SiC pārklājuma grafīta MOCVD vafeļu nesēji, grafīta susceptoriSiC epitaksija,
Ogleklis piegādā susceptorus, Grafīta epitaksijas susceptori, Grafīta atbalsta substrāti, MOCVD susceptors, SiC epitaksija, Vafeļu susceptori,

Mūsu ar SiC pārklāto grafīta suskeptoru īpašās priekšrocības ietver īpaši augstu tīrības pakāpi, viendabīgu pārklājumu un izcilu kalpošanas laiku. Viņiem ir arī augsta ķīmiskā izturība un termiskās stabilitātes īpašības.

Grafīta substrāta SiC pārklājums pusvadītāju lietojumiem rada detaļu ar izcilu tīrību un izturību pret oksidējošu atmosfēru.
CVD SiC vai CVI SiC tiek uzklāts uz vienkāršu vai sarežģītu dizaina detaļu grafītu. Pārklājumu var uzklāt dažādos biezumos un ļoti lielām daļām.

Funkcijas:
· Lieliska termiskā triecienizturība
· Lieliska fiziskā triecienizturība
· Lieliska ķīmiskā izturība
· Īpaši augsta tīrība
· Pieejamība kompleksā formā
· Izmantojams oksidējošā atmosfērā

Pielietojums:

Grafīta pamatmateriāla tipiskās īpašības:

Ogleklis piegādā susceptorusun grafīta sastāvdaļas visiem pašreizējiem epitaksijas reaktoriem. Mūsu portfelī ietilpst mucas susceptori lietišķajām un LPE vienībām, pankūku suskeptori LPE, CSD un Gemini vienībām un vienas vafeles susceptori lietišķajām un ASM vienībām. Apvienojot spēcīgas partnerattiecības ar vadošajiem oriģinālo iekārtu ražotājiem, materiālu zināšanas un ražošanas know-how, SGL piedāvā optimālu dizainu jūsu lietojumprogrammai.