SiC कोटिंग रासायनिक वाष्प संचय (CVD), पूर्ववर्ती परिवर्तन, प्लाझ्मा फवारणी इत्यादीद्वारे तयार केले जाऊ शकते. रासायनिक वाष्प निक्षेपाने तयार केलेले कोटिंग एकसमान आणि संक्षिप्त आहे आणि त्याची रचना चांगली आहे. मिथाइल ट्रायक्लोसिलेन वापरणे. (CHzSiCl3, MTS) सिलिकॉन स्त्रोत म्हणून, सीव्हीडी पद्धतीने तयार केलेले SiC कोटिंग हे कोटिंग वापरण्यासाठी तुलनेने परिपक्व पद्धत आहे.
SiC कोटिंग आणि ग्रेफाइटमध्ये चांगली रासायनिक सुसंगतता आहे, त्यांच्यातील थर्मल विस्तार गुणांकातील फरक लहान आहे, SiC कोटिंग वापरल्याने ग्रेफाइट सामग्रीचा पोशाख प्रतिरोध आणि ऑक्सिडेशन प्रतिरोध प्रभावीपणे सुधारू शकतो. त्यापैकी, स्टोइचियोमेट्रिक गुणोत्तर, प्रतिक्रिया तापमान, सौम्यता वायू, अशुद्धता वायू आणि इतर परिस्थितींचा प्रतिक्रियेवर मोठा प्रभाव असतो.
पोस्ट वेळ: सप्टेंबर-14-2022