Tagad mums ir daudz izcilu darbinieku, kuri lieliski izmanto interneta mārketingu, QC un strādā ar apgrūtinošām dilemmām uzticama piegādātāja Ķīnas augstas temperatūras vidukļa silīcija karbīda grafīta tīģeļa ražošanas metodēs. Patiesi ceram, ka mēs augam kopā ar saviem klientiem. visā pasaulē.
Tagad mums ir daudz izcilu personāla lietotāju, kuri lieliski pārvalda interneta mārketingu, QC un strādā ar apgrūtinošām dilemmām ražošanas metodes ietvaros.Ķīnas tīģelis, Grafīta tīģelis, Šodien mums ir klienti no visas pasaules, tostarp ASV, Krievijas, Spānijas, Itālijas, Singapūras, Malaizijas, Taizemes, Polijas, Irānas un Irākas.Mūsu uzņēmuma misija ir piegādāt augstākās kvalitātes preces par labāko cenu.Mēs ar nepacietību gaidījām iespēju veikt darījumus ar jums.
Oglekļa / oglekļa kompozītmateriāli(turpmāk tekstā "C/C vai CFC”) ir sava veida kompozītmateriāls, kura pamatā ir ogleklis un kas pastiprināts ar oglekļa šķiedru un tās izstrādājumiem (oglekļa šķiedras sagatave).Tam piemīt gan oglekļa inerce, gan oglekļa šķiedras augsta izturība.Tam ir labas mehāniskās īpašības, karstumizturība, izturība pret koroziju, berzes slāpēšana un siltuma un elektriskās vadītspējas īpašības
CVD-SiCpārklājumam ir vienādas struktūras, kompakta materiāla, augstas temperatūras izturības, oksidācijas izturības, augstas tīrības, skābju un sārmu izturības un organiskā reaģenta īpašības, ar stabilām fizikālajām un ķīmiskajām īpašībām.
Salīdzinot ar augstas tīrības pakāpes grafīta materiāliem, grafīts sāk oksidēties 400 C temperatūrā, kas oksidācijas rezultātā izraisīs pulvera zudumu, kā rezultātā tiks piesārņota apkārtējā vide perifērijas ierīcēs un vakuuma kamerās, kā arī palielinās augstas tīrības pakāpes vides piemaisījumi.
Tomēr SiC pārklājums var uzturēt fizisko un ķīmisko stabilitāti 1600 grādos, to plaši izmanto mūsdienu rūpniecībā, īpaši pusvadītāju rūpniecībā.
Mūsu uzņēmums sniedz SiC pārklāšanas procesa pakalpojumus ar CVD metodi uz grafīta, keramikas un citu materiālu virsmām, lai īpašās oglekli un silīciju saturošās gāzes augstā temperatūrā reaģētu, lai iegūtu augstas tīrības pakāpes SiC molekulas, molekulas, kas nogulsnējas uz pārklājamo materiālu virsmas, veidojot SIC aizsargkārtu.Izveidotais SIC ir cieši saistīts ar grafīta pamatni, piešķirot grafīta pamatnei īpašas īpašības, tādējādi padarot grafīta virsmu kompaktu, bezporainību, izturību pret augstu temperatūru, izturību pret koroziju un oksidācijas izturību.
Galvenās iezīmes:
1. Augstas temperatūras oksidācijas izturība:
oksidācijas pretestība joprojām ir ļoti laba, ja temperatūra ir pat 1600 C.
2. Augsta tīrība: izgatavots ar ķīmisku tvaiku nogulsnēšanos augstās temperatūras hlorēšanas apstākļos.
3. Izturība pret eroziju: augsta cietība, kompakta virsma, smalkas daļiņas.
4. Izturība pret koroziju: skābes, sārmi, sāls un organiskie reaģenti.
Galvenās CVD-SIC pārklājumu specifikācijas:
| SiC-CVD | ||
| Blīvums | (g/cc)
| 3.21 |
| Liekšanas spēks | (Mpa)
| 470 |
| Termiska izplešanās | (10-6/K) | 4
|
| Siltumvadītspēja | (W/mK) | 300
|
