1. Tuatoru-whakatupuranga Semiconductors
I whakawhanakehia te hangarau o te reanga tuatahi i runga i nga rauemi semiconductor penei i a Si me Ge. Koia te turanga rauemi mo te whakawhanaketanga o nga transistors me te hangarau iahiko whakauru. Ko nga rauemi semiconductor reanga tuatahi i whakatakoto te turanga mo te ahumahi hiko i te rautau 20, a ko nga rauemi taketake mo te hangarau ara iahiko whakauru.
Ko nga rauemi semiconductor reanga tuarua ko te gallium arsenide, te indium phosphide, te gallium phosphide, te indium arsenide, te konumohe arsenide me o raatau pūhui ternary. Ko nga rauemi semiconductor reanga tuarua ko te turanga o te umanga korero optoelectronic. I runga i tenei kaupapa, kua whakawhanakehia nga ahumahi e pa ana ki te rama, te whakaatu, te laser, me te photovoltaics. E whakamahia nuitia ana i roto i nga hangarau korero o naianei me nga ahumahi whakaatu optoelectronic.
Ko nga taonga o te reanga tuatoru o nga rauemi semiconductor ko te gallium nitride me te silicon carbide. Na te whanui o te roopu roopu, te tere tere tere tere o te hiko, te kaha o te waiariki, me te kaha o te waahi pakaru, he rauemi pai mo te whakarite i nga taputapu hiko teitei, te auau teitei, me nga taputapu hiko iti-mate. I roto i a raatau, ko nga taputapu hiko carbide silicon nga painga o te kaha o te kaha o te kaha, te iti o te whakapau kaha, me te iti o te rahi, me te whai waahi nui ki te tono mo nga waka hiko hou, photovoltaics, waka tereina, raraunga nui, me etahi atu mara. Ko nga taputapu Gallium nitride RF nga painga o te auau teitei, te kaha nui, te whanui whanui, te iti o te kaha me te iti o te rahi, me te whai waahi nui ki te tono i roto i nga korero 5G, te Ipurangi o nga Mea, te radar hoia me etahi atu mara. I tua atu, kua whakamahia nuitia nga taputapu hiko gallium nitride i roto i te waahi iti-ngaohiko. I tua atu, i nga tau tata nei, ko nga rauemi gallium oxide e puta mai ana ka hangai i nga mahi hangarau me nga hangarau SiC me te GaN o naianei, me te whai waahi ki te tono i roto i nga waahi iti me te ngaohiko teitei.
Ka whakatauritea ki nga rauemi semiconductor-whakatupuranga tuarua, ko nga rauemi semiconductor tuatoru-whakatupuranga he whanui ake te whanui bandgap (te whanui bandgap o Si, he rauemi angamaheni o te rauemi semiconductor reanga tuatahi, he tata ki te 1.1eV, te whanui bandgap o GaAs, he angamaheni. Ko nga mea o te reanga tuarua o nga rauemi semiconductor, he tata ki te 1.42eV, me te whanui o Ko te GaN, he rauemi angamaheni o te rauemi semiconductor tuatoru-whakatupuranga, kei runga ake i te 2.3eV), he kaha ake te parenga iraruke, he kaha ake te aukati ki te pakaru o te papa hiko, me te kaha ake o te parenga pāmahana. Ko nga rawa tuatoru-whakatupuranga semiconductor me te whanui bandgap whanui e tino pai ana mo te hanga o nga taputapu hiko-a-te-raruraru, teitei-auau, te kaha-kaha me te whakaurunga-nui. Ko o raatau tono i roto i nga taputapu reo irirangi ngaruiti, nga rama, nga laser, nga taputapu hiko me etahi atu mara kua aro nui ki a raatau, a kua whakaatuhia e ratou nga tumanakohanga whanaketanga whanui i roto i nga whakawhitinga waea, nga maatai atamai, te whakawhiti tereina, nga waka hiko hou, nga hikohiko kaihoko, me te ultraviolet me te puru. -nga taputapu rama matomato [1].
