Prezz ikkwotat għaċ-Ċina reżistenza għat-temperatura għolja Trab li joborxu tal-karbur tas-silikon aħdar Trab tal-illustrar tal-karbur tas-silikon iswed

Deskrizzjoni qasira:


  • Post ta' Oriġini:Iċ-Ċina
  • Struttura tal-kristall:FCCβphase
  • Densità:3.21 g/ċm;
  • Ebusija:2500 Vickers;
  • Daqs tal-qamħ:2 ~ 10μm;
  • Purità Kimika:99.99995%;
  • Kapaċità tas-Sħana:640J·kg-1·K-1;
  • Temperatura tas-sublimazzjoni:2700℃;
  • Qawwa Flessurali:415 Mpa (RT 4-Point);
  • Modulu ta' Young:430 Gpa (liwja 4pt, 1300℃);
  • Espansjoni Termali (CTE):4.5 10-6K-1;
  • Konduttività termali:300 (W/mK);
  • Dettall tal-Prodott

    Tags tal-Prodott

    Għandna tim tal-bejgħ tagħna stess, tim tad-disinn, tim tekniku, tim tal-QC u tim tal-pakkett. Għandna proċeduri stretti ta 'kontroll tal-kwalità għal kull proċess. Ukoll, il-ħaddiema kollha tagħna huma esperjenzati fil-qasam tal-istampar għall-prezz Kkwotat għaċ-Ċina reżistenza għat-temperatura għolja Green Silicon Carbide Trab abrasive Trab Iswed Siliku Carbide Polishing Trab, il-benefiċċju u l-gratifikazzjoni tal-klijenti huma normalment l-akbar intenzjoni tagħna. Ftakar li tagħmel kuntatt magħna. Agħtina probabbiltà, jagħtuk sorpriża.
    Għandna tim tal-bejgħ tagħna stess, tim tad-disinn, tim tekniku, tim tal-QC u tim tal-pakkett. Għandna proċeduri stretti ta 'kontroll tal-kwalità għal kull proċess. Ukoll, il-ħaddiema kollha tagħna għandhom esperjenza fil-qasam tal-istampar għalKarbur tas-silikon taċ-Ċina, Sic, X'inhu prezz tajjeb? Aħna nagħtu lill-klijenti bi prezz tal-fabbrika. Fil-premessa ta' kwalità tajba, l-effiċjenza għandha tingħata attenzjoni u żżomm profitti xierqa baxxi u b'saħħithom. X'inhu kunsinna veloċi? Nagħmlu l-kunsinna skond il-ħtiġijiet tal-klijenti. Għalkemm il-ħin tal-kunsinna jiddependi fuq il-kwantità tal-ordni u l-kumplessità tagħha, xorta nippruvaw nipprovdu prodotti u soluzzjonijiet fil-ħin. Sinċerament nittama li jista 'jkollna relazzjoni ta' negozju fit-tul.
    Deskrizzjoni tal-Prodott

    Il-kumpanija tagħna tipprovdi servizzi ta 'proċess ta' kisi tas-SiC permezz tal-metodu CVD fuq il-wiċċ tal-grafita, ċeramika u materjali oħra, sabiex gassijiet speċjali li fihom karbonju u silikon jirreaġixxu f'temperatura għolja biex jiksbu molekuli SiC ta 'purità għolja, molekuli depożitati fuq il-wiċċ tal-materjali miksija, li jiffurmaw saff protettiv SIC.

    Karatteristiċi ewlenin:

    1. Reżistenza għall-ossidazzjoni f'temperatura għolja: ir-reżistenza għall-ossidazzjoni għadha tajba ħafna meta t-temperatura tkun għolja daqs 1600 C.

    2. Purità għolja: magħmula minn depożizzjoni ta 'fwar kimiku taħt kundizzjoni ta' klorinazzjoni ta 'temperatura għolja.

    3. Reżistenza għall-erożjoni: ebusija għolja, wiċċ kompatt, partiċelli fini.

    4. Reżistenza għall-korrużjoni: aċidu, alkali, melħ u reaġenti organiċi.

     

    Speċifikazzjonijiet ewlenin tal-Kisi CVD-SIC

    SiC-CVD Proprjetajiet

    Struttura tal-kristall Fażi FCC β
    Densità g/ċm ³ 3.21
    Ebusija Ebusija Vickers 2500
    Daqs tal-qamħ μm 2~10
    Purità Kimika % 99.99995
    Kapaċità tas-Sħana J·kg-1 ·K-1 640
    Temperatura tas-sublimazzjoni 2700
    Qawwa Felexural MPa (RT 4-punti) 415
    Modulus taż-żgħażagħ Gpa (liwja 4pt, 1300℃) 430
    Espansjoni Termali (CTE) 10-6K-1 4.5
    Konduttività termali (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9

     

     

     

     


  • Preċedenti:
  • Li jmiss:

  • Chat Online WhatsApp!