည်းများပေါ်တွင် အခြေခံ၍ တီထွင်ခဲ့သည်။ ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာများနှင့် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းနည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အခြေခံဖြစ်သည်။ ပထမမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းများသည် 20 ရာစုတွင် အီလက်ထရွန်နစ်စက်မှုလုပ်ငန်းအတွက် အုတ်မြစ်ချခဲ့ပြီး ပေါင်းစပ် circuit နည်းပညာအတွက် အခြေခံပစ္စည်းများဖြစ်သည်။
ဒုတိယမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် gallium arsenide၊ indium phosphide၊ gallium phosphide၊ indium arsenide၊ aluminium arsenide နှင့် ၎င်းတို့၏ ternary ဒြပ်ပေါင်းများ ပါဝင်သည်။ ဒုတိယမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းများသည် optoelectronic သတင်းအချက်အလက်လုပ်ငန်း၏ အခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်သည်။ ဤအခြေခံအားဖြင့်၊ အလင်းရောင်၊ မျက်နှာပြင်၊ လေဆာနှင့် photovoltaics ကဲ့သို့သော ဆက်စပ်စက်မှုလုပ်ငန်းများကို တီထွင်ခဲ့သည်။ ၎င်းတို့ကို ခေတ်ပြိုင်သတင်းအချက်အလက်နည်းပညာနှင့် optoelectronic display လုပ်ငန်းများတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။
တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများ၏ ကိုယ်စားပြုပစ္စည်းများတွင် ဂါလီယမ်နိုက်ထရိတ်နှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်များ ပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့၏ ကျယ်ပြန့်သော ကြိုးဝိုင်းကွာဟမှု၊ မြင့်မားသော အီလက်ထရွန် ရွှဲရွှဲပျံ့နှုန်း၊ မြင့်မားသော အပူစီးကူးမှုနှင့် ပြိုကွဲမှုနယ်ပယ် ကြံ့ခိုင်မှုတို့ကြောင့် ၎င်းတို့သည် ပါဝါသိပ်သည်းဆမြင့်မားမှု၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားမှုနှင့် ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးသော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ရန်အတွက် စံပြပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့အနက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပါဝါသုံးပစ္စည်းများတွင် စွမ်းအင်သိပ်သည်းဆမြင့်မားခြင်း၊ စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုနည်းခြင်းနှင့် အရွယ်အစားသေးငယ်ခြင်းတို့တွင် အားသာချက်များရှိပြီး စွမ်းအင်သုံးယာဉ်အသစ်များ၊ photovoltaics၊ ရထားပို့ဆောင်ရေး၊ ဒေတာကြီးများနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုအလားအလာများရှိသည်။ Gallium nitride RF စက်များသည် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း၊ ပါဝါမြင့်မားမှု၊ ကျယ်ပြန့်သော bandwidth၊ ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းပြီး အရွယ်အစားသေးငယ်ပြီး 5G ဆက်သွယ်ရေး၊ Internet of Things၊ စစ်ရေဒါနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချပရိုဂရမ်များအလားအလာများရှိသည်။ ထို့အပြင်၊ ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ်အခြေခံ ပါဝါကိရိယာများကို ဗို့အားနည်းသောနေရာတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုခဲ့သည်။ ထို့အပြင်၊ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း ပေါ်ပေါက်လာသော ဂယ်လီယမ်အောက်ဆိုဒ်ပစ္စည်းများသည် ရှိပြီးသား SiC နှင့် GaN နည်းပညာများဖြင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ ဖြည့်စွက်မှုများဖြစ်လာရန် မျှော်လင့်ထားပြီး ကြိမ်နှုန်းနိမ့်နှင့် ဗို့အားမြင့်နယ်ပယ်များတွင် အသုံးချနိုင်သည့်အလားအလာများရှိသည်။
ဒုတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများသည် ပိုမိုကျယ်ဝန်းသော ကြိုးဝိုင်းအကျယ် (Si ၏ bandgap width ဖြစ်သော ပထမမျိုးဆက် semiconductor material ၏ ပုံမှန်ပစ္စည်းဖြစ်သော 1.1eV ခန့်၊ GaAs ၏ bandgap width၊ ပုံမှန်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဒုတိယမျိုးဆက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ပစ္စည်း၊ သည် 1.42eV ခန့်ဖြစ်ပြီး၊ ပုံမှန်ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည့် GaN ၏ bandgap width တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း သည် 2.3eV အထက်တွင် ရှိသည်)၊ ပိုအားကောင်းသော ဓာတ်ရောင်ခြည်ခံနိုင်ရည်၊ လျှပ်စစ်စက်ကွင်းပြိုကွဲမှုကို ခံနိုင်ရည် ပိုအားကောင်းပြီး အပူချိန် မြင့်မားသော ခုခံမှု။ ပိုကျယ်သော bandgap အကျယ်ရှိသော တတိယမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းများသည် ဓါတ်ရောင်ခြည်ခံနိုင်ရည်ရှိသော၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်၊ ပါဝါမြင့်ပြီး ပေါင်းစပ်သိပ်သည်းဆ အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းကိရိယာများ၊ LED များ၊ လေဆာများ၊ ပါဝါကိရိယာများနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် ၎င်းတို့၏အသုံးချပရိုဂရမ်များသည် များစွာအာရုံစိုက်လာခဲ့ကြပြီး မိုဘိုင်းဆက်သွယ်ရေး၊ စမတ်ဂရစ်များ၊ ရထားပို့ဆောင်ရေး၊ စွမ်းအင်သုံးယာဉ်အသစ်များ၊ လူသုံးအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၊ နှင့် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်နှင့် အပြာရောင်တို့တွင် ကျယ်ပြန့်သောဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအလားအလာများကို ပြသခဲ့သည်။ - အစိမ်းရောင်အလင်းကိရိယာများ [1]။
တင်ချိန်- ဇွန် ၂၅-၂၀၂၄