ചൈന നിർമ്മാതാവ് SiC പൂശിയ ഗ്രാഫൈറ്റ് MOCVD എപിറ്റാക്സി സസെപ്റ്റർ

ഹ്രസ്വ വിവരണം:

ശുദ്ധി < 5ppm
‣ നല്ല ഡോപ്പിംഗ് യൂണിഫോം
‣ ഉയർന്ന സാന്ദ്രതയും അഡീഷനും
‣ നല്ല ആൻറി കോറോസിവ്, കാർബൺ റെസിസ്റ്റൻസ്

‣ പ്രൊഫഷണൽ കസ്റ്റമൈസേഷൻ
‣ ചെറിയ ലീഡ് സമയം
‣ സ്ഥിരതയുള്ള വിതരണം
‣ ഗുണനിലവാര നിയന്ത്രണവും തുടർച്ചയായ മെച്ചപ്പെടുത്തലും

നീലക്കല്ലിൽ GaN ൻ്റെ എപ്പിറ്റാക്സി(RGB/Mini/Micro LED);
Si സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിലെ GaN ൻ്റെ എപ്പിറ്റാക്സി(UVC);
Si സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിലെ GaN ൻ്റെ എപ്പിറ്റാക്സി(ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണം);
Si സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിലെ Si യുടെ എപ്പിറ്റാക്സി(ഇൻ്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ട്);
SiC സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിലെ SiC യുടെ എപ്പിറ്റാക്സി(അടിസ്ഥാനം);
InP-യിലെ InP-യുടെ എപ്പിറ്റാക്സി

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക PDF ആയി ഡൗൺലോഡ് ചെയ്യുക

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള MOCVD സസെപ്റ്റർ ചൈനയിൽ ഓൺലൈനായി വാങ്ങുക

ഇലക്‌ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളിൽ ഉപയോഗിക്കുന്നതിന് തയ്യാറാകുന്നതിന് മുമ്പ് ഒരു വേഫർ നിരവധി ഘട്ടങ്ങളിലൂടെ കടന്നുപോകേണ്ടതുണ്ട്. ഒരു പ്രധാന പ്രക്രിയയാണ് സിലിക്കൺ എപ്പിറ്റാക്സി, അതിൽ വേഫറുകൾ ഗ്രാഫൈറ്റ് സസെപ്റ്ററുകളിൽ വഹിക്കുന്നു. സസെപ്റ്ററുകളുടെ ഗുണങ്ങളും ഗുണനിലവാരവും വേഫറിൻ്റെ എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളിയുടെ ഗുണനിലവാരത്തിൽ നിർണായക സ്വാധീനം ചെലുത്തുന്നു.

Epitaxy അല്ലെങ്കിൽ MOCVD പോലുള്ള നേർത്ത ഫിലിം ഡിപ്പോസിഷൻ ഘട്ടങ്ങൾക്കായി, അടിവസ്ത്രങ്ങൾ അല്ലെങ്കിൽ "വേഫറുകൾ" പിന്തുണയ്ക്കാൻ ഉപയോഗിക്കുന്ന അൾട്രാ-പ്യുവർ ഗ്രാഫൈറ്റ് ഉപകരണങ്ങൾ VET നൽകുന്നു. പ്രക്രിയയുടെ കാതൽ, ഈ ഉപകരണങ്ങൾ, എപ്പിറ്റാക്സി സസെപ്റ്ററുകൾ അല്ലെങ്കിൽ MOCVD-യ്ക്കുള്ള സാറ്റലൈറ്റ് പ്ലാറ്റ്‌ഫോമുകൾ, ആദ്യം ഡിപ്പോസിഷൻ പരിതസ്ഥിതിക്ക് വിധേയമാണ്:

