Ko te Kaikawe Whakakikorua SiC Mo te RTP/RTA tetahi waahanga matua e whakamahia ana i roto i nga mahi hangahanga semiconductor e kiia nei ko te Rapid Thermal Processing & Annealing, ka whakamahia e matou o maatau hangarau patent ki te hanga i te kaikawe carbide silicon me te tino ma, te pai o te whakakakahu whakakikorua me te oranga ratonga pai, penei me te kaha o te atete matū me nga ahuatanga pumau.
Nga waahanga o a maatau hua:
1. Te teitei o te wera o te waikura ki te 1700 ℃.
2. Te parakore teitei me te riterite waiariki
3. He pai te aukati waikura: te waikawa, te alkali, te tote me nga reagents waro.
4. Te pakeke teitei, te mata kiato, nga matūriki pai.
5. He roa ake te ora mahi me te roa ake
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Ko nga ahuatanga taketake o te CVD SiCpaninga | |
| 性质 / Taonga | 典型数值 / Uara Angamaheni |
| 晶体结构 / Hanganga Kiriata | FCC β wāhanga多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Kiato | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Te pakeke | 2500 维氏硬度（500g uta） |
| 晶粒大小 / Raina witi | 2~10μm |
| 纯度 / Te Maamaa | 99.99995% |
| 热容 / Raukaha Wera | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Te Mahana Whakararo | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Te Kaha Toka | 415 MPa RT 4-tohu |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt piko, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalTe kawe | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Roha Ngawha(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Ko te VET Energy te tino kaihanga o nga hua graphite me te silicon carbide me nga paninga rereke penei i te paninga SiC, te paninga TaC, te paninga waro karaihe, te paninga waro pyrolytic, me etahi atu, ka taea te tuku i nga waahanga kua whakaritea mo te semiconductor me te ahumahi photovoltaic.
Ko ta maatau roopu hangarau i ahu mai i nga umanga rangahau o roto o te whare, ka taea te whakarato i nga otinga rauemi ngaio mo koe.
Ka whakawhanake tonu matou i nga tikanga matatau ki te whakarato rauemi matatau ake, a kua mahia e matou he hangarau arai motuhake, e taea ai te hono i waenga i te paninga me te tïpako kia piri, kia iti ake te wariu ki te wehe.
Tena koe ki te toro ki to maatau wheketere, me korero ano!
