PSS Etch Carrier

Whakaahuatanga Poto:

Wāhi Taketake:Haina

Hanganga Kiriata:Wāhanga FCCβ

Kiato:3.21 g/cm;

pakeke:2500 Vickers;

Rahi witi:2~10μm;

Te Maamaa:99.99995%;

Raukaha wera:640J·kg-1·K-1;

Te Mahana Whakararo:2700 ℃;

Te Kaha Felexural:415 Mpa (RT 4-Point);

Kōwae Young's:430 Gpa (4pt piko, 1300 ℃);

Roha Ngawha (CTE):4.5 10-6K-1;

Kawenga Ngawha:300（W/MK）;

Tukuna he imeera ki a matou Tikiake hei PDF

Taipitopito Hua

Tohu Hua

Whakaahuatanga Hua

Ka whakaratohia e to taatau kamupene nga ratonga tukanga whakakikorua SiC ma te tikanga CVD i runga i te mata o te kauwhata, nga karamu me etahi atu taonga, kia tauhohe nga hau motuhake kei roto i te waro me te silicon i te teitei o te pāmahana ki te whiwhi i nga ngota ngota SiC parakore teitei, nga ngota ngota ka waiho ki runga i te mata o nga mea pani, hanga paparanga tiaki SIC.

Āhuatanga matua:

1. Te teitei o te pāmahana aukati waiora:

he tino pai tonu te parenga waiora i te wa e teitei ana te pāmahana ki te 1600 C.

2. Te parakore teitei : i hangaia e te waipara matū matū i raro i te ahua o te maota o te pāmahana teitei.

3. Atete te horo: te pakeke teitei, te mata kiato, nga matūriki pai.

4. Te aukati waikura: te waikawa, te kawakore, te tote me nga reagents waro.

Nga Whakatakotoranga Matua o te Whakakikorua CVD-SIC

Nga Taonga SiC-CVD
Hanganga Kiriata	FCC β wāhanga
Kiato	g/cm³	3.21
Te pakeke	Vickers pakeke	2500
Rahi witi	μm	2~10
Te Maamaa	%	99.99995
Raukaha Wera	J·kg-1 ·K-1	640
Te Mahana Whakararo	℃	2700
Te Kaha Felexural	MPa (RT 4-point)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt piko, 1300℃)	430
Roha Ngawha (CTE)	10-6K-1	4.5
Te kawe werawera	(W/mK)	300