SiC бүрээсийг химийн уурын хуримтлал (CVD), прекурсор хувиргах, плазмаар цацах гэх мэт аргаар бэлтгэж болно. ХИМИЙН уурын хуримтлалаар бэлтгэсэн бүрээс нь жигд, авсаархан, дизайн сайтай. Метил трихлосиланы хэрэглээ. (CHzSiCl3, MTS) цахиурын эх үүсвэр болох CVD аргаар бэлтгэсэн SiC бүрэх нь энэ бүрээсийг хэрэглэх харьцангуй боловсронгуй арга юм.
SiC бүрэх ба бал чулуу нь химийн сайн нийцтэй, тэдгээрийн хоорондох дулааны тэлэлтийн коэффициентийн ялгаа бага, SiC бүрэх нь бал чулуу материалын элэгдэл, исэлдэлтийн эсэргүүцлийг үр дүнтэй сайжруулж чадна. Тэдгээрийн дотроос стехиометрийн харьцаа, урвалын температур, шингэлэх хий, хольцын хий болон бусад нөхцөл байдал нь урвалд ихээхэн нөлөөлдөг.
Шуудангийн цаг: 2022 оны 9-р сарын 14-ний өдөр