E puer organesch an anorganesch Substanzen sinn erfuerderlech fir un der Halbleiterfabrikatioun deelzehuelen. Zousätzlech, well de Prozess ëmmer an engem propper Sall mat mënschlech Participatioun duerchgefouert gëtt, semiconductorwaferssinn onweigerlech kontaminéiert vu verschiddene Gëftstoffer.
No der Quell an der Natur vun de Verschmotzunge kënne se ongeféier a véier Kategorien opgedeelt ginn: Partikelen, organesch Matière, Metallionen an Oxiden.
1. Partikelen:
Partikele sinn haaptsächlech e puer Polymeren, Photoresisten an Äts Gëftstoffer.
Esou Kontaminanten vertrauen normalerweis op intermolekuläre Kräfte fir op der Uewerfläch vum Wafer ze adsorbéieren, wat d'Bildung vu geometreschen Figuren an elektresche Parameteren vum Photolithographieprozess vum Apparat beaflosst.
Esou Verschmotzunge ginn haaptsächlech geläscht andeems se graduell hir Kontaktfläche mat der Uewerfläch vumwaferduerch physesch oder chemesch Methoden.
2. Organesch Matière:
D'Quell vun organeschen Gëftstoffer si relativ breet, wéi mënschlech Haut Ueleg, Bakterien, Maschinn Ueleg, Vakuum Fett, Photoresist, Botzen Léisungsmëttelen, etc.
Esou Kontaminanten bilden normalerweis en organesche Film op der Uewerfläch vum Wafer fir ze verhënneren datt d'Botzflëssegkeet d'Uewerfläch vum Wafer erreecht, wat zu enger onvollstänneger Reinigung vun der Wafer Uewerfläch resultéiert.
D'Entfernung vun esou Verunreiniger gëtt dacks am éischte Schrëtt vum Botzprozess duerchgefouert, haaptsächlech mat chemesche Methoden wéi Schwefelsäure a Waasserstoffperoxid.
3. Metallionen:
Gemeinsam Metal Gëftstoffer och Eisen, Koffer, Al, Chrom, Goss, Titan, Natrium, KaliumiodidPëlle, Lithium, etc.. D'Haaptquellen sinn verschidden Utensilien, Päifen, chemesch reagents, an Metal Pollutioun generéiert wann Metal interconnections während Veraarbechtung geformt.
Dës Zort vu Gëftstoffer gëtt dacks duerch chemesch Methoden duerch d'Bildung vu Metallionkomplexe geläscht.
4. Oxid:
Wann semiconductorwafersop enger Ëmwelt ausgesat sinn, déi Sauerstoff a Waasser enthält, wäert eng natierlech Oxidschicht op der Uewerfläch bilden. Dësen Oxidfilm behënnert vill Prozesser an der Hallefleitfabrikatioun an enthält och verschidde Metallverschmotzungen. Ënner bestëmmte Konditiounen bilden se elektresch Mängel.
D'Entfernung vun dësem Oxidfilm gëtt dacks ofgeschloss andeems se a verdënntem Fluorfluoresäure ofdecken.
Allgemeng Botzen Sequenz
Gëftstoffer adsorbéiert op der Uewerfläch vum Halbleiterwaferskann an dräi Zorte ënnerdeelt ginn: molekulare, ionesch an atomarer.
Dorënner ass d'Adsorptiounskraaft tëscht molekulare Gëftstoffer an der Uewerfläch vum Wafer schwaach, an dës Zort vu Gëftstoffpartikel ass relativ einfach ze entfernen. Si si meeschtens ueleg Gëftstoffer mat hydrophobe Charakteristiken, déi Maske fir ionesch an atomesch Gëftstoffer ubidden, déi d'Uewerfläch vun Hallefleitwaferen kontaminéieren, wat net fir d'Entfernung vun dësen zwou Aarte vu Gëftstoffer ass. Dofir, wann Dir Hallefleitwafer chemesch botzt, sollten molekulare Gëftstoffer als éischt geläscht ginn.
Dofir, déi allgemeng Prozedur vun semiconductorwaferBotzen Prozess ass:
De-molecularization-deionization-de-atomization-deionized Waasser Spülen.
Zousätzlech, fir d'natierlech Oxidschicht op der Uewerfläch vum Wafer ze entfernen, muss e verdënntem Aminosaier Soaking Schrëtt derbäi ginn. Dofir ass d'Iddi vum Botzen fir d'éischt organesch Kontaminatioun op der Uewerfläch ze läschen; dann d'Oxidschicht opléisen; endlech Partikelen a Metallkontaminatioun ewechhuelen, a gläichzäiteg d'Uewerfläch passivéieren.
Gemeinsam Botzen Methoden
Chemesch Methoden ginn dacks benotzt fir Hallefleitwaferen ze botzen.