Puna whakaahua: CASA, Zheshang Securities Research Institute
Whakaahua 1 GaN taputapu hiko tauine wa me te matapae
II GaN hanganga rauemi me nga ahuatanga
Ko te GaN he kaikohikohiko takawaenga tika. Ko te whanui kopae o te hanganga wurtzite i te pāmahana rūma e tata ana ki te 3.26eV. Ko nga taonga GaN e toru nga hanganga tioata matua, ara te hanganga wurtzite, te hanganga sphalerite me te hanganga tote toka. I roto ia ratou, ko te hanganga wurtzite te hanganga karaihe tino pumau. Ko te ahua 2 he hoahoa o te hanganga wurtzite hexagonal o GaN. Ko te hanganga wurtzite o nga rawa GaN no te hanganga hexagonal kati-kii. Kei ia pūtau waeine 12 ngota, tae atu ki te 6 N ngota me te 6 ng ngota Ga. Ka hangaia e ia ngota Ga (N) he hononga ki nga ngota N (Ga) e 4 e tata ana, ka tapae ki te raupapa o AABAB… i te [0001] ahunga [2].
Whakaatu 2 Hanganga Wurtzite GaN hoahoa pūtau kiriata
III Nga taputapu e whakamahia ana mo te GaN epitaxy
Te ahua nei ko te epitaxy homogeneous i runga i nga taputapu GaN te mea pai rawa atu mo te epitaxy GaN. Heoi, na te nui o te kaha here o te GaN, ka tae te pāmahana ki te rewa o te 2500 ℃, ko te pehanga whakangao e rite ana ki te 4.5GPa. Ina he iti iho te pehanga pirau i tenei pehanga, karekau a GaN e rewa engari ka pirau tika. Na tenei ka kore e tika nga hangarau whakareri i te papatipu pakeke penei i te tikanga Czochralski mo te whakarite i nga taputapu karaihe kotahi a GaN, na te mea he uaua nga taputapu GaN ki te whakaputa papatipu me te utu nui. Na reira, ko nga taputapu e whakamahia nuitia ana i roto i te tipu epitaxial GaN ko te nuinga o Si, SiC, sapphire, me etahi atu [3].
Tūtohi 3 GaN me ngā tawhā o ngā rawa tïpako e whakamahia nuitia ana
GaN epitaxy i runga i te hapaira
He tino matū a Sapphire, he iti te utu, he nui te pakeketanga o te ahumahi whakaputa nui. Na reira, kua noho ko tetahi o nga rawa tuatahi me te tino whakamahia i roto i te miihini taputapu semiconductor. Ko tetahi o nga taputapu e whakamahia nuitia ana mo te GaN epitaxy, ko nga raru nui me whakatika mo nga taputapu sapphire ko:
✔ Na te nui o te reanga i waenga i te sapphire (Al2O3) me te GaN (tata ki te 15%), he tiketike rawa te kiato koha i te atanga i waenga i te paparanga epitaxial me te tïpako. Hei whakaiti i ona paanga kino, me tukuna te tïpako ki te maimoatanga uaua i mua i te tiimata o te mahi epitaxy. I mua i te whakatipu GaN epitaxy ki runga i nga taputapu sapphire, me tino horoi te mata o te tïpako ki te tango i nga poke, te toenga o nga kino oro, me era atu, me te whakaputa i nga hikoi me nga hanganga o te mata. Na, ka nitrided te mata tïpako ki te huri i te āhuatanga mākū o te apa epitaxial. Ka mutu, me whakatakoto he paparanga parepare AlN angiangi (te nuinga o te 10-100nm te matotoru) ki runga i te mata o te tïpako me te whakahiato i te pāmahana iti hei whakarite mo te tipu epitaxial whakamutunga. Heoi ano, ko te kiato wehenga i roto i nga kiriata epitaxial GaN e tupu ana i runga i nga taputapu sapphire he teitei ake i tera o nga kiriata homoepitaxial (mo te 1010cm-2, ka whakaritea ki te tino kore te kiato dislocation i roto i nga kiriata homoepitaxial silicon me nga kiriata homoepitaxial gallium arsenide, i waenga ranei i te 102 me te 104cm- 2). Ko te teitei ake o te kiato koha ka whakaiti i te nekeneke o te kaikawe, na reira ka whakapoto i te oranga o te kaikawe tokoiti me te whakaheke i te kawe werawera, ko enei katoa ka whakaiti i te mahi o te taputapu [4];
✔ He nui ake te whakarea roha waiariki o te sapphire i tera o GaN, no reira ka puta te ahotea kōpeke rua i roto i te paparanga epitaxial i te wa o te whakamataotanga mai i te pāmahana waipara ki te pāmahana rūma. Mo nga kiriata epitaxial matotoru ake, na tenei taumahatanga ka pakaru te kiriata, ara te tïpako ranei;
✔ Ka whakatauritea ki etahi atu taputapu, he iti ake te kawe wera o nga taputapu sapphire (mo te 0.25W * cm-1 * K-1 i te 100 ℃), he kino te mahi tohanga wera;
✔ Na te ngoikore o te kawe, kaore e pai ana nga taputapu sapphire ki te whakauru me te tono ki etahi atu taputapu semiconductor.
