SiC бүрэх/хагас дамжуулагчийн графит субстратын бүрээс,Графит тавиурууд，Сик графитэпитакс мэдрэгч,
Нүүрстөрөгч нь мэдрэгчийг хангадаг, EPITAXY БА MOCVD, эпитакс мэдрэгч, Графит тавиурууд, Өргөст хальсан шүүрэгчид,

CVD-SiC бүрэх нь жигд бүтэцтэй, авсаархан материалтай, өндөр температурт тэсвэртэй, исэлдэлтэнд тэсвэртэй, өндөр цэвэршилттэй, хүчил шүлтэнд тэсвэртэй, органик урвалжтай, физик, химийн тогтвортой шинж чанартай.

Өндөр цэвэршилттэй бал чулуу материалтай харьцуулахад бал чулуу нь 400С-т исэлдэж эхэлдэг бөгөөд энэ нь исэлдэлтийн улмаас нунтаг алдагдаж, захын төхөөрөмж, вакуум камерт хүрээлэн буй орчныг бохирдуулж, өндөр цэвэршилттэй орчны хольцыг нэмэгдүүлдэг.

Гэсэн хэдий ч SiC бүрэх нь 1600 градусын физик, химийн тогтвортой байдлыг хадгалах чадвартай бөгөөд орчин үеийн үйлдвэрлэлд, ялангуяа хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд өргөн хэрэглэгддэг.

Манай компани нь бал чулуу, керамик болон бусад материалын гадаргуу дээр CVD аргаар SiC бүрэх үйл явцын үйлчилгээг үзүүлдэг бөгөөд ингэснээр нүүрстөрөгч, цахиур агуулсан тусгай хий нь өндөр температурт урвалд орж, бүрсэн материалын гадаргуу дээр өндөр цэвэршилттэй SiC молекул, молекулыг гаргаж авах, SIC хамгаалалтын давхарга үүсгэдэг. Үүссэн SIC нь бал чулууны суурьтай нягт холбогдож, бал чулууны суурьт онцгой шинж чанарыг өгдөг тул бал чулууны гадаргууг нягт, нүхжилтгүй, өндөр температурт тэсвэртэй, зэврэлт, исэлдэлтэнд тэсвэртэй болгодог.

Гол онцлогууд:

1. Өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл:

1700 С хүртэл өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл маш сайн хэвээр байна.

2. Өндөр цэвэршилт: өндөр температурт хлоржуулах нөхцөлд химийн уурын хуримтлалаар хийгдсэн.

3. Элэгдлийн эсэргүүцэл: өндөр хатуулаг, нягт гадаргуу, нарийн ширхэгтэй тоосонцор.

4. Зэврэлтэнд тэсвэртэй: хүчил, шүлт, давс, органик урвалж.

CVD-SIC бүрхүүлийн үндсэн үзүүлэлтүүд:

Нийлүүлэлтийн чадвар:

Сард 10000 ширхэг
Сав баглаа боодол, хүргэлт:
Сав баглаа боодол: Стандарт ба хүчтэй савлагаа
Полиэт уут + Хайрцаг + Картон + Тавиур
Порт:
Нинбо/Шэньжэн/Шанхай
Хүргэлтийн хугацаа: