ICP Eetch Carrier

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-


  • မူလနေရာ-တရုတ်
  • သလင်းကျောက်ဖွဲ့စည်းပုံ-FCCβ အဆင့်
  • သိပ်သည်းဆ-3.21 g/cm;
  • မာကျော:2500 Vickers;
  • စပါးအရွယ်အစား2~10μm;
  • ဓာတုသန့်စင်မှု99.99995%;
  • အပူစွမ်းရည်-640J·kg-1·K-1;
  • Sublimation အပူချိန်2700 ℃;
  • Felexural Strength:415 Mpa (RT 4-Point);
  • Young's Modulus:430 Gpa (4pt ကွေး၊ 1300 ℃);
  • အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (CTE)-4.5 10-6K-1;
  • အပူလျှပ်ကူးမှု-300 (W/MK);
  • ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

    ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

    ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

    ကျွန်ုပ်တို့၏ ကုမ္ပဏီသည် ဂရပ်ဖိုက်၊ ကြွေထည်များနှင့် အခြားပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် SiC coating process ဝန်ဆောင်မှုများကို ဆောင်ရွက်ပေးလျက်ရှိပြီး ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်ပါရှိသော အထူးဓာတ်ငွေ့များကို မြင့်မားသော သန့်စင်သော SiC မော်လီကျူးများ၊ SIC အကာအကွယ်အလွှာကိုဖွဲ့စည်းသည်။

    အဓိကအင်္ဂါရပ်များ-

    1. မြင့်မားသောအပူချိန် oxidation resistance:

    အပူချိန် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ မြင့်မားနေချိန်တွင် ဓာတ်တိုးမှု ခုခံမှုမှာ အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။

    2. မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု : မြင့်မားသောအပူချိန် ကလိုရင်းဓာတ်အခြေအနေအောက်တွင် ဓာတုအငွေ့ထွက်မှုဖြင့် ပြုလုပ်သည်။

    3. တိုက်စားခံနိုင်ရည်- မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ ကျစ်လစ်သော မျက်နှာပြင်၊ ကောင်းမွန်သော အမှုန်များ။

    4. သံချေးတက်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်- အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီ၊ ဆားနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ။

    CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications

    SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ

    အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ FCC β အဆင့်
    သိပ်သည်းမှု g/cm ³ ၃.၂၁
    မာကျောခြင်း။ Vickers မာကျောမှု ၂၅၀၀
    စပါးအရွယ်အစား µm ၂~၁၀
    ဓာတုသန့်စင်မှု % ၉၉.၉၉၉၉၅
    အပူစွမ်းရည် J·kg-1 ·K-1 ၆၄၀
    Sublimation အပူချိန် ၂၇၀၀
    Felexural Strength MPa (RT 4 မှတ်) ၄၁၅
    Young's Modulus Gpa (4pt ကွေး၊ 1300 ℃) ၄၃၀
    အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (CTE) 10-6K-1 ၄.၅
    အပူစီးကူးမှု (W/mK) ၃၀၀

    ၁ ၂ ၃ ၄ ၅ ၆ ၇ ၈ ၉


  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု:

  • WhatsApp အွန်လိုင်းစကားပြောခြင်း။