SILICON WAFER

SILICON WAFER

avy amin'ny sitronic

Amofo manifydia silaka silisiôma eo ho eo amin'ny 1 milimetatra ny hateviny izay tena fisaka tanteraka noho ny fomba fiasa izay tena mitaky ara-teknika. Ny fampiasana manaraka dia mamaritra izay fomba fampitomboana kristaly tokony hampiasaina. Ao amin'ny dingan'ny Czochralski, ohatra, ny silisiôna polycrystalline dia miempo ary ny krystaly voa manify misy pensilihazo dia atsoboka ao anaty silisiôna miendrika. Ny kristaly voa avy eo dia mihodina ary misintona tsikelikely miakatra. Ny colossus tena mavesatra, monocrystal, no vokany. Azo atao ny misafidy ny toetran'ny elektrônika monocrystal amin'ny alàlan'ny fampidirana singa kely misy dopants madio. Ny kristaly dia doped mifanaraka amin'ny fepetra takian'ny mpanjifa ary avy eo voaporitra sy notapatapahina. Aorian'ny dingana famokarana fanampiny isan-karazany, ny mpanjifa dia mahazo ny wafer voafaritra ao anaty fonosana manokana, izay ahafahan'ny mpanjifa mampiasa nymofo manifyavy hatrany ao amin'ny tsipika famokarana.

Amin'izao fotoana izao, ny ampahany betsaka amin'ny monocrystals silisiôma dia mitombo araka ny fizotry ny Czochralski, izay misy ny fandoroana silisiôma polycrystalline avo lenta amin'ny quartz hyperpure ary manampy ny dopant (matetika B, P, As, Sb). Atsoboka ao anaty silisiôma voarendrika ny krystaly voa manify monocrystalline. Avy eo dia misy kristaly CZ lehibe mipoitra avy amin'io kristaly manify io. Ny fanaraha-maso tsara ny mari-pana sy ny fikorianan'ny silisiôma voarendrika, ny fihodinan'ny krystaly sy ny crucible, ary ny hafainganam-pandehan'ny kristaly dia miteraka ingot silisiôna monocrystalline avo lenta.