Chemesch Botzen bezitt sech op de Prozess fir verschidde chemesch Reagenzen an organesch Léisungsmëttelen ze benotzen fir Gëftstoffer an Uelegflecken op der Uewerfläch vum Wafer ze reagéieren oder opzeléisen fir Gëftstoffer ze desorbéieren, an dann mat enger grousser Quantitéit vu héichreiniger waarmen a kale deioniséierte Waasser spülen fir ze kréien eng propper Uewerfläch.
Chemesch Botzen kann ënnerdeelt ginn an naass chemesch Botzen an dréchen chemesch Botzen, dorënner naass chemesch Botzen nach dominant ass.
Naass chemesch Botzen
1. Naass chemesch Botzen:
Naass chemesch Botzen enthält haaptsächlech Léisung Tauchen, mechanesch Scrubben, Ultraschallreinigung, Megasonic Botzen, Rotary Sprayen, asw.
2. Léisung Tauche:
Léisung Tauche ass eng Method fir Uewerflächkontaminatioun ze läschen andeems de Wafer an enger chemescher Léisung taucht. Et ass déi meescht benotzt Method fir naass chemesch Botzen. Verschidde Léisunge kënne benotzt ginn fir verschidden Zorte vu Verschmotzung op der Uewerfläch vum Wafer ze läschen.
Normalerweis kann dës Method net Gëftstoffer op der Uewerfläch vum Wafer komplett ewechhuelen, sou datt kierperlech Moossname wéi Heizung, Ultraschall a Rühren dacks beim Tauchen benotzt ginn.
3. Mechanesch Wäschmaschinn:
Mechanesch Scrubbing gëtt dacks benotzt fir Partikelen oder organesch Reschter op der Uewerfläch vum Wafer ze läschen. Et kann allgemeng an zwou Methoden opgedeelt ginn:manuelle Scrubbing a Scrubbing vun engem Wiper.
Manuell Schrauwenass déi einfachst Scrubbing Method. E Edelstahlbürtel gëtt benotzt fir e Kugel ze halen, deen an anhydrous Ethanol oder aner organesch Léisungsmëttel getippt ass a sanft d'Uewerfläch vum Wafer an der selwechter Richtung reift fir Waxfilm, Staub, Reschtklebstoff oder aner zolidd Partikelen ze entfernen. Dës Method ass einfach Kratzer a sérieux Verschmotzung ze verursaachen.
De Wiper benotzt mechanesch Rotatioun fir d'Uewerfläch vum Wafer mat enger mëller Woll Pinsel oder enger gemëschte Pinsel ze reiben. Dës Method reduzéiert staark d'Kratzen op der Wafer. Den Héichdrockwëscher wäert de Wafer net kraazt wéinst dem Mangel u mechanescher Reibung, a kann d'Kontaminatioun an der Groove ewechhuelen.
4. Ultraschallreinigung:
Ultraschallreinigung ass eng Botzmethod déi wäit an der Hallefleitindustrie benotzt gëtt. Seng Virdeeler si gutt Botzen Effekt, einfach Operatioun, a kann och komplex Apparater a Container propper.
Dës Botzenmethod ass ënner der Handlung vu staarken Ultraschallwellen (déi allgemeng benotzt Ultraschallfrequenz ass 20s40kHz), a spatzen an dichten Deeler ginn am flëssege Medium generéiert. De spatzen Deel wäert eng bal Vakuum Kavitéit Bubble produzéieren. Wann d'Kavitéitsblase verschwënnt, gëtt e staarken lokalen Drock an der Géigend generéiert, déi chemesch Bindungen an de Moleküle briechen fir d'Gëftstoffer op der Wafer Uewerfläch opzeléisen. Ultraschallreinigung ass am effektivsten fir onléislech oder onléislech Fluxreschter ze entfernen.
5. Megasonic Botzen:
Megasonic Reinigung huet net nëmmen d'Virdeeler vun der Ultraschallreinigung, awer iwwerwannt och seng Mängel.
Megasonic Botzen ass eng Method fir Wafers ze botzen andeems d'High-Energie (850kHz) Frequenz Schwéngungseffekt mat der chemescher Reaktioun vu chemesche Botzmëttelen kombinéiert. Wärend der Botzen ginn d'Léisungsmoleküle vun der megasonescher Welle beschleunegt (déi maximal momentan Geschwindegkeet kann 30cmVs erreechen), an d'High-Speed-Flëssegwelle beaflosst kontinuéierlech d'Uewerfläch vum Wafer, sou datt d'Verschmotzung a fein Partikelen un der Uewerfläch vum Wafer gi gezwongen ewechgeholl a gitt an d'Botzléisung. Säure Surfaktanten op d'Botzléisung addéieren, engersäits kann den Zweck erreechen fir Partikelen an organesch Matière op der Polierfläch duerch d'Adsorptioun vun Surfaktanten ze läschen; op der anerer Säit, duerch d'Integratioun vun Surfaktanten a sauerem Ëmfeld, kann et den Zweck erreechen fir Metallkontaminatioun op der Uewerfläch vum Polierplack ze läschen. Dës Method kann gläichzäiteg d'Roll vu mechanesche Wëschen a chemesche Botzen spillen.