Ahakoa he tiketike te kiato koha o nga papa epitaxial GaN i tupu i runga i nga taputapu sapphire, te ahua nei kaore e tino whakaitihia te mahi optoelectronic o nga rama puru-matomato-a-GaN, na reira kei te whakamahia tonu nga taputapu sapphire hei taputapu mo nga rama a-GaN.
Na te whanaketanga o etahi atu tono hou o nga taputapu GaN penei i te laser me etahi atu taputapu hiko teitei, ko nga hapa o nga taputapu sapphire kua kaha ake te aukati i a raatau tono. I tua atu, na te whakawhanaketanga o te hangarau tipu SiC substrate, te whakahekenga utu me te pakeketanga o te hangarau epitaxial GaN i runga i nga taputapu Si, kua nui ake nga rangahau mo te whakatipu i nga paparanga epitaxial GaN i runga i nga taputapu sapphire kua whakaatuhia he ahua whakamatao.
GaN epitaxy i runga i te SiC
Ka whakatauritea ki te sapphire, ko nga taputapu SiC (4H- me te 6H-crystals) he iti ake te rerekee o te kurupae ki nga paparanga epitaxial GaN (3.1%, e rite ana ki te [0001] kiriata epitaxial e aro ana), teitei ake te kawe wera (mo te 3.8W*cm-1*K). -1), me etahi atu. I tua atu, ka taea e te kawe o nga taputapu SiC te hanga i nga hononga hiko ki runga i te te tuara o te tïpako, e äwhina ana ki te whakangäwari i te hanganga o te taputapu. Ko te noho o enei painga kua kaha ake nga kairangahau ki te mahi i te GaN epitaxy i runga i nga taputapu carbide silicon.
Heoi, ko te mahi tika i runga i nga taputapu SiC ki te karo i te tipu haere o nga epilayers GaN ka pa ano ki etahi momo ngoikoretanga, tae atu ki enei e whai ake nei:
✔ Ko te taratara o te mata o nga taputapu SiC he nui ake i tera o nga taputapu sapphire (te sapphire 0.1nm RMS, SiC roughness 1nm RMS), he nui te pakeke o nga taputapu SiC me te kino o te mahi tukatuka, a ko tenei kirikiri me te toenga o te kino o te whakakoi tetahi o nga puna o nga hapa i roto i nga epilayers GaN.
✔ He tiketike te kiato wehenga o nga taputapu SiC (te kiato wehenga 103-104cm-2), ka toro atu pea nga wehenga ki te epilayer GaN me te whakaiti i te mahi o te taputapu;
✔ Ko te whakaritenga ngota i runga i te mata o te tïpako e whakaawe ana i te hanga o nga hapa tapapa (BSF) i roto i te epilayer GaN. Mo te GaN epitaxial i runga i nga taputapu SiC, he maha nga ota whakaritenga ngota kei runga i te tïpako, ka puta mai he orite te ota whakaemi ngota tuatahi o te paparanga GaN epitaxial ki runga, he pai ki te whakaputu i nga hapa. Ko nga hapa o te taapu (SFs) ka whakauru i nga papa hiko i roto i te taha o te tuaka-c, ka puta nga raruraru penei i te rerenga o nga taputapu wehe i roto i te waka rererangi;
✔ He iti ake te whakarea roha waiariki o te tïpako SiC i te AlN me te GaN, na reira ka whakaemihia te ahotea waiariki i waenga i te paparanga epitaxial me te tïpako i te wa o te whakamatao. I matapae a Waltereit me Brand i runga i a raatau hua rangahau ka taea tenei raru te whakamaarama, te whakaoti ranei ma te whakatipu i nga paparanga epitaxial GaN ki runga i nga papahanga karihi AlN angiangi, kua riipohia;
✔ Ko te raru o te ngoikore o te makuku o nga ngota Ga. I te wa e tipu ana nga paparanga epitaxial GaN ki runga i te mata o te SiC, na te ngoikore o te makuku i waenga i nga ngota e rua, ka kaha te GaN ki te tipu o te motu 3D i runga i te mata o te tïpako. Ko te whakauru i te paparanga parepare ko te otinga tino whakamahia hei whakapai ake i te kounga o nga rawa epitaxial i roto i te GaN epitaxy. Ko te whakauru i tetahi paparanga parepare AlN, AlxGa1-xN ranei ka taea te whakapai ake i te makuku o te mata o te SiC me te whakatipu i te paparanga epitaxial GaN ki nga waahanga e rua. I tua atu, ka taea hoki te whakahaere i te ahotea me te aukati i nga koha o te tïpako kia toro atu ki te GaN epitaxy;
✔ Ko te hangarau whakarite o nga taputapu SiC he mea pakeke, he nui te utu o te taputapu, he iti noa nga kaiwhakarato me te iti o te tuku.
