SILICON WAFER
vun sitronic
Awaferass e Slice Silicium ongeféier 1 Millimeter déck, déi eng extrem flaach Uewerfläch huet dank Prozeduren déi technesch ganz usprochsvoll sinn. Déi spéider Notzung bestëmmt wéi eng Kristallwuesseprozedur soll agestallt ginn. Am Czochralski-Prozess, zum Beispill, gëtt de polykristalline Silizium geschmollt an e Bleistift-dënnen Somkristall gëtt an de geschmollte Silizium getippt. De Somkristall gëtt dann rotéiert a lues no uewen gezunn. E ganz schwéiere Koloss, e Monokristall, resultéiert. Et ass méiglech d'elektresch Charakteristiken vum Monokristall auswielen andeems se kleng Eenheeten vun héichreiniger Dotanten bäisetzen. D'Kristalle ginn am Aklang mat de Client Spezifikatioune dotéiert an duerno poléiert an a Scheiwen geschnidden. No verschiddenen zousätzleche Produktiounsschrëtt kritt de Client seng spezifizéiert Waferen an enger spezieller Verpackung, déi de Client erlaabtwaferdirekt a senger Produktioun Linn.
Haut ginn e groussen Deel vun de Siliziummonokristalle no dem Czochralski-Prozess ugebaut, wat d'Schmelz vun polykristallinem High-Purity Silizium an enger hyperpure Quarz-Kraaft involvéiert an den Dotant (normalerweis B, P, As, Sb) derbäi. En dënnen, monokristalline Somkristall gëtt an de geschmollte Silizium getippt. E grousse CZ Kristall entwéckelt dann aus dësem dënnen Kristall. Präzis Regulatioun vun der geschmollte Siliziumtemperatur a Flow, d'Kristall- a Crucible-Rotatioun, souwéi d'Kristallzuchgeschwindegkeet resultéiert an engem extrem héichqualitativen monokristallinem Silizium-Ingot.
Post Zäit: Jun-03-2021