GaN Epitaxy ibbażat fuq is-silikon

Deskrizzjoni tal-Prodott

Il-kumpanija tagħna tipprovdi servizzi ta 'proċess ta' kisi tas-SiC permezz tal-metodu CVD fuq il-wiċċ tal-grafita, ċeramika u materjali oħra, sabiex gassijiet speċjali li fihom karbonju u silikon jirreaġixxu f'temperatura għolja biex jiksbu molekuli SiC ta 'purità għolja, molekuli depożitati fuq il-wiċċ tal-materjali miksija, li jiffurmaw saff protettiv SIC.

Karatteristiċi ewlenin:

1. Reżistenza għall-ossidazzjoni f'temperatura għolja:

ir-reżistenza għall-ossidazzjoni għadha tajba ħafna meta t-temperatura tkun għolja daqs 1600 C.

2. Purità għolja: magħmula minn depożizzjoni ta 'fwar kimiku taħt kundizzjoni ta' klorinazzjoni ta 'temperatura għolja.

3. Reżistenza għall-erożjoni: ebusija għolja, wiċċ kompatt, partiċelli fini.

4. Reżistenza għall-korrużjoni: aċidu, alkali, melħ u reaġenti organiċi.

Speċifikazzjonijiet ewlenin tal-Kisi CVD-SIC