सिलिकॉन-आधारित GaN Epitaxy

उत्पादन वर्णन

आमची कंपनी ग्रेफाइट, सिरॅमिक्स आणि इतर सामग्रीच्या पृष्ठभागावर CVD पद्धतीने SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवा प्रदान करते, जेणेकरून कार्बन आणि सिलिकॉन असलेले विशेष वायू उच्च तापमानावर प्रतिक्रिया देऊन उच्च शुद्धता SiC रेणू, लेपित सामग्रीच्या पृष्ठभागावर जमा केलेले रेणू, SIC संरक्षणात्मक स्तर तयार करणे.

मुख्य वैशिष्ट्ये:

1. उच्च तापमान ऑक्सिडेशन प्रतिरोध:

जेव्हा तापमान 1600 C पर्यंत असते तेव्हा ऑक्सिडेशन प्रतिरोध खूप चांगला असतो.

2. उच्च शुद्धता : उच्च तापमान क्लोरीनेशन स्थितीत रासायनिक बाष्प जमा करून बनविले जाते.

3. धूप प्रतिरोध: उच्च कडकपणा, संक्षिप्त पृष्ठभाग, सूक्ष्म कण.

4. गंज प्रतिकार: आम्ल, अल्कली, मीठ आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.

CVD-SIC कोटिंगची मुख्य वैशिष्ट्ये