Ko nga rangahau a Torres et al. e whakaatu ana ko te tarai i te Tïpako SiC me te H2 i te pāmahana teitei (1600°C) i mua i te epitaxy ka taea te hanga i te hanganga hikoi ake i runga i te mata o te tïpako, na reira ka whiwhi i te kiriata epitaxial AlN kounga teitei ake i te wa e tika ana. tupu i runga i te mata tïpako taketake. Ko te rangahau a Xie me tana roopu e whakaatu ana ko te whakamaarama i mua i te whakamaaramatanga o te taputapu carbide silicon ka taea te whakapai ake i te ahua o te mata me te kounga karaihe o te paparanga epitaxial GaN. Smith et al. i kitea ko nga wehenga miro i ahu mai i te paparanga papaa / papaaa me nga atanga paparanga papaa / epitaxial e pa ana ki te papatahi o te papaa [5].
Whakaahua 4 TEM morphology o nga tauira paparanga epitaxial GaN i tupu i runga i te tïpako 6H-SiC (0001) i raro i nga tikanga maimoatanga mata rereke (a) te horoi matū; (b) te horoi matū + te maimoatanga plasma hauwai; (c) te horoi matū + te maimoatanga plasma hauwai + 1300 ℃ te maimoatanga wera hauwai mo te 30min
GaN epitaxy on Si
Ka whakatauritea ki te carbide silicon, sapphire me etahi atu taputapu, he pakeke te mahi whakarite i te takai hinu, a ka taea e ia te whakarato i nga taputapu nui-nui me te utu utu nui. I te wa ano, he pai te hiko o te waiariki me te hiko hiko, a, kua pakeke te tukanga taputapu hiko Si. Ko te kaha ki te whakauru tika i nga taputapu GaN optoelectronic me nga taputapu hiko Si a meake nei ka tino ataahua te tipu o te GaN epitaxy i runga i te silicon.
Heoi, na te nui o te rerekeetanga i roto i nga taapapa kurupae i waenga i te taputapu Si me nga rawa GaN, ko te epitaxy heterogeneous o GaN i runga i te Si substrate he epitaxy nui kore e rite, a me raru ano ia i etahi raru:
✔ raruraru pūngao atanga mata. Ka tipu te GaN i runga i te papaa Si, ka tuatahi whakanitarihia te mata o te taputapu Si ki te hanga i tetahi paparanga nitride silicon amorphous e kore e pai ki te nucleation me te tipu o te GaN teitei. I tua atu, ko te mata Si ka whakapiri tuatahi ki a Ga, ka pirau te mata o te taputapu Si. I te teitei o te mahana, ka marara te pirau o te mata Si ki roto i te paparanga epitaxial GaN ki te hanga i nga wahi pango pango.
✔ Ko te koretake tonu o te reanga i waenga i te GaN me te Si he nui (~ 17%), ka arahi ki te hanga o nga wehenga miro teitei me te tino whakaiti i te kounga o te paparanga epitaxial;
✔ Ka whakatauritea ki a Si, he nui ake te whakarea roha waiariki a GaN (ko te whakarea roha waiariki a GaN he 5.6×10-6K-1, he 2.6×10-6K-1 te whakarea roha waiariki a GaN, ka puta pea nga kapiti i roto i te GaN. paparanga epitaxial i te wa e whakamahana ana te pāmahana epitaxial ki te pāmahana rūma;
✔ Ka tauhohe a Si ki te NH3 i te pāmahana teitei kia hanga polycrystalline SiNx. Kare e taea e AlN te hanga i tetahi karihi tino pai ki runga i te polycrystalline SiNx, e arai atu ana ki te whakararurarutanga o te paparanga GaN ka tupu i muri mai me te maha o nga koha, ka hua te kore o te kounga karaihe o te paparanga epitaxial GaN, me te uaua ki te hanga i tetahi kirikiri-kotahi. Paparanga epitaxial GaN [6].
