Вести

Видови специјален графит
од админ на 24-06-17
Специјалниот графит е графитен материјал со висока чистота, висока густина и висока јачина и има одлична отпорност на корозија, стабилност на високи температури и голема електрична спроводливост. Изработен е од природен или вештачки графит по термичка обработка на висока температура и обработка со висок притисок...
Прочитајте повеќе
Анализа на опрема за таложење на тенок филм – принципи и примена на опремата PECVD/LPCVD/ALD
од админ на 24-06-12
Таложење на тенок филм е да се обложи слој филм на главниот материјал на подлогата на полупроводникот. Овој филм може да се изработи од различни материјали, како што се изолационо соединение силициум диоксид, полупроводнички полисилициум, метален бакар итн. Опремата што се користи за обложување се нарекува таложење на тенок филм...
Прочитајте повеќе
Важни материјали кои го одредуваат квалитетот на монокристалниот раст на силициум – термичко поле
од админ на 24-06-12
Процесот на раст на монокристалниот силициум целосно се изведува на термичко поле. Доброто термичко поле е погодно за подобрување на квалитетот на кристалите и има поголема ефикасност на кристализација. Дизајнот на термичкото поле во голема мера ги одредува промените во температурните градиенти...
Прочитајте повеќе
Кои се техничките тешкотии на печката за раст на силициум карбид кристали?
од админ на 24-06-07
Печката за раст на кристалите е основна опрема за раст на кристалите на силициум карбид. Слично е на традиционалната печка за раст на кристали со кристален силикон. Структурата на печката не е многу комплицирана. Главно е составен од тело на печката, систем за греење, механизам за пренос на серпентина...
Прочитајте повеќе
Кои се дефектите на епитаксијалниот слој на силициум карбид
од админ на 24-06-05
Основната технологија за раст на епитаксијалните материјали на SiC е најпрво технологијата за контрола на дефекти, особено за технологијата за контрола на дефекти што е склона кон дефект на уредот или деградација на доверливоста. Проучувањето на механизмот на дефекти на подлогата кои се протегаат во епи...
Прочитајте повеќе
Технологија на оксидирано стоечко зрно и епитаксијален раст-Ⅱ
од админ на 24-05-30
2. Епитаксијален раст на тенок филм Подлогата обезбедува физички потпорен слој или проводен слој за уредите за напојување Ga2O3. Следниот важен слој е каналниот слој или епитаксијалниот слој што се користи за отпорност на напон и транспорт на носачот. Со цел да се зголеми пробивниот напон и да се минимизира кон...
Прочитајте повеќе
Технологија на монокристален галиум оксид и епитаксијален раст
од админ на 24-05-30
Полупроводниците со широк опсег (WBG) претставени со силициум карбид (SiC) и галиум нитрид (GaN) добија широко внимание. Луѓето имаат големи очекувања за изгледите за примена на силициум карбид во електрични возила и електрични мрежи, како и изгледите за примена на галиум...
Прочитајте повеќе
Кои се техничките бариери за силициум карбид?Ⅱ
од админ на 24-05-22
Техничките потешкотии во стабилно масовно производство на висококвалитетни силициум карбид наполитанки со стабилни перформанси вклучуваат: 1) Бидејќи кристалите треба да растат во запечатена средина со висока температура над 2000°C, барањата за контрола на температурата се исклучително високи; 2) Бидејќи силициум карбидот има ...
Прочитајте повеќе
Кои се техничките бариери за силициум карбид?
од админ на 24-05-22
Првата генерација на полупроводнички материјали е претставена со традиционални силициум (Si) и германиум (Ge), кои се основа за производство на интегрирани кола. Тие се широко користени во нисконапонски, нискофреквентни и ниско-моќни транзистори и детектори. Повеќе од 90% од полупроводничките производи...
Прочитајте повеќе