Labas kvalitātes silīcija karbīda RBSIC/SISIC konsoles lāpstiņa, ko izmanto saules fotoelementu rūpniecībā

Īss apraksts:

Mūsu ar SiC pārklāto grafīta susceptoru īpašās priekšrocības ietver īpaši augstu tīrības pakāpi, viendabīgu pārklājumu un izcilu kalpošanas laiku. Viņiem ir arī augsta ķīmiskā izturība un termiskās stabilitātes īpašības.

Uzklājot SiC pārklājumu, mēs saglabājam ļoti tuvas pielaides, izmantojot augstas precizitātes apstrādi, lai nodrošinātu vienmērīgu susceptora profilu. Mēs arī ražojam materiālus ar ideālām elektriskās pretestības īpašībām izmantošanai induktīvi apsildāmās sistēmās. Visām gatavajām sastāvdaļām ir tīrības un izmēru atbilstības sertifikāts.

Nosūtiet mums e-pastu Lejupielādēt kā PDF

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Labi vadīti rīki, ekspertu peļņas komanda un daudz labāki pēcpārdošanas produkti un pakalpojumi; Mēs esam bijuši arī vienots galvenais dzīvesbiedrs un bērni, katrs cilvēks pieturas pie uzņēmuma priekšrocībām “apvienošanās, centība, tolerance” labas kvalitātes silīcija karbīda RBSIC/SISIC konsoles lāpstiņai, ko izmanto saules fotoelementu rūpniecībā. Mēs patiesi sveicam abus ārvalstu un vietējos biznesa uzņēmumu kompanjonus, un ceram sadarboties ar jums tuvākajā vai ilgtermiņā!
Labi vadīti rīki, ekspertu peļņas komanda un daudz labāki pēcpārdošanas produkti un pakalpojumi; Mēs esam bijuši arī vienots galvenais dzīvesbiedrs un bērni, katrs cilvēks pieturas pie uzņēmuma priekšrocībām "savienošanās, centība, tolerance"Ķīna Ugunsizturīga keramikas un keramikas krāsns, Lai apmierinātu konkrētas personas klientu prasības par katru mazliet perfektāku servisu un stabilas kvalitātes preces. Mēs sirsnīgi sveicam klientus no visas pasaules, lai apmeklētu mūs ar mūsu daudzpusīgo sadarbību un kopīgi attīstītu jaunus tirgus, lai radītu spožu nākotni!

SiC pārklājums/pārklājums ar grafīta substrātu pusvadītājam

Termiskās apstrādes laikā susceptori notur un silda pusvadītāju vafeles. Susceptors ir izgatavots no materiāla, kas absorbē enerģiju ar indukcijas, vadīšanas un/vai starojuma palīdzību un silda vafeles. Tā termiskā triecienizturība, siltumvadītspēja un tīrība ir ļoti svarīgas ātrai termiskai apstrādei (RTP). Ar silīcija karbīdu pārklātu grafītu, silīcija karbīdu (SiC) un silīciju (Si) parasti izmanto susceptoriem atkarībā no konkrētās termiskās un ķīmiskās vides. PureSiC® CVD SiC un ClearCarbon™ īpaši tīrs materiāls, kas nodrošina izcilu termisko stabilitāti, izturību pret koroziju un izturību.

Produkta apraksts

Grafīta substrāta SiC pārklājums pusvadītāju lietojumiem rada detaļu ar izcilu tīrību un izturību pret oksidējošu atmosfēru.
CVD SiC vai CVI SiC tiek uzklāts uz vienkāršu vai sarežģītu dizaina detaļu grafītu. Pārklājumu var uzklāt dažādos biezumos un ļoti lielām daļām.

SiC pārklājums/pārklājums ar grafīta substrātu pusvadītājam

Tehniskā keramika ir dabiska izvēle pusvadītāju termiskās apstrādes lietojumiem, tostarp RTP (ātrā termiskā apstrāde), Epi (epitaksiālā apstrāde), difūzija, oksidēšana un atkausēšana. CoorsTek nodrošina uzlabotas materiālu sastāvdaļas, kas īpaši izstrādātas, lai izturētu termiskos triecienus ar augstas tīrības pakāpi, izturīgu, atkārtojamu veiktspēju augstā temperatūrā.

Funkcijas:
· Lieliska termiskā triecienizturība
· Lieliska fiziskā triecienizturība
· Lieliska ķīmiskā izturība
· Īpaši augsta tīrība
· Pieejamība kompleksā formā
· Izmantojams oksidējošā atmosfērā

pieteikums:

Vafelei ir jāveic vairākas darbības, pirms tā ir gatava lietošanai elektroniskajās ierīcēs. Viens svarīgs process ir silīcija epitaksija, kurā vafeles tiek pārvadātas uz grafīta susceptoriem. Susceptoru īpašībām un kvalitātei ir izšķiroša ietekme uz vafeles epitaksiskā slāņa kvalitāti.

Grafīta pamatmateriāla tipiskās īpašības:

Šķietamais blīvums:	1,85 g/cm3
Elektriskā pretestība:	11 μΩm
Elastības spēks:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Šora cietība:	58
Pelni:	<5ppm
Siltumvadītspēja:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)