SiC कोटिंग ग्रेफाइट MOCVD वेफर वाहक, SiC Epitaxy साठी ग्रेफाइट ससेप्टर्स,
-SiCGraphiteWafer, कार्बन पुरवठा susceptors, epitaxy susceptors, ग्रेफाइट ससेप्टर्स पुरवतो, ग्रेफाइट वेफर ससेप्टर्स, https://www.vet-china.com/sic-coating-graphite-mocvd-wafer-carriers-2.html#:~:text=SicGraphiteSusceptors-, SicGraphiteTrays,

CVD-SiC कोटिंगमध्ये एकसमान रचना, कॉम्पॅक्ट सामग्री, उच्च तापमान प्रतिरोध, ऑक्सिडेशन प्रतिरोध, उच्च शुद्धता, आम्ल आणि अल्कली प्रतिरोध आणि सेंद्रिय अभिकर्मक, स्थिर भौतिक आणि रासायनिक गुणधर्मांसह वैशिष्ट्ये आहेत.

उच्च-शुद्धतेच्या ग्रेफाइट सामग्रीच्या तुलनेत, ग्रेफाइट 400C वर ऑक्सिडायझेशन सुरू करते, ज्यामुळे ऑक्सिडेशनमुळे पावडरचे नुकसान होते, परिणामी परिधीय उपकरणे आणि व्हॅक्यूम चेंबर्समध्ये पर्यावरणीय प्रदूषण होते आणि उच्च-शुद्धतेच्या वातावरणातील अशुद्धता वाढते.

तथापि, SiC कोटिंग 1600 अंशांवर भौतिक आणि रासायनिक स्थिरता राखू शकते, हे आधुनिक उद्योगात, विशेषत: सेमीकंडक्टर उद्योगात मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते.

आमची कंपनी ग्रेफाइट, सिरॅमिक्स आणि इतर सामग्रीच्या पृष्ठभागावर CVD पद्धतीने SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवा प्रदान करते, जेणेकरून कार्बन आणि सिलिकॉन असलेले विशेष वायू उच्च तापमानावर प्रतिक्रिया देऊन उच्च शुद्धता SiC रेणू, लेपित सामग्रीच्या पृष्ठभागावर जमा केलेले रेणू, SIC संरक्षणात्मक स्तर तयार करणे. तयार झालेला SIC ग्रेफाइट बेसशी घट्टपणे जोडलेला असतो, ज्यामुळे ग्रेफाइट बेसला विशेष गुणधर्म मिळतात, त्यामुळे ग्रेफाइटचा पृष्ठभाग कॉम्पॅक्ट, सच्छिद्रता-मुक्त, उच्च तापमान प्रतिरोध, गंज प्रतिकार आणि ऑक्सिडेशन प्रतिरोधक बनतो.

मुख्य वैशिष्ट्ये:

1. उच्च तापमान ऑक्सिडेशन प्रतिरोध:

जेव्हा तापमान 1700 C पर्यंत असते तेव्हा ऑक्सिडेशन प्रतिरोध खूप चांगला असतो.

2. उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनेशन स्थितीत रासायनिक बाष्प जमा करून बनवले जाते.

3. धूप प्रतिरोध: उच्च कडकपणा, संक्षिप्त पृष्ठभाग, सूक्ष्म कण.

4. गंज प्रतिकार: आम्ल, अल्कली, मीठ आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.

CVD-SIC कोटिंग्जचे मुख्य तपशील:

पुरवठा क्षमता:

10000 तुकडा/तुकडे प्रति महिना
पॅकेजिंग आणि वितरण:
पॅकिंग: मानक आणि मजबूत पॅकिंग
पॉली बॅग + बॉक्स + कार्टन + पॅलेट
बंदर:
निंगबो/शेन्झेन/शांघाय
लीड वेळ: