6 ഇഞ്ച് പി ടൈപ്പ് സിലിക്കൺ വേഫർ

ഹ്രസ്വ വിവരണം:

VET എനർജി 6-ഇഞ്ച് പി-ടൈപ്പ് സിലിക്കൺ വേഫർ ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള അർദ്ധചാലക ബേസ് മെറ്റീരിയലാണ്, ഇത് വിവിധ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളുടെ നിർമ്മാണത്തിൽ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു. വേഫറിന് മികച്ച ക്രിസ്റ്റൽ ഗുണനിലവാരവും കുറഞ്ഞ വൈകല്യ സാന്ദ്രതയും ഉയർന്ന ഏകീകൃതതയും ഉണ്ടെന്ന് ഉറപ്പാക്കാൻ VET എനർജി വിപുലമായ CZ വളർച്ചാ പ്രക്രിയ ഉപയോഗിക്കുന്നു.

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക PDF ആയി ഡൗൺലോഡ് ചെയ്യുക

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

VET എനർജിയുടെ ഉൽപ്പന്ന നിര സിലിക്കൺ വേഫറുകളിൽ മാത്രം ഒതുങ്ങുന്നില്ല. SiC സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ്, SOI വേഫർ, SiN സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ്, എപ്പി വേഫർ മുതലായവ ഉൾപ്പെടെയുള്ള അർദ്ധചാലക സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് മെറ്റീരിയലുകളുടെ വിശാലമായ ശ്രേണിയും ഗാലിയം ഓക്‌സൈഡ് Ga2O3, AlN വേഫർ പോലുള്ള പുതിയ വൈഡ് ബാൻഡ്‌ഗാപ്പ് അർദ്ധചാലക വസ്തുക്കളും ഞങ്ങൾ നൽകുന്നു. ഈ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾക്ക് പവർ ഇലക്ട്രോണിക്സ്, റേഡിയോ ഫ്രീക്വൻസി, സെൻസറുകൾ, മറ്റ് ഫീൽഡുകൾ എന്നിവയിലെ വിവിധ ഉപഭോക്താക്കളുടെ ആപ്ലിക്കേഷൻ ആവശ്യങ്ങൾ നിറവേറ്റാൻ കഴിയും.

ആപ്ലിക്കേഷൻ ഫീൽഡുകൾ:
•ഇൻ്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ടുകൾ:ഇൻ്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ട് നിർമ്മാണത്തിനുള്ള അടിസ്ഥാന മെറ്റീരിയൽ എന്ന നിലയിൽ, വിവിധ ലോജിക് സർക്യൂട്ടുകൾ, മെമ്മറികൾ മുതലായവയിൽ പി-ടൈപ്പ് സിലിക്കൺ വേഫറുകൾ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.
•പവർ ഉപകരണങ്ങൾ:പവർ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ, ഡയോഡുകൾ തുടങ്ങിയ പവർ ഉപകരണങ്ങൾ നിർമ്മിക്കാൻ പി-ടൈപ്പ് സിലിക്കൺ വേഫറുകൾ ഉപയോഗിക്കാം.
•സെൻസറുകൾ:പ്രഷർ സെൻസറുകൾ, താപനില സെൻസറുകൾ മുതലായ വിവിധ തരം സെൻസറുകൾ നിർമ്മിക്കാൻ പി-ടൈപ്പ് സിലിക്കൺ വേഫറുകൾ ഉപയോഗിക്കാം.
•സോളാർ സെല്ലുകൾ:പി-ടൈപ്പ് സിലിക്കൺ വേഫറുകൾ സോളാർ സെല്ലുകളുടെ ഒരു പ്രധാന ഘടകമാണ്.

VET എനർജി ഉപഭോക്താക്കൾക്ക് ഇഷ്‌ടാനുസൃതമാക്കിയ വേഫർ സൊല്യൂഷനുകൾ നൽകുന്നു, കൂടാതെ ഉപഭോക്താക്കളുടെ പ്രത്യേക ആവശ്യങ്ങൾക്കനുസരിച്ച് വ്യത്യസ്ത പ്രതിരോധശേഷി, വ്യത്യസ്ത ഓക്‌സിജൻ ഉള്ളടക്കം, വ്യത്യസ്ത കനം, മറ്റ് സവിശേഷതകൾ എന്നിവയുള്ള വേഫറുകൾ ഇഷ്ടാനുസൃതമാക്കാനും കഴിയും. കൂടാതെ, ഉൽപ്പാദന പ്രക്രിയയിൽ നേരിടുന്ന വിവിധ പ്രശ്നങ്ങൾ പരിഹരിക്കാൻ ഉപഭോക്താക്കളെ സഹായിക്കുന്നതിന് ഞങ്ങൾ പ്രൊഫഷണൽ സാങ്കേതിക പിന്തുണയും വിൽപ്പനാനന്തര സേവനവും നൽകുന്നു.

വേഫറിംഗ് സ്പെസിഫിക്കേഷനുകൾ

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

ഇനം	8-ഇഞ്ച്	6-ഇഞ്ച്			4-ഇഞ്ച്
ഇനം	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
ബൗ(GF3YFCD)-സമ്പൂർണ മൂല്യം	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
വാർപ്പ്(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
വേഫർ എഡ്ജ്	ബെവലിംഗ്

ഉപരിതല ഫിനിഷ്

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

ഇനം	8-ഇഞ്ച്	6-ഇഞ്ച്			4-ഇഞ്ച്
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
ഉപരിതല ഫിനിഷ്	ഇരട്ട വശം ഒപ്റ്റിക്കൽ പോളിഷ്, Si- മുഖം CMP
ഉപരിതല പരുക്കൻ	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm സി-ഫേസ് Ra≤0.5nm
എഡ്ജ് ചിപ്സ്	ഒന്നും അനുവദനീയമല്ല (നീളവും വീതിയും≥0.5mm)
ഇൻഡൻ്റുകൾ	ഒന്നും അനുവദനീയമല്ല
പോറലുകൾ (Si-Face)	Qty.≤5,ക്യുമുലേറ്റീവ് നീളം≤0.5×വേഫർ വ്യാസം	Qty.≤5,ക്യുമുലേറ്റീവ് നീളം≤0.5×വേഫർ വ്യാസം			Qty.≤5,ക്യുമുലേറ്റീവ് നീളം≤0.5×വേഫർ വ്യാസം
വിള്ളലുകൾ	ഒന്നും അനുവദനീയമല്ല
എഡ്ജ് ഒഴിവാക്കൽ	3 മി.മീ