Hei whakatau i te raru o te koretake o nga reeti nui, kua ngana nga kairangahau ki te whakauru i nga rauemi penei i te AlAs, GaAs, AlN, GaN, ZnO, me SiC hei papa parepare i runga i nga taputapu Si. Hei karo i te hanganga o te polycrystalline SiNx me te whakaiti i ona paanga kino ki te kounga karaihe o nga taonga GaN / AlN / Si (111), ko te tikanga me whakauru a TMal mo etahi wa i mua i te tipu o te epitaxial o te paparanga papaa AlN. kia kore ai e tauhohe te NH3 ki te mata Si e kitea ana hei hanga SiNx. I tua atu, ka taea te whakamahi i nga hangarau epitaxial penei i te hangarau substrate tauira hei whakapai ake i te kounga o te paparanga epitaxial. Ko te whakawhanaketanga o enei hangarau ka awhina ki te whakakore i te hanganga o SiNx i te atanga epitaxial, te whakatairanga i te tipu-rua o te paparanga epitaxial GaN, me te whakapai ake i te tipu o te tipu o te paparanga epitaxial. I tua atu, ka whakauruhia he paparanga parepare AlN hei utu mo te ahotea i puta mai i te rerekeetanga o nga whakarea whakareatanga werawera hei karo i nga kapiti i roto i te paparanga epitaxial GaN i runga i te taputapu silicon. Ko nga rangahau a Krost e whakaatu ana he pai te hononga i waenga i te matotoru o te paparanga parepare AlN me te whakahekenga o te riaka. Ka eke ki te 12nm te matotoru o te paparanga parepare, ka taea te whakatipu i tetahi paparanga epitaxial nui ake i te 6μm ki runga i te tïpako silicon na roto i te kaupapa tipu tika me te kore e pakaru te paparanga epitaxial.
Whai muri i nga mahi roa a nga kairangahau, kua tino pai ake te kounga o nga paparanga epitaxial GaN i whakatipuhia i runga i nga taputapu silicon, me nga taputapu penei i nga transistors pānga mara, Schottky barrier ultraviolet detectors, LED puru-matomato me nga laser ultraviolet kua tino ahu whakamua.
Hei whakarāpopototanga, i te mea he epitaxy heterogenous katoa nga taputapu epitaxial GaN e whakamahia nuitia ana, ka pa ki a ratou nga raruraru noa penei i te kore oritenga reanga me nga rereketanga nui i roto i nga whakarea roha wera ki nga nekehanga rereke. Ko nga taputapu GaN epitaxial Homogeneous e whakawhäitihia ana e te pakeke o te hangarau, a, ko nga taputapu kaore ano kia hanga papatipu. He nui te utu whakaputa, he iti te rahi o te taputapu, a, kaore i te pai te kounga o te taputapu. Ko te whakawhanaketanga o nga taputapu epitaxial hou me te whakapai ake i te kounga epitaxial tetahi o nga mea nui e aukati ana i te whanaketanga o te umanga epitaxial GaN.
IV. Nga tikanga noa mo te GaN epitaxy
MOCVD (whakapae kohu matū)
Te ahua nei ko te epitaxy homogeneous i runga i nga taputapu GaN te mea pai rawa atu mo te epitaxy GaN. Heoi, i te mea ko te trimethylgallium me te haukini te kaitaunaki o te haukini, he hauwai te hau kawe, ko te pāmahana tipu MOCVD mo te 1000-1100 ℃, me te tere o te tipu o te MOCVD he iti noa nga microns ia haora. Ka taea e ia te whakaputa i nga atanga teitei i te taumata ngota, he mea tino pai mo te whakatipu heterojunctions, puna quantum, superlattices me etahi atu hanganga. Ko te tere o te tipu, te pai o te rite, me te pai mo te waahi-nui me te tipu-maha ka whakamahia i roto i nga mahi ahumahi.
MBE (epitaxy kurupae rāpoi)
I roto i te epitaxy kurupae ngota, ka whakamahi a Ga i tetahi puna huanga, ka riro mai te hauota kaha mai i te hauota ma te plasma RF. Ina whakaritea ki te tikanga MOCVD, ko te pāmahana tipu MBE kei te 350-400 ℃ raro. Ko te iti o te pāmahana tipu ka taea te karo i etahi parahanga ka puta mai pea i nga taiao wera nui. Ko te punaha MBE e mahi ana i raro i te korehau ultra-tiketike, ka taea e ia te whakauru atu i nga tikanga rapunga i roto i te waahi. I te wa ano, ko te tere o te tipu me te kaha o te whakaputa kaore e taea te whakataurite ki te MOCVD, a he nui ake te whakamahi i roto i te rangahau pūtaiao [7].
