Silikon karbida (SiC)bahan semikonduktor adalah yang paling matang antara semikonduktor jurang jalur lebar yang dibangunkan. Bahan semikonduktor SiC mempunyai potensi aplikasi yang besar dalam suhu tinggi, frekuensi tinggi, kuasa tinggi, fotoelektronik dan peranti tahan sinaran kerana jurang jalur lebarnya, medan elektrik pecahan tinggi, kekonduksian terma yang tinggi, mobiliti elektron tepu yang tinggi dan saiz yang lebih kecil. Silikon karbida mempunyai pelbagai aplikasi: kerana jurang jalurnya yang luas, ia boleh digunakan untuk membuat diod pemancar cahaya biru atau pengesan ultraviolet yang hampir tidak terjejas oleh cahaya matahari; Kerana voltan atau medan elektrik boleh diterima lapan kali ganda daripada silikon atau galium arsenide, terutamanya sesuai untuk pembuatan peranti berkuasa tinggi voltan tinggi seperti diod voltan tinggi, triod kuasa, kawalan silikon dan peranti gelombang mikro berkuasa tinggi; Kerana kelajuan penghijrahan elektron tepu yang tinggi, boleh dibuat ke dalam pelbagai peranti frekuensi tinggi (RF dan gelombang mikro);Silikon karbidaadalah konduktor haba yang baik dan mengalirkan haba lebih baik daripada bahan semikonduktor lain, yang menjadikan peranti silikon karbida berfungsi pada suhu tinggi.
Sebagai contoh khusus, APEI sedang bersedia untuk membangunkan sistem pemacu motor DC persekitaran melampaunya untuk Venus Explorer (VISE) NASA menggunakan komponen silikon karbida. Masih dalam fasa reka bentuk, matlamatnya adalah untuk mendaratkan robot penerokaan di permukaan Venus.
Selain itu, silicon karbidamempunyai ikatan kovalen ionik yang kuat, ia mempunyai kekerasan yang tinggi, kekonduksian terma ke atas tembaga, prestasi pelesapan haba yang baik, rintangan kakisan sangat kuat, rintangan sinaran, rintangan suhu tinggi dan kestabilan kimia yang baik dan sifat-sifat lain, mempunyai pelbagai aplikasi dalam bidang teknologi aeroangkasa. Sebagai contoh, penggunaan bahan silikon karbida untuk menyediakan kapal angkasa untuk angkasawan, penyelidik untuk tinggal dan bekerja.
Masa siaran: Ogos-01-2022