Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel SusceptorDeposition သို့မဟုတ် Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်များကဲ့သို့ ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များအတွင်း တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာများကို ကိုင်ဆောင်ကာ အပူပေးရန်အတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော ပံ့ပိုးမှုနှင့် အပူပေးကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။

၎င်း၏ဖွဲ့စည်းပုံတွင် ပုံမှန်အားဖြင့် ဆလင်ဒါပုံ သို့မဟုတ် စည်ပုံသဏ္ဌာန် အနည်းငယ်ပါ၀င်သည်၊ မျက်နှာပြင်သည် wafers များကိုနေရာချရန်အတွက် အိတ်ဆောင်များစွာ သို့မဟုတ် ပလပ်ဖောင်းများပါ၀င်သည်၊ အပူပေးနည်းလမ်းပေါ်မူတည်၍ အစိုင်အခဲ သို့မဟုတ် အခေါင်းပေါက်ပုံစံဖြစ်နိုင်သည်။

epitaxial barrel susceptor ၏အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်များ

-Substrate ပံ့ပိုးမှု- semiconductor wafer အများအပြားကို လုံခြုံစွာ ကိုင်ဆောင်ထားသည်။
-Heat source: အပူပေးခြင်းဖြင့် ကြီးထွားမှုအတွက် လိုအပ်သော မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ပံ့ပိုးပေးသည်။
-Temperature uniformity: အလွှာ၏တူညီသောအပူပေးခြင်းကိုသေချာစေသည်။
- လည်ပတ်ခြင်း- အပူချိန်နှင့် ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးမှု တူညီမှုကို တိုးတက်စေရန်အတွက် ကြီးထွားမှုအတွင်း လှည့်ပတ်လေ့ရှိသည်။

Epi graphite barrel susceptor ၏ လုပ်ဆောင်မှု နိယာမ
- epitaxial reactor တွင်၊ barrel susceptor ကို လိုအပ်သော အပူချိန် (ပုံမှန်အားဖြင့် ဆီလီကွန် epitaxy အတွက် 1000℃-1200℃);
- တူညီသောအပူချိန်ဖြန့်ဖြူးမှုနှင့်ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုသေချာစေရန်စည် susceptor လှည့်သည်။
- တုံ့ပြန်မှုဓာတ်ငွေ့များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ပြိုကွဲသွားပြီး အလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် epitaxial အလွှာများ ဖြစ်ပေါ်လာသည်။

အပလီကေးရှင်းများ
- ဆီလီကွန် epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် အဓိကအသုံးပြုသည်။
- GaAs, InP, စသည်တို့ကဲ့သို့ အခြားသော semiconductor ပစ္စည်းများ၏ epitaxy အတွက်လည်း အသုံးပြုနိုင်သည်။

VET Energy သည် ဓာတုတည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ရန် CVD-SiC အပေါ်ယံပိုင်းဖြင့် မြင့်မားသော သန့်စင်သော ဂရပ်ဖိုက်ကို အသုံးပြုသည်-

VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor ၏ အားသာချက်များ

- မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှု;
- ကောင်းသောအပူတူညီမှု;
- အလွှာများစွာကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး ထုတ်လုပ်မှု စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေခြင်း၊
-Chemical inert ဖြစ်ပြီး သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော ကြီးထွားမှုပတ်ဝန်းကျင်ကို ထိန်းသိမ်းပေးသည်။