Whakaahua 5 (a) Te hoahoanga Eiko-MBE (b) MBE te hangahanga ruuma tauhohenga matua
Tikanga HVPE (waiwai hauwai wahanga epitaxy)
Ko nga tohu o te tikanga epitaxy wahanga kohu waiu ko GaCl3 me te NH3. Detchprohm et al. I whakamahia tenei tikanga ki te whakatipu i tetahi paparanga epitaxial GaN e hia rau nga microns te matotoru i runga i te mata o te tïpako hapaira. I roto i ta raatau whakamatautau, i whakatipuhia he paparanga ZnO i waenga i te papa o te sapphire me te paparanga epitaxial hei paparanga parepare, a ka tihorea te paparanga epitaxial mai i te mata o te taputapu. Ka whakatauritea ki te MOCVD me te MBE, ko te ahuatanga matua o te tikanga HVPE ko te tipu o te tipu teitei, e tika ana mo te hanga i nga papaa matotoru me nga taonga nui. Engari, ka nui ake te matotoru o te paparanga epitaxial ki te 20μm, ka pakaru te paparanga epitaxial i hangaia e tenei tikanga.
I whakauruhia e Akira USUI te hangarau taputapu tauira i runga i tenei tikanga. I te tuatahi i tipuhia e ratou he paparanga epitaxial GaN 1-1.5μm te matotoru ki runga i te taputapu hapira ma te whakamahi i te tikanga MOCVD. Ko te paparanga epitaxial ko te 20nm te matotoru o te papa parepare GaN i whakatipuhia i raro i nga ahuatanga o te pāmahana iti me te paparanga GaN i tupu i raro i nga tikanga pāmahana teitei. Na, i te 430 ℃, i whakakikoruatia he paparanga o SiO2 ki runga i te mata o te paparanga epitaxial, a ka hangaia nga whiu matapihi ki te kiriata SiO2 ma te whakaahua whakaahua. Ko te mokowhiti mokowhiti he 7μm me te whanui kanohi mai i te 1μm ki te 4μm. Whai muri i tenei whakapainga, i whiwhi ratou i tetahi paparanga epitaxial GaN i runga i te tïpako sapphire 2-inihi te whanui kaore he kapiti me te maeneene ano he whakaata ahakoa ka piki te matotoru ki te tekau, ki te rau moroiti ranei. I whakahekehia te kiato koha mai i te 109-1010cm-2 o te tikanga HVPE tuku iho ki te 6×107cm-2. I tohuhia ano e ratou i roto i te whakamatautau ka nui ake te tipu o te tipu ki te 75μm / h, ka pakaru te mata tauira [8].
Whakaaturanga 6 Raupapa Raupapa Whakairoiro
V. Whakarāpopoto me Outlook
I timata nga taonga a GaN ki te puta mai i te tau 2014 i te wa i riro i te rama puru puru te Tohu Nobel mo te Ahupūngao i tera tau, a ka uru ki te mara a te iwi mo nga tono utu tere i roto i te mara hikohiko kaihoko. Inaa, ko nga tono i roto i nga whakakaha hiko me nga taputapu RF e whakamahia ana i roto i nga teihana turanga 5G e kore e kitea e te nuinga o nga tangata kua puta marie ano. I nga tau kua pahure ake nei, ko te pakaruhanga o nga taputapu hiko-auto-a-raupapa-a-GaN e tika ana kia whakatuwherahia nga waahi tipu hou mo te maakete tono rauemi a GaN.
Ko te hiahia nui o te maakete ka whakatairanga i te whanaketanga o nga umanga me nga hangarau e pa ana ki te GaN. Na te pakeke me te whakapai ake o te mekameka ahumahi e pa ana ki te GaN, ko nga raru e pa ana ki te hangarau epitaxial GaN o naianei ka pai ake, ka hinga ranei. Hei nga ra kei te heke mai, he pono ka whanakehia e te tangata etahi atu hangarau epitaxial hou me nga whiringa taputapu pai rawa atu. I taua wa, ka taea e nga tangata te whiriwhiri i nga hangarau rangahau o waho me te taputapu mo nga ahuatanga tono rereke i runga i nga ahuatanga o nga ahuatanga tono, me te whakaputa i nga hua tino whakataetae.
Te wa tuku: Hune-28-2024