ICP Etch Carrier

Deskrizzjoni qasira:

Post ta' Oriġini:Iċ-Ċina

Struttura tal-kristall:fażi FCCβ

Densità:3.21 g/ċm;

Ebusija:2500 Vickers;

Daqs tal-qamħ:2 ~ 10μm;

Purità Kimika:99.99995%;

Kapaċità tas-Sħana:640J·kg-1·K-1;

Temperatura tas-sublimazzjoni:2700℃;

Qawwa Flessurali:415 Mpa (RT 4-Point);

Modulu ta' Young:430 Gpa (liwja 4pt, 1300℃);

Espansjoni Termali (CTE):4.5 10-6K-1;

Konduttività Termali:300（W/MK）;

Ibgħat email lilna Niżżel bħala PDF

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Deskrizzjoni tal-Prodott

Il-kumpanija tagħna tipprovdi servizzi ta 'proċess ta' kisi tas-SiC permezz tal-metodu CVD fuq il-wiċċ tal-grafita, ċeramika u materjali oħra, sabiex gassijiet speċjali li fihom karbonju u silikon jirreaġixxu f'temperatura għolja biex jiksbu molekuli SiC ta 'purità għolja, molekuli depożitati fuq il-wiċċ tal-materjali miksija, li jiffurmaw saff protettiv SIC.

Karatteristiċi ewlenin:

1. Reżistenza għall-ossidazzjoni f'temperatura għolja:

ir-reżistenza għall-ossidazzjoni għadha tajba ħafna meta t-temperatura tkun għolja daqs 1600 C.

2. Purità għolja: magħmula minn depożizzjoni ta 'fwar kimiku taħt kundizzjoni ta' klorinazzjoni ta 'temperatura għolja.

3. Reżistenza għall-erożjoni: ebusija għolja, wiċċ kompatt, partiċelli fini.

4. Reżistenza għall-korrużjoni: aċidu, alkali, melħ u reaġenti organiċi.

Speċifikazzjonijiet ewlenin tal-Kisi CVD-SIC

SiC-CVD Proprjetajiet
Struttura tal-kristall	Fażi FCC β
Densità	g/ċm ³	3.21
Ebusija	Ebusija Vickers	2500
Daqs tal-qamħ	μm	2~10
Purità Kimika	%	99.99995
Kapaċità tas-Sħana	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura tas-sublimazzjoni	℃	2700
Qawwa Felexural	MPa (RT 4-punti)	415
Modulus taż-żgħażagħ	Gpa (liwja 4pt, 1300℃)	430
Espansjoni Termali (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduttività termali	(W/mK)	300