Aféierung vunSilicon Carbide
Siliziumkarbid (SIC) huet eng Dicht vun 3,2g/cm3. Natierlech Siliziumcarbid ass ganz rar a gëtt haaptsächlech duerch kënschtlech Method synthetiséiert. No der ënnerschiddlecher Klassifikatioun vun der Kristallstruktur kann Siliziumkarbid an zwou Kategorien opgedeelt ginn: α SiC a β SiC. Déi drëtt Generatioun Halbleiter representéiert duerch Siliziumkarbid (SIC) huet héich Frequenz, héich Effizienz, héich Kraaft, héich Drockresistenz, héich Temperaturbeständegkeet a staark Stralungsbeständegkeet. Et ass gëeegent fir déi grouss strategesch Bedierfnesser vun Energiespueren an Emissiounsreduktioun, intelligent Fabrikatioun an Informatiounssécherheet. Et ass fir déi onofhängeg Innovatioun an d'Entwécklung an d'Transformatioun vun der neier Generatioun mobiler Kommunikatioun ze ënnerstëtzen, nei Energieween, High-Speed-Zich, Energie Internet an aner Industrien. . Am Joer 2020 ass d'global Wirtschafts- an Handelsmuster an enger Period vun der Remodeling, an d'intern an extern Ëmfeld vun der China Wirtschaft ass méi komplex a schwéier, awer déi drëtt Generatioun Hallefleitindustrie op der Welt wiisst géint den Trend. Et muss unerkannt ginn datt d'Silisiumkarbidindustrie eng nei Entwécklungsphase agaangen ass.
SiliziumkarbidApplikatioun
Siliziumkarbid Applikatioun an der Halbleiterindustrie Siliziumkarbid Hallefleitindustrie Kette enthält haaptsächlech Siliziumkarbid héich Rengheet Pulver, Eenkristallsubstrat, Epitaxial, Kraaftapparat, Modulverpackung an Terminalapplikatioun, etc.
1. Eenkristall Substrat ass d'Ënnerstëtzungsmaterial, d'Konduktivmaterial an d'Epitaxialwachstumssubstrat vum Halbleiter. Am Moment sinn d'Wuesstemsmethoden vu SiC Eenkristallen physesch Gastransfer (PVT), Flëssegphase (LPE), Héichtemperatur chemesch Dampdepositioun (htcvd) a sou weider. 2. epitaxial Siliciumcarbid epitaxial Blat bezitt sech op de Wuesstum vun engem eenzegen Kristallfilm (epitaxial Schicht) mat bestëmmte Viraussetzungen an der selwechter Orientéierung wéi de Substrat. An praktesch Applikatioun sinn déi breet Band Spalt semiconductor Apparater bal all op der epitaxial Layer, a Silicon Carbide Chips selwer sinn nëmmen als Substrat benotzt, dorënner Gan epitaxial Schichten.
3. héich RengheetSiCPudder ass e Rohmaterial fir de Wuesstum vu Siliziumkarbid Eenkristall duerch PVT Method. Seng Produktreinheet beaflosst direkt d'Wuessqualitéit an d'elektresch Eegeschafte vum SiC Eenkristall.
4. d'Kraaftapparat ass aus Siliciumcarbid gemaach, wat d'Charakteristiken vun héijer Temperaturresistenz, héich Frequenz an héich Effizienz huet. No der Aarbechtsform vum Apparat,SiCKraaftapparater enthalen haaptsächlech Kraaftdioden a Stroumschalterröhren.
5. an der drëtter Generatioun Hallefleitapplikatioun sinn d'Virdeeler vun der Endapplikatioun datt se de GaN Halbleiter ergänzen kënnen. Wéinst de Virdeeler vun der héijer Konversiounseffizienz, gerénger Heizungseigenschaften a Liichtgewiicht vu SiC-Geräter, geet d'Nofro vun der Downstream Industrie weider erop, wat den Trend huet SiO2-Geräter z'ersetzen. Déi aktuell Situatioun vun der Siliziumkarbidmaart Entwécklung ass kontinuéierlech entwéckelt. Siliziumkarbid féiert déi drëtt Generatioun Halbleiter Entwécklung Maart Applikatioun. Déi drëtt Generatioun Hallefleitprodukter si méi séier infiltréiert, d'Applikatiounsfelder erweideren sech kontinuéierlech, an de Maart wiisst séier mat der Entwécklung vun Automobilelektronik, 5g Kommunikatioun, séier Laden Energieversuergung a militäresch Applikatioun. .
Post Zäit: Mar-16-2021