ການເຄືອບ SiC ສາມາດກະກຽມໄດ້ໂດຍການລະບາຍອາຍຂອງສານເຄມີ (CVD), ການຫັນເປັນຄາຣະວາ, ການສີດພົ່ນ plasma, ແລະອື່ນໆ. ການນໍາໃຊ້ methyl trichlosilane. (CHzSiCl3, MTS) ເປັນແຫຼ່ງຊິລິໂຄນ, ການເຄືອບ SiC ກະກຽມໂດຍວິທີການ CVD ແມ່ນວິທີການທີ່ຂ້ອນຂ້າງສໍາລັບການນໍາໃຊ້ການເຄືອບນີ້.
ການເຄືອບ SiC ແລະ graphite ມີຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ທາງເຄມີທີ່ດີ, ຄວາມແຕກຕ່າງຂອງຕົວຄູນການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນລະຫວ່າງພວກມັນມີຂະຫນາດນ້ອຍ, ການນໍາໃຊ້ການເຄືອບ SiC ສາມາດປັບປຸງການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ແລະການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງວັດສະດຸ graphite ໄດ້. ໃນບັນດາພວກເຂົາ, ອັດຕາສ່ວນ stoichiometric, ອຸນຫະພູມຕິກິຣິຍາ, ອາຍແກັສ dilution, ອາຍແກັສ impurity ແລະເງື່ອນໄຂອື່ນໆມີອິດທິພົນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຕໍ່ຕິກິຣິຍາ.
ເວລາປະກາດ: ກັນຍາ-14-2022