ഉയർന്ന താപനില.
ഉയർന്ന വാക്വം.
ആക്രമണാത്മക വാതക മുൻഗാമികളുടെ ഉപയോഗം.
പൂജ്യം മലിനീകരണം, പുറംതൊലിയിലെ അഭാവം.
ശുചീകരണ പ്രവർത്തനങ്ങളിൽ ശക്തമായ ആസിഡുകൾക്കുള്ള പ്രതിരോധം

അർദ്ധചാലകത്തിനും ഫോട്ടോവോൾട്ടേയിക് വ്യവസായത്തിനുമായി കോട്ടിംഗുള്ള കസ്റ്റമൈസ്ഡ് ഗ്രാഫൈറ്റ്, സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ യഥാർത്ഥ നിർമ്മാതാവാണ് VET എനർജി. ഞങ്ങളുടെ സാങ്കേതിക ടീം മികച്ച ആഭ്യന്തര ഗവേഷണ സ്ഥാപനങ്ങളിൽ നിന്നാണ് വരുന്നത്, നിങ്ങൾക്ക് കൂടുതൽ പ്രൊഫഷണൽ മെറ്റീരിയൽ സൊല്യൂഷനുകൾ നൽകാൻ കഴിയും.

കൂടുതൽ നൂതനമായ സാമഗ്രികൾ നൽകുന്നതിനായി ഞങ്ങൾ തുടർച്ചയായി വിപുലമായ പ്രക്രിയകൾ വികസിപ്പിക്കുന്നു, കൂടാതെ ഒരു പ്രത്യേക പേറ്റൻ്റ് സാങ്കേതിക വിദ്യ വികസിപ്പിച്ചെടുത്തിട്ടുണ്ട്, ഇത് കോട്ടിംഗും സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റും തമ്മിലുള്ള ബന്ധം കൂടുതൽ ഇറുകിയതും വേർപിരിയാനുള്ള സാധ്യത കുറയ്ക്കുന്നതുമാണ്.

ഞങ്ങളുടെ ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ സവിശേഷതകൾ:

1. 1700℃ വരെ ഉയർന്ന താപനില ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധം.
2. ഉയർന്ന പരിശുദ്ധിയും താപ ഏകീകൃതതയും
3. മികച്ച നാശ പ്രതിരോധം: ആസിഡ്, ആൽക്കലി, ഉപ്പ്, ഓർഗാനിക് റിയാഗൻ്റുകൾ.
4. ഉയർന്ന കാഠിന്യം, ഒതുക്കമുള്ള ഉപരിതലം, സൂക്ഷ്മ കണങ്ങൾ.
5. ദൈർഘ്യമേറിയ സേവന ജീവിതവും കൂടുതൽ മോടിയുള്ളതും

സി.വി.ഡി SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC യുടെ അടിസ്ഥാന ഭൗതിക സവിശേഷതകൾപൂശുന്നു
性质 / സ്വത്ത്	典型数值 / സാധാരണ മൂല്യം
晶体结构 / ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന	FCC β ഘട്ടം多晶，主要为（111）取向
密度 / സാന്ദ്രത	3.21 g/cm³
硬度 / കാഠിന്യം	2500 维氏硬度 (500g ലോഡ്)
晶粒大小 / ധാന്യം വലിപ്പം	2~10μm
纯度 / കെമിക്കൽ പ്യൂരിറ്റി	99.99995%
热容 / താപ ശേഷി	640 J·kg^-1·കെ^-1
升华温度 / സബ്ലിമേഷൻ താപനില	2700℃
抗弯强度 / ഫ്ലെക്സറൽ ശക്തി	415 MPa RT 4-പോയിൻ്റ്
杨氏模量 / യങ്ങിൻ്റെ മോഡുലസ്	430 Gpa 4pt ബെൻഡ്, 1300℃
导热系数 / തെർമഎൽചാലകത	300W·m^-1·കെ^-1
热膨胀系数 / തെർമൽ എക്സ്പാൻഷൻ(CTE)	4.5×10^-6K^-1