NEWS

Pedestals fampiasa matetika ho an'ny epitaxy phase etona
nataon'ny admin tamin'ny 24-07-30
Mandritra ny fizotran'ny epitaxy (VPE), ny andraikitry ny pedestal dia ny manohana ny substrate ary miantoka ny fanamainana fanamiana mandritra ny dingan'ny fitomboana. Ny karazana faladia samihafa dia mety amin'ny toetry ny fitomboana sy ny rafitra ara-materialy. Ireto manaraka ireto ny sasany...
Hamaky bebe kokoa
Ahoana no hanitarana ny fiainana fanompoana tantalum carbide mifono vokatra?
nataon'ny admin tamin'ny 24-07-26
Ny vokatra vita amin'ny karbida tantalum dia fitaovana amin'ny hafanana avo lenta, miavaka amin'ny fanoherana ny hafanana avo, ny fanoherana ny harafesina, ny fanoherana ny akanjo, sns. Noho izany dia ampiasaina betsaka amin'ny indostria toy ny aerospace, simika ary angovo. Mba ex...
Hamaky bebe kokoa
Inona no maha samy hafa ny PECVD sy LPCVD amin'ny semiconductor CVD fitaovana?
nataon'ny admin tamin'ny 24-07-24
Ny fametrahana ny etona simika (CVD) dia manondro ny fizotry ny fametrahana sarimihetsika mivaingana eo ambonin'ny savony silisiôma amin'ny alàlan'ny fanehoan-kevitra simika amin'ny fangaro entona. Araka ny fepetra fanehoan-kevitra samihafa (tsindry, mialoha), dia azo zaraina ho fitaovana isan-karazany ...
Hamaky bebe kokoa
Toetran'ny bobongolo grafita silisiôma carbide
nataon'ny admin tamin'ny 24-07-18
Silicon Carbide Graphite Mold Silicon carbide graphite bobongolo dia lasitra mitambatra miaraka amin'ny silisiôma carbide (SiC) ho fototra ary grafit ho fitaovana fanamafisana. Ity bobongolo ity dia manana conductivity mafana tsara, fanoherana ny mari-pana ambony, fanoherana ny harafesina ary ...
Hamaky bebe kokoa
Semiconductor dingana feno photolithography
nataon'ny admin tamin'ny 24-07-16
Ny fanamboarana ny vokatra semiconductor tsirairay dia mitaky dingana an-jatony. Zarainay ho dingana valo ny dingana famokarana manontolo: fanodinana wafer-oxidation-photolithography-etching-thin film deposition-epitaxial growth-diffusion-ion implantation. Mba hanampiana anao...
Hamaky bebe kokoa
4 miliara! SK Hynix dia nanambara ny fampiasam-bolan'ny fonosana semiconductor mandroso ao amin'ny Purdue Research Park
nataon'ny admin tamin'ny 24-07-09
West Lafayette, Indiana - SK hynix Inc. dia nanambara ny fikasana hampiasa vola efa ho 4 lavitrisa dolara hananganana fanamboarana fonosana sy trano R&D ho an'ny vokatra artifisialy ao amin'ny Purdue Research Park. Mametraka rohy lehibe amin'ny rojo famatsiana semiconductor amerikana any West Lafayett...
Hamaky bebe kokoa
Ny teknolojia laser dia mitarika ny fiovan'ny teknolojia fanodinana substrate silisiôma
nataon'ny admin tamin'ny 24-07-08
1. Overview ny silisiôma carbide substrate teknolojia fanodinana Ny silisiôma carbide substrate dingana amin'izao fotoana izao dia ahitana: fitotoana ny ivelany faribolana, slicing, chamfering, fitotoana, poloney, fanadiovana, sns Slicing dia dingana lehibe amin'ny semiconductor substrate pr ...
Hamaky bebe kokoa
Fitaovana mafana mahazatra mahazatra: C/C composite material
nataon'ny admin tamin'ny 24-07-01
Ny composites carbon-carbon dia karazana composite fibre karbônina, miaraka amin'ny fibre karbônina ho fitaovana fanamafisana ary karbaona napetraka ho fitaovana matrix. Ny matrix ny C/C composites dia karbona. Satria izy io dia saika voaforona amin'ny karbaona singa, dia manana fanoherana ny hafanana avo lenta ...
Hamaky bebe kokoa
Teknika telo lehibe ho an'ny fitomboan'ny kristaly SiC
nataon'ny admin tamin'ny 24-07-01
Araka ny aseho ao amin'ny sary 3, misy teknika telo manan-danja mikendry ny hanome kristaly tokana SiC manana kalitao avo lenta sy mahomby: epitaxy phase liquide (LPE), fitaterana etona ara-batana (PVT), ary fametrahana etona simika avo lenta (HTCVD). Ny PVT dia dingana efa voafaritra tsara amin'ny famokarana SiC ota ...
Hamaky bebe kokoa