Ny fitaovana semiconductor no fototry ny fitaovana maoderina indostrialy, be mpampiasa amin'ny solosaina, elektronika mpanjifa, fifandraisana amin'ny tambajotra, elektronika fiara, ary faritra hafa amin'ny fotony, ny indostrian'ny semiconductor dia ahitana singa efatra fototra: circuit integrated, fitaovana optoelectronic, fitaovana discrete, sensor, izay mitentina mihoatra ny 80% amin'ny circuit integrated, matetika ary mitovy amin'ny semiconductor sy integrated circuit.
Integrated circuit, araka ny sokajy vokatra dia mizara ho sokajy efatra indrindra: microprocessor, fahatsiarovana, lojika fitaovana, simulator faritra. Na izany aza, miaraka amin'ny fanitarana mitohy ny sehatry ny fampiharana ny fitaovana semiconductor, fotoana manokana maro no mitaky semiconductor mba ho afaka hifikitra amin'ny fampiasana ny mari-pana ambony, taratra mahery vaika, hery avo sy ny tontolo iainana hafa, tsy manimba, ny voalohany sy faharoa taranaka ny Ny fitaovana semiconductor dia tsy manan-kery, noho izany dia nisy ny taranaka fahatelo amin'ny fitaovana semiconductor.
Amin'izao fotoana izao, ny midadasika banga semiconductor fitaovana aseho amin'nysilisiôma carbide(SiC), gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO), diamondra, aluminium nitride (AlN) dia mitana ny tsena lehibe manana tombony lehibe kokoa, antsoina hoe fitaovana semiconductor andiany fahatelo. Ny taranaka fahatelo amin'ny fitaovana semiconductor miaraka amin'ny sakan'ny elanelana midadasika kokoa, ny avo kokoa ny fahatapahan'ny saha elektrika, ny conductivity mafana, ny taham-pamokarana elektronika ary ny fahaiza-manao ambony kokoa amin'ny fanoherana ny taratra, mety kokoa amin'ny fanaovana hafanana avo, matetika, fanoherana ny taratra ary fitaovana mahery vaika. , matetika fantatra amin'ny hoe fitaovana semiconductor bandgap midadasika (lehibe noho ny 2.2 eV ny sakan'ny tarika voarara), antsoina koa hoe fitaovana semiconductor avo lenta. Avy amin'ny fikarohana amin'izao fotoana izao momba ny fitaovana sy fitaovana semiconductor andiany fahatelo, ny karbida silisiôma sy ny fitaovana semiconductor gallium nitride dia matotra kokoa, arysilisiôma carbide teknolojiano matotra indrindra, raha mbola eo amin'ny dingana voalohany ny fikarohana momba ny zinc oxide, diamondra, aluminium nitride ary fitaovana hafa.
Fitaovana sy ny toetrany:
Silicon carbideNy fitaovana dia be mpampiasa amin'ny seramika baolina bearings, valves, semiconductor fitaovana, gyros, fitaovana fandrefesana, aerospace sy ny saha hafa, dia lasa fitaovana tsy azo soloina amin'ny sehatra indostrialy maro.
SiC dia karazana superlattice voajanahary ary polytype homogeneous mahazatra. Misy fianakaviana polytypic homotypic maherin'ny 200 (fantatra ankehitriny) noho ny fahasamihafan'ny filaharan'ny fonosana misy eo amin'ny sosona diatomika Si sy C, izay mitondra any amin'ny rafitra kristaly samihafa. Noho izany, ny SiC dia tena mety amin'ny taranaka vaovao amin'ny diode hazavana (LED) substrate, fitaovana elektronika matanjaka.
| toetra | |
| fananana ara-batana | Ny hamafin'ny avo (3000kg/mm), afaka manapaka robina |
| Ny fanoherana avo lenta, faharoa amin'ny diamondra | |
| Ny conductivity mafana dia avo 3 heny noho ny an'ny Si ary 8 ~ 10 heny noho ny an'ny GaAs. | |
| Ny fahamarinan-toerana mafana amin'ny SiC dia avo ary tsy azo atao ny miempo amin'ny tsindry amin'ny atmosfera | |
| Tena zava-dehibe ho an'ny fitaovana avo lenta ny fahombiazan'ny fanaparitahana hafanana tsara | |
|
fananana simika | Tena mahery vaika fanoherana harafesiny, mahatohitra ny saika misy corrosive mpandraharaha amin'ny efitra mari-pana |
| SiC surface mora oxidizes mba hamorona SiO, sosona manify, afaka misakana ny oxidation bebe kokoa, in Mihoatra ny 1700 ℃, ny sarimihetsika oxide dia miempo ary mihodinkodina haingana | |
| Ny elanelana misy eo amin'ny 4H-SIC sy 6H-SIC dia eo amin'ny in-3 an'ny Si ary in-2 an'ny GaAs: Ny hamafin'ny sahan'aratra elektrika tapaka dia filaharana ambony kokoa noho ny Si, ary ny hafainganam-pandehan'ny elektrônika dia tototry. In-droa sy tapany ny Si. Ny elanelana misy eo amin'ny 4H-SIC dia midadasika kokoa noho ny an'ny 6H-SIC |
Fotoana fandefasana: Aug-01-2022