Ko te Silicon Carbide Wafer Disc he waahanga nui e whakamahia ana i roto i nga momo mahi whakangao semiconductor. Ka whakamahia e matou o maatau hangarau arai kia pai ake ai te kopae haumaru o te carbide silicon me te tino parakore, te pai o te whakakotahitanga o te paninga me te oranga pai rawa atu, tae atu ki te kaha o te aukati matū me nga taonga whakaahuru.
Ko te VET Energy te tino kaihanga o nga hua graphite me te silicon carbide me nga whakakikorua rereke penei i te SiC, TaC, te waro pyrolytic, te karaehe-wao, me etahi atu, ka taea te tuku i nga waahanga kua whakaritea mo te ahumahi semiconductor me te ahumahi photovoltaic. Ko ta maatau roopu hangarau i ahu mai i nga umanga rangahau o roto o te whare, ka taea te whakarato i nga otinga rauemi ngaio mo koe.
Ka whakawhanake tonu matou i nga tikanga matatau ki te whakarato rauemi matatau ake, a kua mahia e matou he hangarau arai motuhake, e taea ai te hono i waenga i te paninga me te tïpako kia piri, kia iti ake te wariu ki te wehe.
Fnga ahuatanga o a maatau hua:
1. Te teitei o te wera o te waiora ki te 1700℃.
2. Te purenga teitei me tete tauritenga waiariki
3. He pai te aukati waikura: te waikawa, te alkali, te tote me nga reagents waro.
4. Te pakeke teitei, te mata kiato, nga matūriki pai.
5. He roa ake te ora mahi me te roa ake
CVD SiC薄膜基本物理性能 Ko nga ahuatanga taketake o te CVD SiCpaninga | |
性质 / Taonga | 典型数值 / Uara Angamaheni |
晶体结构 / Hanganga Kiriata | FCC β wāhanga多晶,主要为(111)取向 |
密度 / Kiato | 3.21 g/cm³ |
硬度 / Te pakeke | 2500 维氏硬度(500g uta) |
晶粒大小 / Raina witi | 2~10μm |
纯度 / Te Maamaa | 99.99995% |
热容 / Raukaha Wera | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Te Mahana Whakararo | 2700 ℃ |
抗弯强度 / Te Kaha Toka | 415 MPa RT 4-tohu |
杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt piko, 1300℃ |
导热系数 / ThermalTe kawe | 300W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Roha Ngawha(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Tena koe ki te toro ki to maatau wheketere, me korero ano!