Monokristāliskā 8 collu silīcija vafele no VET Energy ir nozarē vadošais risinājums pusvadītāju un elektronisko ierīču ražošanai. Piedāvājot izcilu tīrību un kristālisku struktūru, šīs vafeles ir ideāli piemērotas augstas veiktspējas lietojumiem gan fotoelementu, gan pusvadītāju nozarē. VET Energy nodrošina, ka katra vafele tiek rūpīgi apstrādāta, lai tā atbilstu augstākajiem standartiem, nodrošinot izcilu viendabīgumu un gludu virsmas apdari, kas ir būtiska progresīvu elektronisko ierīču ražošanai.
Šīs monokristāliskās 8 collu silīcija vafeles ir savietojamas ar dažādiem materiāliem, tostarp Si Wafer, SiC substrātu, SOI Wafer, SiN substrātu, un ir īpaši piemērotas Epi Wafer audzēšanai. To izcilā siltumvadītspēja un elektriskās īpašības padara tos par uzticamu izvēli augstas efektivitātes ražošanai. Turklāt šīs vafeles ir izstrādātas, lai nevainojami darbotos ar tādiem materiāliem kā Gallija oksīds Ga2O3 un AlN Wafer, piedāvājot plašu pielietojumu klāstu no spēka elektronikas līdz RF ierīcēm. Vafeles lieliski iekļaujas arī kasešu sistēmās liela apjoma automatizētām ražošanas vidēm.
VET Energy produktu līnija neaprobežojas tikai ar silīcija plāksnēm. Mēs piedāvājam arī plašu pusvadītāju substrāta materiālu klāstu, tostarp SiC substrātu, SOI Wafer, SiN substrātu, Epi Wafer utt., kā arī jaunus platas joslas pusvadītāju materiālus, piemēram, Gallija oksīds Ga2O3 un AlN Wafer. Šie produkti var apmierināt dažādu klientu lietojuma vajadzības jaudas elektronikas, radiofrekvenču, sensoru un citās jomās.
VET Energy nodrošina klientiem pielāgotus vafeļu risinājumus. Mēs varam pielāgot vafeles ar dažādu pretestību, skābekļa saturu, biezumu utt. atbilstoši klientu īpašajām vajadzībām. Turklāt mēs sniedzam arī profesionālu tehnisko atbalstu un pēcpārdošanas servisu, lai palīdzētu klientiem atrisināt dažādas ražošanas procesā radušās problēmas.
VAFELU SPECIFIKĀCIJAS
*n-Pm=n-tipa Pm-Grade,n-Ps=n-tipa Ps-Grade,Sl=daļēji izolējošs
Vienums | 8 collas | 6 collas | 4 collas | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 um | ≤6 um | |||
Bow (GF3YFCD) — absolūtā vērtība | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
deformācija (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Vafeļu mala | Noslīpēšana |
VIRSMAS APDARE
*n-Pm=n-tipa Pm-Grade,n-Ps=n-tipa Ps-Grade,Sl=daļēji izolējošs
Vienums | 8 collas | 6 collas | 4 collas | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Virsmas apdare | Divpusējs optiskais pulējums, Si-Face CMP | ||||
Virsmas nelīdzenums | (10 um x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Malu mikroshēmas | Nav atļauts (garums un platums ≥0,5 mm) | ||||
Atkāpes | Nav Atļauts | ||||
Skrāpējumi (Si-Face) | Daudzums ≤5, kumulatīvs | Daudzums ≤5, kumulatīvs | Daudzums ≤5, kumulatīvs | ||
Plaisas | Nav Atļauts | ||||
Malu izslēgšana | 3 mm |