Als nei Zort Halbleitermaterial ass SiC dat wichtegst Halbleitermaterial fir d'Fabrikatioun vu Kuerzwellelängt optoelektronesch Geräter, Héichtemperaturgeräter, Strahlungsresistenzgeräter an héich Kraaft / Héichkraaft elektronesch Geräter wéinst senge exzellente physikaleschen a chemeschen Eegeschaften an elektresch Eegeschafte. Besonnesch wann se ënner extremen an haarde Konditiounen applizéiert ginn, sinn d'Charakteristike vu SiC-Geräter wäit iwwer déi vu Si-Geräter a GaAs-Geräter. Dofir sinn SiC Apparater a verschidden Aarte vu Sensoren no an no ee vun de Schlësselapparater ginn, déi eng ëmmer méi wichteg Roll spillen.
SiC Apparater a Circuiten hu sech séier zënter den 1980er entwéckelt, besonnesch zënter 1989, wéi déi éischt SiC Substratwafer op de Maart koum. An e puer Beräicher, wéi Liichtjoer emittéierend diodes, héich-Frequenz héich-Muecht an héich-Volt Apparater, SiC Apparater goufen vill kommerziell benotzt. D'Entwécklung ass séier. No bal 10 Joer Entwécklung konnt de SiC Apparat Prozess kommerziell Geräter fabrizéieren. Eng Zuel vu Firmen representéiert vu Cree hunn ugefaang kommerziell Produkter vu SiC-Geräter ze bidden. Domesch Fuerschungsinstituter an Universitéiten hunn och erfreelech Leeschtungen am SiC Materialwachstum an Geräterproduktiounstechnologie gemaach. Och wann d'SiC Material ganz super physesch a chemesch Eegeschaften huet, an d'SiC Apparat Technologie ass och reift, awer d'Leeschtung vu SiC Geräter a Circuiten ass net super. Zousätzlech zum SiC Material an Apparatprozess musse permanent verbessert ginn. Méi Efforte solle gemaach ginn fir d'Virdeeler vu SiC Materialien ze notzen andeems Dir S5C Apparatstruktur optiméiert oder nei Apparatstruktur proposéiert.
Am Moment. D'Fuerschung vu SiC Geräter konzentréiert sech haaptsächlech op diskret Geräter. Fir all Typ vun Apparatstruktur ass déi initial Fuerschung einfach déi entspriechend Si oder GaAs Apparat Struktur op SiC ze transplantéieren ouni d'Apparatstruktur ze optimiséieren. Well déi intrinsesch Oxidschicht vu SiC d'selwecht ass wéi Si, wat SiO2 ass, heescht et datt déi meescht Si-Geräter, besonnesch m-pa-Geräter, op SiC hiergestallt kënne ginn. Och wann et nëmmen eng einfach Transplantatioun ass, hunn e puer vun den kritt Geräter zefriddestellend Resultater erreecht, an e puer vun den Apparater si schonn an de Fabrikmaart agaangen.
SiC optoelektronesch Geräter, besonnesch blo Liichtemittéierdioden (BLU-Ray Leds), sinn an de fréien 1990er op de Maart komm a sinn déi éischt masseproduzéiert SiC Apparater. Héich Volt SiC Schottky Dioden, SiC RF Kraafttransistoren, SiC MOSFETs a MesFETs sinn och kommerziell verfügbar. Natierlech ass d'Performance vun all dëse SiC Produkter wäit ewech vun de super Charakteristike vu SiC Materialien ze spillen, an déi méi staark Funktioun an d'Leeschtung vu SiC Geräter musse nach fuerscht an entwéckelt ginn. Esou einfach Transplantatioune kënnen dacks d'Virdeeler vu SiC Materialien net voll ausnotzen. Och am Beräich vun e puer Virdeeler vun SiC Apparater. E puer vun de SiC-Geräter, déi am Ufank hiergestallt goufen, kënnen net mat der Leeschtung vun den entspriechende Si- oder CaAs-Geräter passen.
Fir d'Virdeeler vun SiC Material Charakteristiken besser an d'Virdeeler vun SiC Apparater ze transforméieren, studéiere mir de Moment wéi den Apparat Fabrikatioun Prozess an Apparat Struktur optimiséieren oder nei Strukturen an nei Prozesser entwéckelen fir d'Funktioun an Leeschtung vun SiC Apparater ze verbesseren.
Post Zäit: Aug-23-2022