PSS Etch കാരിയർ

ഹ്രസ്വ വിവരണം:

ഉത്ഭവ സ്ഥലം:ചൈന

ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന:FCCβ ഘട്ടം

സാന്ദ്രത:3.21 ഗ്രാം / സെ.മീ;

കാഠിന്യം:2500 വിക്കറുകൾ;

ധാന്യത്തിൻ്റെ വലിപ്പം:2~10μm;

രാസ ശുദ്ധി:99.99995%;

താപ ശേഷി:640J·kg-1·K-1;

സബ്ലിമേഷൻ താപനില:2700℃;

വികാര ശക്തി:415 Mpa (RT 4-പോയിൻ്റ്);

യുവാക്കളുടെ മോഡുലസ്:430 Gpa (4pt ബെൻഡ്, 1300℃);

തെർമൽ എക്സ്പാൻഷൻ (CTE):4.5 10-6K-1;

താപ ചാലകത:300 (W/MK);

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക PDF ആയി ഡൗൺലോഡ് ചെയ്യുക

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

ഉൽപ്പന്ന വിവരണം

ഞങ്ങളുടെ കമ്പനി ഗ്രാഫൈറ്റ്, സെറാമിക്സ്, മറ്റ് വസ്തുക്കൾ എന്നിവയുടെ ഉപരിതലത്തിൽ സിവിഡി രീതി ഉപയോഗിച്ച് SiC കോട്ടിംഗ് പ്രോസസ്സ് സേവനങ്ങൾ നൽകുന്നു, അതിനാൽ കാർബണും സിലിക്കണും അടങ്ങിയ പ്രത്യേക വാതകങ്ങൾ ഉയർന്ന താപനിലയിൽ പ്രതിപ്രവർത്തിച്ച് ഉയർന്ന പരിശുദ്ധിയുള്ള SiC തന്മാത്രകൾ, പൂശിയ വസ്തുക്കളുടെ ഉപരിതലത്തിൽ നിക്ഷേപിച്ച തന്മാത്രകൾ, SIC സംരക്ഷണ പാളി രൂപീകരിക്കുന്നു.

പ്രധാന സവിശേഷതകൾ:

1. ഉയർന്ന താപനില ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധം:

താപനില 1600 C വരെ ഉയരുമ്പോൾ ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധം ഇപ്പോഴും വളരെ നല്ലതാണ്.

2. ഉയർന്ന പരിശുദ്ധി : ഉയർന്ന താപനിലയിൽ ക്ലോറിനേഷൻ അവസ്ഥയിൽ രാസ നീരാവി നിക്ഷേപം വഴി നിർമ്മിക്കുന്നത്.

3. മണ്ണൊലിപ്പ് പ്രതിരോധം: ഉയർന്ന കാഠിന്യം, ഒതുക്കമുള്ള ഉപരിതലം, സൂക്ഷ്മ കണങ്ങൾ.

4. നാശ പ്രതിരോധം: ആസിഡ്, ആൽക്കലി, ഉപ്പ്, ഓർഗാനിക് റിയാഗൻ്റുകൾ.

CVD-SIC കോട്ടിംഗിൻ്റെ പ്രധാന സവിശേഷതകൾ

SiC-CVD പ്രോപ്പർട്ടികൾ
ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന	FCC β ഘട്ടം
സാന്ദ്രത	g/cm ³	3.21
കാഠിന്യം	വിക്കേഴ്സ് കാഠിന്യം	2500
ധാന്യത്തിൻ്റെ വലിപ്പം	μm	2~10
കെമിക്കൽ പ്യൂരിറ്റി	%	99.99995
താപ ശേഷി	J·kg-1 ·K-1	640
സബ്ലിമേഷൻ താപനില	℃	2700
Felexural ശക്തി	MPa (RT 4-പോയിൻ്റ്)	415
യങ്ങിൻ്റെ മോഡുലസ്	Gpa (4pt ബെൻഡ്, 1300℃)	430
തെർമൽ എക്സ്പാൻഷൻ (CTE)	10-6K-1	4.5
താപ ചാലകത	(W/mK)	300