Dengan pengeluaran besar-besaran substrat SiC konduktif secara beransur-ansur, keperluan yang lebih tinggi dikemukakan untuk kestabilan dan kebolehulangan proses. Khususnya, kawalan kecacatan, pelarasan kecil atau hanyutan medan haba dalam relau, akan membawa perubahan kristal atau peningkatan kecacatan. Dalam tempoh kemudian, kita mesti menghadapi cabaran "berkembang cepat, panjang dan tebal, dan membesar", sebagai tambahan kepada peningkatan teori dan kejuruteraan, kita juga memerlukan bahan medan haba yang lebih maju sebagai sokongan. Gunakan bahan termaju, tumbuhkan kristal termaju.
Penggunaan bahan pijar yang tidak betul, seperti grafit, grafit berliang, serbuk tantalum karbida, dan lain-lain dalam medan panas akan membawa kepada kecacatan seperti peningkatan kemasukan karbon. Di samping itu, dalam beberapa aplikasi, kebolehtelapan grafit berliang tidak mencukupi, dan lubang tambahan diperlukan untuk meningkatkan kebolehtelapan. Grafit berliang dengan kebolehtelapan yang tinggi menghadapi cabaran pemprosesan, penyingkiran serbuk, goresan dan sebagainya.
VET memperkenalkan generasi baharu bahan medan haba tumbuh kristal SiC, tantalum karbida berliang. Debut dunia.
Kekuatan dan kekerasan tantalum karbida sangat tinggi, dan menjadikannya berliang adalah satu cabaran. Membuat tantalum karbida berliang dengan keliangan yang besar dan ketulenan yang tinggi adalah satu cabaran yang hebat. Teknologi Hengpu telah melancarkan terobosan tantalum karbida berliang dengan keliangan besar, dengan keliangan maksimum 75%, menerajui dunia.
Penapisan komponen fasa gas, pelarasan kecerunan suhu tempatan, arah aliran bahan, kawalan kebocoran, dsb., boleh digunakan. Ia boleh digunakan dengan satu lagi salutan tantalum karbida pepejal (kompak) atau tantalum karbida daripada Teknologi Hengpu untuk membentuk komponen tempatan dengan kekonduksian aliran yang berbeza.
Sesetengah komponen boleh digunakan semula.
Masa siaran: Jul-14-2023