Naujienos

Kaip gaminami SiC mikro milteliai?
admin 24-05-13
SiC monokristalas yra IV-IV grupių sudėtinė puslaidininkinė medžiaga, sudaryta iš dviejų elementų, Si ir C, stechiometriniu santykiu 1:1. Jo kietumas nusileidžia tik deimantams. Silicio oksido anglies redukcijos metodas SiC paruošti daugiausia grindžiamas tokia cheminės reakcijos formule...
Skaityti daugiau
Kaip epitaksiniai sluoksniai padeda puslaidininkiniams įtaisams?
admin 24-05-13
Epitaksinės plokštelės pavadinimo kilmė Pirmiausia išpopuliarinkime nedidelę koncepciją: plokštelių paruošimas apima dvi pagrindines grandis: substrato paruošimą ir epitaksinį procesą. Substratas yra plokštelė, pagaminta iš puslaidininkinės monokristalinės medžiagos. Substratas gali tiesiogiai patekti į plokštelių gamyklą...
Skaityti daugiau
Cheminio garų nusodinimo (CVD) plonasluoksnio nusodinimo technologijos įvadas
admin 24-05-06
Cheminis nusodinimas iš garų (CVD) yra svarbi plonasluoksnio nusodinimo technologija, dažnai naudojama įvairioms funkcinėms plėvelėms ir plonasluoksnėms medžiagoms ruošti, plačiai naudojama puslaidininkių gamyboje ir kitose srityse. 1. CVD veikimo principas CVD procese dujų pirmtakas (vienas arba...
Skaityti daugiau
„Juodojo aukso“ fotovoltinių puslaidininkių pramonės paslaptis: noras ir priklausomybė nuo izostatinio grafito
admin 24-05-06
Izostatinis grafitas yra labai svarbi fotoelektros ir puslaidininkių medžiaga. Sparčiai augant vietinėms izostatinio grafito įmonėms, užsienio kompanijų monopolija Kinijoje buvo sulaužyta. Dėl nuolatinių nepriklausomų tyrimų ir plėtros bei technologinių pasiekimų, ...
Skaityti daugiau
Pagrindinės grafito valčių charakteristikos puslaidininkinės keramikos gamyboje
admin 24-04-22
Grafitinės valtys, taip pat žinomos kaip grafito valtys, atlieka lemiamą vaidmenį sudėtinguose puslaidininkinės keramikos gamybos procesuose. Šie specializuoti indai yra patikimi puslaidininkinių plokštelių laikikliai aukštoje temperatūroje apdorojant, užtikrinantys tikslų ir kontroliuojamą apdorojimą. Su...
Skaityti daugiau
Išsamiai paaiškinta krosnies vamzdžių įrangos vidinė struktūra
admin 24-04-22
Kaip parodyta aukščiau, yra tipiškas Pirmoji pusė: ▪ Šildymo elementas (kaitinimo gyvatukas): esantis aplink krosnies vamzdį, paprastai pagamintas iš varžos laidų, naudojamas krosnies vamzdžio vidui šildyti. ▪ Kvarcinis vamzdis: karštos oksidacijos krosnies šerdis, pagaminta iš labai gryno kvarco, kuris gali atlaikyti...
Skaityti daugiau
SiC substrato ir epitaksinių medžiagų poveikis MOSFET įrenginio charakteristikoms
admin 24-04-16
Trikampis defektas Trikampiai defektai yra labiausiai mirtini morfologiniai SiC epitaksinių sluoksnių defektai. Daugybė literatūros pranešimų parodė, kad trikampių defektų susidarymas yra susijęs su 3C kristalų forma. Tačiau dėl skirtingų augimo mechanizmų daugelio morfologija...
Skaityti daugiau
SiC silicio karbido monokristalų augimas
admin 24-04-16
Nuo atradimo silicio karbidas sulaukė didelio dėmesio. Silicio karbidas sudarytas iš pusės Si atomų ir pusės C atomų, kurie yra sujungti kovalentiniais ryšiais per elektronų poras, dalijančias sp3 hibridines orbitales. Pagrindiniame monokristalo struktūriniame vienete keturi Si atomai yra...
Skaityti daugiau
VET Išskirtinės grafito strypų savybės
admin 24-04-08
Grafitas, anglies forma, yra puiki medžiaga, žinoma dėl savo unikalių savybių ir plataus pritaikymo spektro. Visų pirma grafito strypai sulaukė didelio pripažinimo dėl savo išskirtinių savybių ir universalumo. Dėl puikaus šilumos laidumo, elektros laidumo...
Skaityti daugiau