Għandna tim tal-bejgħ tagħna stess, tim tad-disinn, tim tekniku, tim tal-QC u tim tal-pakkett. Għandna proċeduri stretti ta 'kontroll tal-kwalità għal kull proċess. Ukoll, il-ħaddiema kollha tagħna huma esperjenzati fil-qasam tal-istampar għall-prezz Kkwotat għaċ-Ċina reżistenza għat-temperatura għolja Green Silicon Carbide Trab abrasive Trab Iswed Siliku Carbide Polishing Trab, il-benefiċċju u l-gratifikazzjoni tal-klijenti huma normalment l-akbar intenzjoni tagħna. Ftakar li tagħmel kuntatt magħna. Agħtina probabbiltà, jagħtuk sorpriża.
Għandna tim tal-bejgħ tagħna stess, tim tad-disinn, tim tekniku, tim tal-QC u tim tal-pakkett. Għandna proċeduri stretti ta 'kontroll tal-kwalità għal kull proċess. Ukoll, il-ħaddiema kollha tagħna għandhom esperjenza fil-qasam tal-istampar għalKarbur tas-silikon taċ-Ċina, Sic, X'inhu prezz tajjeb? Aħna nagħtu lill-klijenti bi prezz tal-fabbrika. Fil-premessa ta' kwalità tajba, l-effiċjenza għandha tingħata attenzjoni u żżomm profitti xierqa baxxi u b'saħħithom. X'inhu kunsinna veloċi? Nagħmlu l-kunsinna skond il-ħtiġijiet tal-klijenti. Għalkemm il-ħin tal-kunsinna jiddependi fuq il-kwantità tal-ordni u l-kumplessità tagħha, xorta nippruvaw nipprovdu prodotti u soluzzjonijiet fil-ħin. Sinċerament nittama li jista 'jkollna relazzjoni ta' negozju fit-tul.
Deskrizzjoni tal-Prodott
Il-kumpanija tagħna tipprovdi servizzi ta 'proċess ta' kisi tas-SiC permezz tal-metodu CVD fuq il-wiċċ tal-grafita, ċeramika u materjali oħra, sabiex gassijiet speċjali li fihom karbonju u silikon jirreaġixxu f'temperatura għolja biex jiksbu molekuli SiC ta 'purità għolja, molekuli depożitati fuq il-wiċċ tal-materjali miksija, li jiffurmaw saff protettiv SIC.
Karatteristiċi ewlenin:
1. Reżistenza għall-ossidazzjoni f'temperatura għolja: ir-reżistenza għall-ossidazzjoni għadha tajba ħafna meta t-temperatura tkun għolja daqs 1600 C.
2. Purità għolja: magħmul minn depożizzjoni ta 'fwar kimiku taħt kundizzjoni ta' klorinazzjoni f'temperatura għolja.
3. Reżistenza għall-erożjoni: ebusija għolja, wiċċ kompatt, partiċelli fini.
4. Reżistenza għall-korrużjoni: aċidu, alkali, melħ u reaġenti organiċi.
Speċifikazzjonijiet ewlenin tal-Kisi CVD-SIC
SiC-CVD Proprjetajiet | ||
Struttura tal-kristall | Fażi FCC β | |
Densità | g/ċm ³ | 3.21 |
Ebusija | Ebusija Vickers | 2500 |
Daqs tal-qamħ | μm | 2~10 |
Purità Kimika | % | 99.99995 |
Kapaċità tas-Sħana | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Temperatura tas-sublimazzjoni | ℃ | 2700 |
Qawwa Felexural | MPa (RT 4-punti) | 415 |
Modulus taż-żgħażagħ | Gpa (liwja 4pt, 1300℃) | 430 |
Espansjoni Termali (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Konduttività termali | (W/mK) | 300 |