सिलिकॉन कार्बाइड वेफर डिस्क हा मुख्य घटक आहे जो विविध सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियेत वापरला जातो. आम्ही आमच्या पेटंट तंत्रज्ञानाचा वापर सिलिकॉन कार्बाइडला अत्यंत उच्च शुद्धता, चांगली कोटिंग एकसमानता आणि उत्कृष्ट सेवा जीवन, तसेच उच्च रासायनिक प्रतिरोधकता आणि थर्मल स्थिरता गुणधर्मांसह सुरक्षित डिस्क बनवण्यासाठी करतो.
व्हीईटी एनर्जी ही सानुकूलित ग्रेफाइट आणि सिलिकॉन कार्बाइड उत्पादनांची खरी उत्पादक आहे ज्यामध्ये SiC, TaC, पायरोलिटिक कार्बन, ग्लासी-कार्बन, इत्यादी विविध कोटिंग्ज आहेत, जे सेमीकंडक्टर आणि फोटोव्होल्टेइक उद्योगासाठी विविध सानुकूलित भाग पुरवू शकतात. आमची तांत्रिक कार्यसंघ शीर्ष देशांतर्गत संशोधन संस्थांमधून येते, आपल्यासाठी अधिक व्यावसायिक सामग्री समाधान प्रदान करू शकते.
आम्ही अधिक प्रगत सामग्री प्रदान करण्यासाठी प्रगत प्रक्रिया सतत विकसित करतो आणि एक विशेष पेटंट तंत्रज्ञान तयार केले आहे, ज्यामुळे कोटिंग आणि सब्सट्रेट यांच्यातील संबंध अधिक घट्ट होऊ शकतात आणि विलग होण्याची शक्यता कमी होते.
Fआमच्या उत्पादनांचे खाणे:
1. 1700 पर्यंत उच्च तापमान ऑक्सिडेशन प्रतिरोध℃.
2. उच्च शुद्धता आणिथर्मल एकरूपता
3. उत्कृष्ट गंज प्रतिकार: आम्ल, अल्कली, मीठ आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.
4. उच्च कडकपणा, कॉम्पॅक्ट पृष्ठभाग, सूक्ष्म कण.
5. दीर्घ सेवा जीवन आणि अधिक टिकाऊ
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC चे मूलभूत भौतिक गुणधर्मकोटिंग | |
| 性质 / मालमत्ता | 典型数值 / ठराविक मूल्य |
| 晶体结构 / क्रिस्टल स्ट्रक्चर | FCC β फेज多晶, 主要为 (111）取向 |
| 密度 / घनता | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / कडकपणा | 2500 维氏硬度（500g लोड） |
| 晶粒大小 / धान्य आकार | 2~10μm |
| 纯度 / रासायनिक शुद्धता | 99.99995% |
| 热容 / उष्णता क्षमता | 640 J·kg-1· के-1 |
| 升华温度 / उदात्तीकरण तापमान | 2700℃ |
| 抗弯强度 / फ्लेक्सरल स्ट्रेंथ | 415 MPa RT 4-पॉइंट |
| 杨氏模量 / तरुणांचे मॉड्यूलस | 430 Gpa 4pt बेंड, 1300℃ |
| 导热系数 / थर्माlचालकता | 300W·m-1· के-1 |
| 热膨胀系数 / थर्मल विस्तार (CTE) | ४.५×१०-6K-1 |
आमच्या कारखान्याला भेट देण्यासाठी तुमचे हार्दिक स्वागत आहे, चला पुढील चर्चा करूया!