Am Moment ass d'Megasonesch Reinigungsmethod eng effektiv Method fir d'Botzen vu Polierplacke ginn.
6. Rotary Spraymethod:
D'Rotary Spraymethod ass eng Method déi mechanesch Methode benotzt fir de Wafer mat héijer Geschwindegkeet ze rotéieren, a kontinuéierlech Flëssegkeet (héich Puritéit deioniséiertem Waasser oder aner Botzflëssegkeet) op der Uewerfläch vum Wafer wärend dem Rotatiounsprozess sprayt fir Gëftstoffer op der Uewerfläch vun der wafer.
Dës Method benotzt d'Kontaminatioun op der Uewerfläch vum Wafer fir sech an der gesprëtzter Flëssegkeet opzeléisen (oder chemesch mat him ze reagéieren fir opzeléisen), a benotzt den Zentrifugaleffekt vun der Héichgeschwindegkeet Rotatioun fir d'Flëssegkeet mat Gëftstoffer ze trennen vun der Uewerfläch vum Wafer. an der Zäit.
D'Rotary Spraymethod huet d'Virdeeler vu chemescher Botzen, Flëssegmechanik Botzen, an Héichdrockscrubbing. Zur selwechter Zäit kann dës Method och mam Trocknungsprozess kombinéiert ginn. No enger Period vun deioniséierter Waassersprayreinigung gëtt de Waasserspray gestoppt an e Spraygas benotzt. Zur selwechter Zäit kann d'Rotatiounsgeschwindegkeet erhéicht ginn fir d'Zentrifugalkraaft ze erhéijen fir d'Uewerfläch vum Wafer séier ze dehydréieren.
7.Dréchen chemesch Botzen
Dréche Botzen bezitt sech op d'Botztechnologie déi keng Léisunge benotzt.
D'Trockreinigungstechnologien déi aktuell benotzt ginn enthalen: Plasmareinigungstechnologie, Gasphasereinigungstechnologie, Strahlreinigungstechnologie, asw.
D'Virdeeler vun der Trockenreinigung sinn einfache Prozesser a keng Ëmweltverschmotzung, awer d'Käschte sinn héich an den Ëmfang vum Gebrauch ass fir de Moment net grouss.
1. Plasma Reinigungstechnologie:
Plasma Botzen gëtt dacks am Photoresist Entfernungsprozess benotzt. Eng kleng Quantitéit Sauerstoff gëtt an de Plasma-Reaktiounssystem agefouert. Ënnert der Handlung vun engem staarken elektresche Feld generéiert de Sauerstoff Plasma, wat de Photoresist séier an e flüchtege Gaszoustand oxidéiert an extrahéiert gëtt.
Dës Botztechnologie huet d'Virdeeler vun einfacher Operatioun, héich Effizienz, propper Uewerfläch, keng Kratzer, an ass förderlech fir d'Produktqualitéit am Degummingprozess ze garantéieren. Ausserdeem benotzt et keng Säuren, Alkalien an organesch Léisungsmëttelen, an et gi keng Probleemer wéi Offallentsuergung an Ëmweltverschmotzung. Dofir gëtt et ëmmer méi vu Leit geschätzt. Wéi och ëmmer, et kann net Kuelestoff an aner net-flüchteg Metall- oder Metalloxid-Gëftstoffer ewechhuelen.
2. Gasphase Reinigungstechnologie:
Gasphase Botzen bezitt sech op eng Reinigungsmethod déi de Gasphase-Äquivalent vun der entspriechender Substanz am flëssege Prozess benotzt fir mat der kontaminéierter Substanz op der Uewerfläch vum Wafer ze interagéieren fir den Zweck ze erreechen fir Gëftstoffer ze läschen.
Zum Beispill, am CMOS Prozess benotzt d'Waferreinigung d'Interaktioun tëscht Gasphase HF a Waasserdamp fir Oxiden ze entfernen. Normalerweis muss den HF-Prozess mat Waasser vun engem Partikelentfernungsprozess begleet ginn, während d'Benotzung vu Gasphase HF Reinigungstechnologie kee spéider Partikelentfernungsprozess erfuerdert.
Déi wichtegst Virdeeler am Verglach zum wässerlechen HF-Prozess si vill méi klengen HF-chemesche Konsum a méi héich Reinigungseffizienz.
Wëllkomm Clienten aus der ganzer Welt fir eis fir eng weider Diskussioun ze besichen!
https://www.vet-china.com/
https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/
https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/
https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j
Post Zäit: Aug-13-2024