ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ്, ഉയർന്ന പവർ, ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി, ഉയർന്ന താപനില സവിശേഷതകൾ എന്നിവ പിന്തുടരുന്ന എസ് 1 സി ഡിസ്ക്രീറ്റ് ഉപകരണങ്ങളിൽ നിന്ന് വ്യത്യസ്തമായി, ഇൻ്റലിജൻ്റ് പവർ ഐസി കൺട്രോൾ സർക്യൂട്ടിനായി ഉയർന്ന താപനിലയുള്ള ഡിജിറ്റൽ സർക്യൂട്ട് നേടുക എന്നതാണ് SiC ഇൻ്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ടിൻ്റെ ഗവേഷണ ലക്ഷ്യം. ഇതിനായി SiC ഇൻ്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ട് ആയി...
കൂടുതൽ വായിക്കുക