Apakah salutan sic?

Silikon Karbidaialah sebatian keras yang mengandungi silikon dan karbon, dan didapati di alam semula jadi sebagai moissanit mineral yang sangat jarang berlaku. Zarah silikon karbida boleh diikat bersama dengan mensinter untuk membentuk seramik yang sangat keras, yang digunakan secara meluas dalam aplikasi yang memerlukan ketahanan tinggi, terutamanya dalam perarakan semikonduktor.

Struktur fizikal SiC

Salutan SiC ialah salutan silikon karbida yang padat dan tahan haus dengan kakisan dan rintangan haba yang tinggi serta kekonduksian terma yang sangat baik. Salutan SiC ketulenan tinggi ini digunakan terutamanya dalam industri semikonduktor dan elektronik untuk melindungi pembawa wafer, tapak dan elemen pemanasan daripada persekitaran yang menghakis dan reaktif. Salutan SiC juga sesuai untuk relau vakum dan pemanasan sampel dalam persekitaran vakum, reaktif dan oksigen yang tinggi.

Permukaan salutan SiC ketulenan tinggi

Apakah proses salutan SiC?

Lapisan nipis silikon karbida dimendapkan pada permukaan substrat menggunakanCVD (Pemendapan Wap Kimia). Pemendapan biasanya dilakukan pada suhu 1200-1300°C dan tingkah laku pengembangan haba bahan substrat harus serasi dengan salutan SiC untuk meminimumkan tegasan haba.

STRUKTUR KRISTAL FILEM SIC CVD

STRUKTUR KRISTAL FILEM Salutan SIC CVD

Sifat fizikal salutan SiC dicerminkan terutamanya dalam rintangan suhu tinggi, kekerasan, rintangan kakisan dan kekonduksian terma.

Parameter fizikal biasa biasanya seperti berikut:

Kekerasan: Salutan SiC biasanya mempunyai Kekerasan Vickers dalam julat 2000-2500 HV, yang memberikannya rintangan haus dan hentaman yang sangat tinggi dalam aplikasi industri.

Ketumpatan: Salutan SiC biasanya mempunyai ketumpatan 3.1-3.2 g/cm³. Ketumpatan tinggi menyumbang kepada kekuatan mekanikal dan ketahanan salutan.

Kekonduksian terma: Salutan SiC mempunyai kekonduksian terma yang tinggi, biasanya dalam julat 120-200 W/mK (pada 20°C). Ini memberikan kekonduksian terma yang baik dalam persekitaran suhu tinggi dan menjadikannya amat sesuai untuk peralatan rawatan haba dalam industri semikonduktor.

Takat lebur: silikon karbida mempunyai takat lebur kira-kira 2730°C dan mempunyai kestabilan haba yang sangat baik pada suhu yang melampau.

Pekali Pengembangan Terma: Salutan SiC mempunyai pekali pengembangan terma (CTE) linear rendah, biasanya dalam julat 4.0-4.5 µm/mK (dalam 25-1000 ℃). Ini bermakna kestabilan dimensinya sangat baik berbanding perbezaan suhu yang besar.

Rintangan kakisan: Salutan SiC sangat tahan terhadap kakisan dalam persekitaran asid kuat, alkali dan pengoksidaan, terutamanya apabila menggunakan asid kuat (seperti HF atau HCl), rintangan kakisannya jauh melebihi bahan logam konvensional.

Salutan SiC boleh digunakan pada bahan berikut:

Grafit isostatik ketulenan tinggi (CTE rendah)
Tungsten
Molibdenum
Silikon Karbida
Silikon Nitrida
Komposit Karbon-Karbon (CFC)

Produk bersalut SiC biasanya digunakan dalam bidang berikut:

Pengeluaran cip LED
Pengeluaran polisilikon
Semikonduktorpertumbuhan kristal
Silikon danEpitaksi SiC
Rawatan haba wafer dan goresan

Mengapa memilih VET Energy?

VET Energy ialah pengeluar terkemuka, inovator dan peneraju produk salutan SiC di China, produk salutan SiC utama termasukpembawa wafer dengan salutan SiC, bersalut SiCsuseptor epitaxial, cincin grafit bersalut SiC, Bahagian separuh bulan dengan salutan SiC, komposit karbon-karbon bersalut SiC, Bot wafer bersalut SiC, Pemanas bersalut SiC, dsb. VET Energy komited untuk menyediakan industri semikonduktor dengan penyelesaian teknologi dan produk terbaik, serta menyokong perkhidmatan penyesuaian. Kami amat berharap untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda di China.