Mēs esam pieredzējis ražotājs. Iegūstot lielāko daļu no svarīgākajiem sertifikātiem savā tirgū uzticamam piegādātājam Ķīnas RP/HP/UHP augstas kvalitātes grafīta kolonnā, mēs aicinām jūs un jūsu uzņēmumu attīstīties kopā ar mums un dalīties ar žilbinošo paredzamo nākotni pasaules tirgū.
Mēs esam pieredzējis ražotājs. Iegūstot lielāko daļu no svarīgākajiem sava tirgus sertifikātiemĶīnas elektrods, Grafīta elektrods, Mūsu pētniecības un attīstības nodaļa vienmēr izstrādā jaunas modes idejas, lai mēs varētu katru mēnesi ieviest jaunākos modes stilus. Mūsu stingrās ražošanas vadības sistēmas vienmēr nodrošina stabilas un augstas kvalitātes preces. Mūsu tirdzniecības komanda sniedz savlaicīgus un efektīvus pakalpojumus. Ja rodas interese un jautājumi par mūsu produktiem un risinājumiem, neaizmirstiet sazināties ar mums savlaicīgi. Mēs vēlētos nodibināt biznesa attiecības ar jūsu cienījamo uzņēmumu.
Oglekļa / oglekļa kompozītmateriāli(turpmāk tekstā "C/C vai CFC”) ir sava veida kompozītmateriāls, kura pamatā ir ogleklis un kas pastiprināts ar oglekļa šķiedru un tās izstrādājumiem (oglekļa šķiedras sagatave). Tam piemīt gan oglekļa inerce, gan oglekļa šķiedras augsta izturība. Tam ir labas mehāniskās īpašības, karstumizturība, izturība pret koroziju, berzes slāpēšana un siltuma un elektriskās vadītspējas īpašības
CVD-SiCpārklājumam ir vienādas struktūras, kompakta materiāla, augstas temperatūras izturības, oksidācijas izturības, augstas tīrības, skābju un sārmu izturības un organiskā reaģenta īpašības, ar stabilām fizikālajām un ķīmiskajām īpašībām.
Salīdzinot ar augstas tīrības pakāpes grafīta materiāliem, grafīts sāk oksidēties 400 C temperatūrā, kas oksidācijas rezultātā izraisīs pulvera zudumu, kā rezultātā tiks piesārņota apkārtējā vide perifērijas ierīcēs un vakuuma kamerās, kā arī palielinās augstas tīrības pakāpes vides piemaisījumi.
Tomēr SiC pārklājums var uzturēt fizisko un ķīmisko stabilitāti 1600 grādos, to plaši izmanto mūsdienu rūpniecībā, īpaši pusvadītāju rūpniecībā.
Mūsu uzņēmums sniedz SiC pārklāšanas procesa pakalpojumus ar CVD metodi uz grafīta, keramikas un citu materiālu virsmām, lai īpašās oglekli un silīciju saturošās gāzes augstā temperatūrā reaģētu, lai iegūtu augstas tīrības pakāpes SiC molekulas, molekulas, kas nogulsnējas uz pārklājamo materiālu virsmas, veidojot SIC aizsargkārtu. Izveidotais SIC ir cieši saistīts ar grafīta pamatni, piešķirot grafīta pamatnei īpašas īpašības, tādējādi padarot grafīta virsmu kompaktu, bezporainību, izturību pret augstu temperatūru, izturību pret koroziju un oksidācijas izturību.
Galvenās iezīmes:
1. Augstas temperatūras oksidācijas izturība:
oksidācijas pretestība joprojām ir ļoti laba, ja temperatūra ir pat 1600 C.
2. Augsta tīrība: izgatavots ar ķīmisku tvaiku nogulsnēšanos augstās temperatūras hlorēšanas apstākļos.
3. Izturība pret eroziju: augsta cietība, kompakta virsma, smalkas daļiņas.
4. Izturība pret koroziju: skābes, sārmi, sāls un organiskie reaģenti.
Galvenās CVD-SIC pārklājumu specifikācijas:
| SiC-CVD | ||
| Blīvums | (g/cc)
| 3.21 |
| Liekšanas spēks | (Mpa)
| 470 |
| Termiskā izplešanās | (10-6/K) | 4
|
| Siltumvadītspēja | (W/mK) | 300
|
