PSS Etch वाहक

संक्षिप्त वर्णन:

मूळ ठिकाण:चीन

क्रिस्टल स्ट्रक्चर:FCCβ टप्पा

घनता:3.21 ग्रॅम/सेमी;

कडकपणा:2500 विकर्स;

धान्य आकार:2~10μm;

रासायनिक शुद्धता:99.99995%;

उष्णता क्षमता:640J·kg-1·K-1;

उदात्तीकरण तापमान:2700℃;

फेलेक्सरल सामर्थ्य:415 एमपीए (आरटी 4-पॉइंट);

तरुणांचे मॉड्यूलस:430 Gpa (4pt बेंड, 1300℃);

थर्मल विस्तार (CTE):4.5 10-6K-1;

थर्मल चालकता:300 (W/MK);

आम्हाला ईमेल पाठवा PDF म्हणून डाउनलोड करा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

उत्पादन वर्णन

आमची कंपनी ग्रेफाइट, सिरॅमिक्स आणि इतर सामग्रीच्या पृष्ठभागावर CVD पद्धतीने SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवा प्रदान करते, जेणेकरून कार्बन आणि सिलिकॉन असलेले विशेष वायू उच्च तापमानावर प्रतिक्रिया देऊन उच्च शुद्धता SiC रेणू, लेपित सामग्रीच्या पृष्ठभागावर जमा केलेले रेणू, SIC संरक्षणात्मक थर तयार करणे.

मुख्य वैशिष्ट्ये:

1. उच्च तापमान ऑक्सिडेशन प्रतिरोध:

जेव्हा तापमान 1600 C पर्यंत असते तेव्हा ऑक्सिडेशन प्रतिरोध खूप चांगला असतो.

2. उच्च शुद्धता : उच्च तापमान क्लोरीनेशन स्थितीत रासायनिक बाष्प जमा करून बनविले जाते.

3. धूप प्रतिरोध: उच्च कडकपणा, संक्षिप्त पृष्ठभाग, सूक्ष्म कण.

4. गंज प्रतिकार: आम्ल, अल्कली, मीठ आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.

CVD-SIC कोटिंगची मुख्य वैशिष्ट्ये

SiC-CVD गुणधर्म
क्रिस्टल स्ट्रक्चर	FCC β फेज
घनता	g/cm ³	३.२१
कडकपणा	विकर्स कडकपणा	२५००
धान्य आकार	μm	२~१०
रासायनिक शुद्धता	%	९९.९९९९५
उष्णता क्षमता	J·kg-1 ·K-1	६४०
उदात्तीकरण तापमान	℃	२७००
फेलेक्सरल सामर्थ्य	MPa (RT 4-पॉइंट)	४१५
तरुणांचे मॉड्यूलस	Gpa (4pt बेंड, 1300℃)	४३०
थर्मल विस्तार (CTE)	10-6K-1	४.५
थर्मल चालकता	(W/mK)	300