L-esperjenzi ta 'amministrazzjoni ta' proġetti oerhört sinjuri u mudell ta 'servizz ta' persuna għal 1 jagħmlu l-importanza sostanzjali tal-komunikazzjoni ta 'l-organizzazzjoni u l-fehim faċli tagħna ta' l-aspettattivi tiegħek għal Ċina Professjonali Ċina Sic Boat Carry Wejfers tas-Silikon Fis-Tubu tal-Forn ta 'Kisi ta' Diffużjoni f'Temperatura Għolja, L-għan aħħari tagħna huwa dejjem li tikklassifika bħala l-aqwa marka u wkoll li tmexxi bħala pijunier fil-qasam tagħna. Aħna żgur li l-esperjenza produttiva tagħna fil-ħolqien tal-għodda se tikseb il-fiduċja tal-klijent, Nixtiequ nikkooperaw u noħolqu perijodu fit-tul saħansitra aħjar miegħek!
L-esperjenzi oerhört sinjuri tal-amministrazzjoni tal-proġetti u l-mudell tas-servizz minn persuna għal waħda jagħmlu l-importanza sostanzjali tal-komunikazzjoni tal-organizzazzjoni u l-fehim faċli tagħna tal-aspettattivi tiegħek għalIċ-Ċina Carry Wejfers tas-Silikon, Polycrystallie Silicon Wafer, Merħba kwalunkwe mistoqsija u tħassib tiegħek għall-prodotti tagħna. Aħna ħerqanin sabiex nistabbilixxu relazzjoni ta 'negozju fit-tul miegħek fil-futur qarib. Ikkuntattjana llum. Aħna l-ewwel sieħeb fin-negozju li nissodisfaw il-bżonnijiet tiegħek!
ProdottDskrizzjoni
Wafer Boat tal-karbur tas-silikon jintużaw ħafna bħala detentur tal-wejfer fil-proċess ta 'diffużjoni ta' temperatura għolja.
Vantaġġi:
Reżistenza għat-temperatura għolja:użu normali f'1800 ℃
Konduttività termali għolja:ekwivalenti għal materjal tal-grafita
Ebusija għolja:ebusija t-tieni biss għad-djamant, nitrur tal-boron
Reżistenza għall-korrużjoni:aċidu qawwi u alkali m'għandhom l-ebda korrużjoni għaliha, ir-reżistenza għall-korrużjoni hija aħjar mill-karbur tat-tungstenu u l-alumina
Piż ħafif:densità baxxa, qrib l-aluminju
L-ebda deformazzjoni: koeffiċjent baxx ta 'espansjoni termali
Reżistenza għal xokk termali:jista 'jiflaħ bidliet qawwija fit-temperatura, jirreżisti xokk termali, u għandu prestazzjoni stabbli
Proprjetajiet Fiżiċi Ta' SiC
| Proprjetà | Valur | Metodu |
| Densità | 3.21 g/cc | Sink-float u dimensjoni |
| Sħana speċifika | 0.66 J/g °K | Flash tal-lejżer pulsat |
| Saħħa tal-flessjoni | 450 MPa560 MPa | 4 punti liwja, RT4 punt liwja, 1300° |
| Toughness tal-ksur | 2.94 MPa m1/2 | Mikroindentazzjoni |
| Ebusija | 2800 | Vicker's, tagħbija ta' 500g |
| Modulu elastiku Modulus ta 'Young | 450 GPa430 GPa | 4 pt liwja, RT4 pt liwja, 1300 °C |
| Daqs tal-qamħ | 2 – 10 µm | SEM |
Proprjetajiet Termali tas-SiC
| Konduttività Termali | 250 W/m °K | Metodu tal-flash tal-lejżer, RT |
| Espansjoni Termali (CTE) | 4.5 x 10-6 °K | Temperatura tal-kamra għal 950 °C, dilatometru tas-silika |
