Silicon carbide (SiC)ວັດສະດຸ semiconductor ເປັນທີ່ແກ່ທີ່ສຸດໃນບັນດາ semiconductors ຊ່ອງຫວ່າງກວ້າງທີ່ພັດທະນາ. ວັດສະດຸ SiC semiconductor ມີທ່າແຮງການນໍາໃຊ້ທີ່ຍິ່ງໃຫຍ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມຖີ່ສູງ, ພະລັງງານສູງ, photoelectronics ແລະອຸປະກອນຕ້ານ radiation ເນື່ອງຈາກຊ່ອງຫວ່າງແຖບກ້ວາງຂອງເຂົາເຈົ້າ, ພາກສະຫນາມໄຟຟ້າ breakdown ສູງ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ການເຄື່ອນໄຫວເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມອີ່ມຕົວສູງແລະຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າ. Silicon carbide ມີລະດັບຄວາມກ້ວາງຂອງການນໍາໃຊ້: ເນື່ອງຈາກຊ່ອງຫວ່າງຂອງແຖບກ້ວາງ, ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອເຮັດໃຫ້ diodes ແສງສະຫວ່າງສີຟ້າຫຼືເຄື່ອງກວດຈັບ ultraviolet ເກືອບບໍ່ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບຈາກແສງແດດ; ເນື່ອງຈາກວ່າແຮງດັນໄຟຟ້າຫຼືພາກສະຫນາມໄຟຟ້າສາມາດທົນທານໄດ້ແປດເທົ່າຂອງຊິລິໂຄນຫຼື gallium arsenide, ໂດຍສະເພາະແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດອຸປະກອນໄຟຟ້າແຮງດັນສູງເຊັ່ນ: diodes ແຮງດັນສູງ, triode ພະລັງງານ, silicon ຄວບຄຸມແລະອຸປະກອນ microwave ພະລັງງານສູງ; ເນື່ອງຈາກຄວາມໄວການເຄື່ອນຍ້າຍຂອງເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມອີ່ມຕົວສູງ, ສາມາດເຮັດໃຫ້ເຂົ້າໄປໃນອຸປະກອນຄວາມຖີ່ສູງຫຼາຍຊະນິດ (RF ແລະໄມໂຄເວຟ);ຊິລິໂຄນຄາໄບເປັນຕົວນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີແລະເຮັດຄວາມຮ້ອນໄດ້ດີກວ່າວັດສະດຸ semiconductor ອື່ນໆ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ອຸປະກອນ silicon carbide ເຮັດວຽກຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ.
ເປັນຕົວຢ່າງສະເພາະ, ປະຈຸບັນ APEI ກໍາລັງກະກຽມເພື່ອພັດທະນາລະບົບຂັບຖ່າຍ DC motor ຂອງສະພາບແວດລ້ອມທີ່ສຸດສໍາລັບ Venus Explorer (VISE) ຂອງ NASA ໂດຍໃຊ້ອົງປະກອບ silicon carbide. ຍັງຢູ່ໃນຂັ້ນຕອນການອອກແບບ, ເປົ້າຫມາຍແມ່ນເພື່ອລົງຈອດຫຸ່ນຍົນຂຸດຄົ້ນຢູ່ດ້ານຂອງ Venus.
ນອກຈາກນັ້ນ, sອິລີຄອນຄາໄບມີພັນທະບັດ ionic covalent ທີ່ເຂັ້ມແຂງ, ມັນມີຄວາມແຂງສູງ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນໃນໄລຍະທອງແດງ, ປະສິດທິພາບການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ແມ່ນເຂັ້ມແຂງຫຼາຍ, ການຕໍ່ຕ້ານລັງສີ, ການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີທີ່ດີແລະຄຸນສົມບັດອື່ນໆ, ມີລະດັບຄວາມກ້ວາງຂອງການນໍາໃຊ້ໃນ. ດ້ານເຕັກໂນໂລຊີອາວະກາດ. ຕົວຢ່າງເຊັ່ນ, ການນໍາໃຊ້ວັດສະດຸ silicon carbide ເພື່ອກະກຽມຍານອາວະກາດສໍາລັບນັກອາວະກາດ, ນັກຄົ້ນຄວ້າເພື່ອດໍາລົງຊີວິດແລະເຮັດວຽກ.
ເວລາປະກາດ: ສິງຫາ-01-2022