Introduzzjoni taKarbur tas-silikonju
Karbur tas-silikon (SIC) għandu densità ta '3.2g/cm3. Il-karbur tas-silikon naturali huwa rari ħafna u huwa prinċipalment sintetizzat b'metodu artifiċjali. Skont il-klassifikazzjoni differenti tal-istruttura tal-kristall, il-karbur tas-silikon jista 'jinqasam f'żewġ kategoriji: α SiC u β SiC. Is-semikonduttur tat-tielet ġenerazzjoni rappreżentat minn karbur tas-silikon (SIC) għandu frekwenza għolja, effiċjenza għolja, qawwa għolja, reżistenza għal pressjoni għolja, reżistenza għat-temperatura għolja u reżistenza qawwija għar-radjazzjoni. Huwa adattat għall-ħtiġijiet strateġiċi ewlenin tal-konservazzjoni tal-enerġija u t-tnaqqis tal-emissjonijiet, manifattura intelliġenti u sigurtà tal-informazzjoni. Huwa biex tappoġġja l-innovazzjoni indipendenti u l-iżvilupp u t-trasformazzjoni ta 'komunikazzjoni mobbli ta' ġenerazzjoni ġdida, vetturi ġodda tal-enerġija, ferroviji b'veloċità għolja, Internet tal-enerġija u industriji oħra Il-materjali tal-qalba aġġornati u l-komponenti elettroniċi saru l-fokus tat-teknoloġija globali tas-semikondutturi u l-kompetizzjoni tal-industrija . Fl-2020, il-mudell ekonomiku u kummerċjali globali jinsab f'perjodu ta 'rimodeljar, u l-ambjent intern u estern tal-ekonomija taċ-Ċina huwa aktar kumpless u sever, iżda l-industrija tas-semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni fid-dinja qed tikber kontra t-tendenza. Jeħtieġ li jiġi rikonoxxut li l-industrija tal-karbur tas-silikon daħlet fi stadju ġdid ta 'żvilupp.
Karbur tas-silikonapplikazzjoni
Applikazzjoni tal-karbur tas-silikon fl-industrija tas-semikondutturi Il-katina tal-industrija tas-semikondutturi tal-karbur tas-silikon prinċipalment tinkludi trab ta 'purità għolja tal-karbur tas-silikon, substrat ta' kristall wieħed, epitassi, apparat tal-enerġija, ippakkjar tal-modulu u applikazzjoni terminali, eċċ
1. substrat tal-kristall wieħed huwa l-materjal ta 'appoġġ, materjal konduttiv u substrat tat-tkabbir epitassjali ta' semikondutturi. Fil-preżent, il-metodi ta 'tkabbir ta' kristall wieħed SiC jinkludu trasferiment fiżiku tal-gass (PVT), fażi likwida (LPE), depożizzjoni ta 'fwar kimiku b'temperatura għolja (htcvd) eċċ. 2. folja epitassjali tal-karbur tas-silikon epitassjali tirreferi għat-tkabbir ta 'film tal-kristall wieħed (saff epitassjali) b'ċerti rekwiżiti u l-istess orjentazzjoni bħas-sottostrat. F'applikazzjoni prattika, l-apparati semikondutturi tal-faxxa wiesgħa huma kważi kollha fuq is-saff epitassjali, u ċipep tal-karbur tas-silikon nfushom jintużaw biss bħala sottostrati, inklużi saffi epitassjali Gan.
3. purità għoljaSiCtrab huwa materja prima għat-tkabbir tal-kristall wieħed tal-karbur tas-silikon bil-metodu PVT. Il-purità tal-prodott tagħha taffettwa direttament il-kwalità tat-tkabbir u l-proprjetajiet elettriċi tal-kristall wieħed SiC.
4. l-apparat tal-qawwa huwa magħmul minn karbur tas-silikon, li għandu l-karatteristiċi ta 'reżistenza għat-temperatura għolja, frekwenza għolja u effiċjenza għolja. Skont il-forma tax-xogħol tal-apparat,SiCapparati tal-enerġija prinċipalment jinkludu diodes tal-enerġija u tubi tal-iswiċċ tal-enerġija.
5. fl-applikazzjoni tat-tielet ġenerazzjoni tas-semikondutturi, il-vantaġġi tal-applikazzjoni tat-tmiem huma li jistgħu jikkumplimentaw is-semikondutturi GaN. Minħabba l-vantaġġi ta 'effiċjenza għolja ta' konverżjoni, karatteristiċi ta 'tisħin baxxi u ħfief ta' apparati SiC, id-domanda ta 'industrija downstream tkompli tiżdied, li għandha t-tendenza li tissostitwixxi l-apparati SiO2. Is-sitwazzjoni attwali tal-iżvilupp tas-suq tal-karbur tas-silikon qed tiżviluppa kontinwament. Il-karbur tas-silikon imexxi l-applikazzjoni tas-suq tal-iżvilupp tas-semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni. Il-prodotti semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni ġew infiltrati aktar malajr, l-oqsma ta 'applikazzjoni qed jespandu kontinwament, u s-suq qed jikber malajr bl-iżvilupp tal-elettronika tal-karozzi, komunikazzjoni 5g, provvista ta' enerġija ta 'ċċarġjar mgħaġġel u applikazzjoni militari. .
Ħin tal-post: Mar-16-2021