Proprjetajiet Tipiċi tal-Materjal Bażi tal-Grafit:
Densità apparenti: | 1.85 g/ċm3 |
Reżistività Elettrika: | 11 μΩm |
Qawwa tal-flessjoni: | 49 MPa (500kgf/cm2) |
Ebusija tax-Xatt: | 58 |
Irmied: | <5ppm |
Konduttività Termali: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
Aħna nipprovdu diversi susceptors u komponenti tal-grafita għar-reatturi kollha tal-epitassija attwali. Il-prodotti tagħna jinkludu susceptors tal-kanna għal unitajiet LPE, susceptors pancake għal unitajiet LPE, CSD, u Gemini, u susceptors ta 'wejfer wieħed għal unitajiet applikati u ASM.
Billi tgħaqqad sħubijiet b'saħħithom ma 'OEMs ewlenin, għarfien espert tal-materjali u għarfien tal-manifattura, vet joffri l-aħjar disinn għall-applikazzjoni tiegħek.
L-Enerġija tal-VET hija ilmanifattur reali ta 'grafita apposta u prodotti tal-karbur tas-silikon b'kisja CVD,jistgħu jfornuvarjiPartijiet personalizzati għal semikondutturi u industrija fotovoltajka. Otim tekniku ur ġej mill-aqwa istituzzjonijiet ta 'riċerka domestiċi, jista' jipprovdi soluzzjonijiet materjali aktar professjonaligħalik.
Fikel tal-prodotti tagħna:
1. Reżistenza għall-ossidazzjoni f'temperatura għolja sa 1700℃.
2. Purità għolja uuniformità termali
3. Reżistenza għall-korrużjoni eċċellenti: aċidu, alkali, melħ u reaġenti organiċi.
4. Ebusija għolja, wiċċ kompatt, partiċelli fini.
5. Ħajja ta 'servizz itwal u aktar fit-tul
CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprjetajiet fiżiċi bażiċi ta 'CVD SiCkisi | |
性质 / Proprjetà | 典型数值 / Valur Tipiku |
晶体结构 / Struttura tal-kristall | Fażi FCC β多晶,主要为(111)取向 |
密度 / Densità | 3.21 g/ċm³ |
硬度 / Ebusija | 2500 维氏硬度(tagħbija ta' 500g) |
晶粒大小 / Daqs tal-qamħ | 2 ~ 10μm |
纯度 / Purità Kimika | 99.99995% |
热容 / Kapaċità tas-Sħana | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Temperatura tas-sublimazzjoni | 2700℃ |
抗弯强度 / Qawwa tal-flessjoni | 415 MPa RT 4-punti |
杨氏模量 / Modulus taż-żgħażagħ | 430 Gpa 4pt liwja, 1300℃ |
导热系数 / ThermalKonduttività | 300W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Espansjoni Termali (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Bi pjaċir iżżur il-fabbrika tagħna, ejja jkollna aktar diskussjoni!