Salutan SiC boleh disediakan dengan pemendapan wap kimia (CVD), transformasi prekursor, penyemburan plasma, dan lain-lain. Salutan yang disediakan oleh pemendapan wap KIMIA adalah seragam dan padat, dan mempunyai reka bentuk yang baik. Menggunakan metil trichlosilane. (CHzSiCl3, MTS) sebagai sumber silikon, salutan SiC yang disediakan melalui kaedah CVD adalah kaedah yang agak matang untuk penggunaan salutan ini.
Salutan SiC dan grafit mempunyai keserasian kimia yang baik, perbezaan pekali pengembangan haba di antara mereka adalah kecil, menggunakan salutan SiC secara berkesan boleh meningkatkan rintangan haus dan rintangan pengoksidaan bahan grafit. Antaranya, nisbah stoikiometri, suhu tindak balas, gas pencairan, gas kekotoran dan keadaan lain mempunyai pengaruh yang besar terhadap tindak balas.
Masa siaran: Sep-14-2022